Примеры применения плёнок IGZO в биосенсорике / Н. В. Воронова, О. А. Тельминов, С. И. Янович [и др.]. - Текст : непосредственный : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2025. - № 2(198). - С. 22-26. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82850890 (дата обращения: 09.10.2025).
Авторы:	Воронова, Н. В., Тельминов, О. А., Янович, С. И., Винник, Д. А., Чернуха, А. С.
Ключевые слова:	Биосенсоры, Полевые транзисторы, Газовые датчики, Пленки IGZO, BIOSENSOR, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, GAS SENSOR, IGZO FILMS
Аннотация:	Описаны типы биосенсоров, существующих на данный момент: амперометрические, потенциометрические и кондуктометрические. Приводятся примеры с данными по чувствительности. Рассматриваются примеры датчиков на основе IGZO, их преимущества и уникальные свойства
Поиск:	Источник
Ссылка на ресурс:	https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82850890

Алексеев, В. Д. (Автор МИЭТ; Alekseev, V. D.). Особенности встраивания элементов энергонезависимой памяти в КМОП-технологию / В. Д. Алексеев, А. С. Тишин, В. Ю. Михайлов. - Текст : непосредственный : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2025. - № 2(198). - С. 62-76. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82850895 (дата обращения: 09.10.2025).
Авторы:	Алексеев, В. Д., Тишин, А. С., Михайлов, В. Ю.
Ключевые слова:	ПЛИС, Регистры, Анализ энергопотребления, Оценка распознаваемости данных, Вес Хэмминга, Дистанция Хэмминга, FPGA, REGISTER, POWER ANALYSIS, DISCLOSURE OF DATA, HAMMING WEIGHT, HAMMING DISTANCE
Аннотация:	Исследованы физические принципы источников энергопотребления в современных цифровых КМОП-схемах. Разработана методика детектирования всплесков энергопотребления микросхемы в процессе операции записи данных в регистр с использованием ПЛИС. Рассмотрены различные подходы программной обработки результатов измерений с целью точного определения соответствия между группами кривых для различных весов Хэмминга микросхемы
Поиск:	Источник
Ссылка на ресурс:	https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82850895

Сорокин, Д. В. (Sorokin, D. V.). Особенности встраивания элементов энергонезависимой памяти в КМОП-технологию / Д. В. Сорокин, Н. А. Шелепин. - Текст : непосредственный : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2025. - № 2(198). - С. 41-51. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82850893 (дата обращения: 09.10.2025).
Авторы:	Сорокин, Д. В., Шелепин, Н. А.
Ключевые слова:	ЭНП, КМОП, ОЗУ, Энергонезависимая память, NVM, CMOS, NON-VOLATILE MEMORY, RAM
Аннотация:	В обзоре представлен комплексный анализ конструктивно-технологических особенностей интеграции различных типов энергонезависимой памяти в технологический базис КМОП СБИС. Исследованы фундаментальные принципы функционирования и структурные характеристики наиболее распространенных архитектур энергонезависимой памяти: FLASH, EEPROM, SONOS, FeRAM, MRAM и резистивной (ReRAM, PCM) памяти. Детально рассмотрен базовый маршрут изготовления субмикронных КМОП СБИС с разделением на этапы FEOL и BEOL. На основе анализа современной научно-технической литературы выявлены ключевые проблемы и технологические ограничения при встраивании каждого типа памяти, включая термическую несовместимость, материаловедческие аспекты, необходимость введения дополнительных фотолитографических операций и модификацию существующих технологических процессов. Систематизированы современные методы преодоления указанных ограничений, в частности, применение низкотемпературных методов осаждения, оптимизация термических режимов, использование барьерных слоёв и специальных архитектурных решений. Представленные результаты имеют существенное значение для разработки новых технологических маршрутов и оптимизации существующих процессов изготовления интегральных схем с встроенной энергонезависимой памятью
Поиск:	Источник
Ссылка на ресурс:	https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82850893

Микроконтроллер на базе ядра SCR1 / А. К. Аполихин, М. А. Барабанов, А. А. Григорьева [и др.]. - Текст : непосредственный : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2025. - № 2(198). - С. 27-31. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82850891 (дата обращения: 09.10.2025).
Авторы:	Аполихин, А. К., Барабанов, М. А., Григорьева, А. А., Демичев, С. С., Калёнов, А. Д., Мордыга, А. Р., Насруллаев, С. О., Русановский, Б. В., Силантьев, А. М.
Ключевые слова:	Микроконтроллеры, АЦП, MICROCONTROLLER, ADC, MPW, SCR1, RISC-V
Аннотация:	В статье представлено архитектурное и топологическое представления разработанного микроконтроллера на базе вычислительного ядра SCR1, 2 UART, 1 SPI, 32 портами GPIO и 14-разрядным АЦП по технологии HCMOS8D на основе сервиса MPW
Поиск:	Источник
Ссылка на ресурс:	https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82850891

Исследование зависимости высокочастотных характеристик схем на основе КМОП КНИ-технологии «90 нм» от параметров конструкции межсоединений транзисторов / А. А. Мошаров, Г. В. Баранов, С. С. Гусев [и др.]. - Текст : непосредственный : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2025. - № 2(198). - С. 32-40. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82850892 (дата обращения: 09.10.2025).
Авторы:	Мошаров, А. А., Баранов, Г. В., Гусев, С. С., Нуштаев, А. В., Котляров, Е. Ю., Панасенко, П. В.
Ключевые слова:	КМОП, КНИ, BEOL, FEOL, СВЧ, Межсоединения, CMOS, SOI, MMIC, FET INTERCONNECTS
Аннотация:	На основе электромагнитного моделирования исследованы различные топологии межсоединений транзисторов, реализованных в нижних слоях металлизации и поликремния КНИ-технологии с проектными нормами 90 нм. Целью работы являлась оптимизация конструкций межсоединений транзисторов для минимизации потерь и последующего включения полученных данных в параметризованные ячейки комплекта средств проектирования. В результате анализа выявлены характерные особенности ослабления коэффициента передачи в структурах, предназначенных для усилительных и переключательных транзисторов с различными вариантами реализации межсоединений
Поиск:	Источник
Ссылка на ресурс:	https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82850892