Формирование наночастиц в Si, имплантированном ионами цинка и кислорода с последующим отжигом в вакууме / В. В. Привезенцев, А. Н. Палагушин, В. С. Куликаускас [и др.]. - Текст : электронный
// ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. - М. : ИКЦ Академкнига, 2021. - № 5. - С. 47-55. - URL: https://eivis.ru/browse/article/68013853/viewer?udb=12 (дата обращения: 16.06.2025). - Режим доступа: подписка МИЭТ.

Аннотация: В работе представлено формирование наночастиц в кремнии, последовательно легированном ионами Zn и О и отожженном в вакууме. Пластины n-типа Si с ориентацией (100) толщиной 380 нм и диаметром 76 мм, выращенного методом Чохральского, были имплантированы ионами 64Zn+ с дозой 5 × 1016 cм–2 и энергией 50 кэВ, и ионами 16О+ с дозой 2 × 1017 cм–2 и энергией 20 кэВ. При имплантации ионный ток не превышал 0.5 мкА/см2, чтобы перегрев пластин по сравнению с комнатной температурой не превышал 50°С. Далее пластины резались на образцы размером 10 × 10 мм и отжигались при температурах от 400 до 900°С с шагом в 100°С в вакууме в течение 30 мин. Обнаружено, что после имплантации в Si образуется аморфизованный слой толщиной около 150 нм, в котором формируются аморфные наночастицы Zn и О с размером около 5 нм. По мере термообработок радиационные дефекты отжигаются, а толщина аморфизованного слоя уменьшается. После отжига при 700°С на спектре фотолюминесценции образуется пик на длине волны 370 нм, обусловленный образованием наночастиц фазы ZnO. После отжига при 900°С этот пик пропадает, а на спектре фотолюминесценции появляется пик на длине волны 425 нм, обусловленный появлением фазы Zn2SiO4