Электронно-микроскопические исследования влияния отжига на тонкие пленки GE–SB–TE, полученные методом вакуумно-термического испарения / Ю. С. Зыбина, Н. И. Боргардт, П. И. Лазаренко [и др.]. - Текст : электронный
// ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. - Москва : ИКЦ Академкнига, 2019. - № 10. - С. 82-87. - URL: https://eivis.ru/browse/article/55054607/viewer?udb=12 (дата обращения: 18.056.2025). - Режим доступа: подписка МИЭТ.

Аннотация: Методами просвечивающей электронной микроскопии показано, что отжиг осажденных методом вакуумно-термического испарения аморфных пленок Ge2Sb2Te5 при температуре 250°C приводит к формированию в них гексагональной фазы с характерной блочной структурой. При этом на их поверхности образуются островковые дефекты, представляющие собой кубическую модификацию Sb2O3. Размеры этих дефектов и доля занимаемой ими площади оценены с использованием изображений растровой электронной микроскопии. Фактором, способствующим появлению кристаллитов оксида сурьмы, является возникающее при формировании исходной пленки обогащение ее поверхностной области сурьмой, которая окисляется во время отжига. Благодаря формированию дефектов состав пленки в локальных областях в их окрестности изменяется и становится близким к стехиометрическим значениям для соединения Ge3Sb2Te6