| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. 3. - Москва : Наука, 2018. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
Влияние имплантации ионов zn+ на процесс зарядки сапфира электронным пучком / А. А. Татаринцев, В. В. Привезенцев, Э. И. Рау, А. В. Горячев. - Текст : электронный
// ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. - Москва : Наука, 2018. - № 3. - С. 47-51. - URL: https://eivis.ru/browse/article/50757966/viewer?udb=12 (дата обращения: 18.06.2025). - Режим доступа: подписка МИЭТ.
// ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. - Москва : Наука, 2018. - № 3. - С. 47-51. - URL: https://eivis.ru/browse/article/50757966/viewer?udb=12 (дата обращения: 18.06.2025). - Режим доступа: подписка МИЭТ.
Авторы: Татаринцев, А. А., Привезенцев, В. В., Рау, Э. И., Горячев, А. В.
Ключевые слова: Ионное облучение, Сапфир, Имплантация, Потенциал, Электронное облучение, Ионы
Аннотация: Рассмотрено влияние имплантированных в монокристалл сапфира ионов Zn на кинетику достижения равновесного состояния поверхностного потенциала и токовых характеристик. С целью рассмотрения влияния состояния поверхности на процесс зарядки диэлектрика один из образцов был отожжен в атмосфере кислорода для образования ZnO на поверхности. Полученные результаты показывают существенное увеличение скорости достижения равновесного потенциала поверхности после ионной имплантации. Для понимания полученных результатов была измерена зависимость концентрации легирующей примеси по глубине кристалла. Обсуждаются возможные механизмы, влияющие на изменение кинетики достижения потенциала
Для просмотра необходимо войти в личный кабинет