Найдено документов - 1 | Источник: Модификация Si, имплантированного Zn, путем облучения быстрыми ионами Xe / В. В. Привезенцев, В. А. Скуратов, В. С. Куликаускас [и др.]. - Текст : электронный // ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХ... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Номер журнала
ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. 9. - Москва : ИКЦ Академкнига, 2018. - Текст : электронный.