| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. 6. - Москва : Наука, 2018. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
Румянцев, А. В. (Автор МИЭТ).
Моделирование распыления вторично осажденного кремния при воздействии фокусированным ионным пучком / А. В. Румянцев, Н. И. Боргардт, Р. Л. Волков. - Текст : электронный
// ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. - Москва : Наука, 2018. - № 6. - С. 102-107. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=35357804 (дата обращения: 04.12.2018).
Моделирование распыления вторично осажденного кремния при воздействии фокусированным ионным пучком / А. В. Румянцев, Н. И. Боргардт, Р. Л. Волков. - Текст : электронный
// ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. - Москва : Наука, 2018. - № 6. - С. 102-107. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=35357804 (дата обращения: 04.12.2018).
Авторы: Румянцев, А. В., Боргардт, Н. И., Волков, Р. Л.
Ключевые слова: Моделирование, Распыление ионным пучком, Фокусированный ионный пучок
Аннотация: С использованием различных моделей поверхностной энергии связи атомов кремния и галлия выполнено моделирование методом Монте-Карло процессов распыления переосажденного и кристаллического кремния при воздействии фокусированного пучка ионов галлия. Значения коэффициентов распыления и профили распределения атомов галлия в образце, вычисленные для различных энергий ионов, сравнивались с экспериментальными данными. Установлено, что наилучшее согласие с совокупностью этих данных позволяет достичь введенная модель поверхностной энергии связи атомов Si и Ga, учитывающая образование преципитатов галлия в приповерхностной области образца
Для просмотра необходимо войти в личный кабинет