МегаПро

Сортировать по:

1. Статья из журнала

Характеризация зернистой структуры эпитаксиального слоя низкотемпературного GAAS на подложке SI(100) методами электронной микроскопии / В. А. Сазонов, Н. И. Боргардт, В. Н. Кукин, И. П. Казаков. - Текст : электронный
// ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. - Москва : ИКЦ Академкнига, 2022. - № 7. - С. 57-64. - URL: https://eivis.ru/browse/article/78756415/viewer?udb=12 9дата обращения: 16.06.2025). - Режим доступа: подписка МИЭТ.

Авторы: Сазонов, В. А., Боргардт, Н. И., Кукин, В. Н., Казаков, И. П.

Ключевые слова: Низкотемпературный GaAs, Просвечивающая электронная микроскопия, Зернистая структура, Цифровая обработка изображений, Визуализация межзеренных границ

Аннотация: Методами просвечивающей электронной микроскопии исследована кристаллическая зернистая структура эпитаксиального слоя низкотемпературного GaAs, выращенного на подложке Si(100). Размеры зерен определены с использованием серий изображений при малых углах наклона образца вокруг направлений Si[110] и Si[11¯0]. Установлено, что межзеренные границы можно однозначно выявить после цифровой обработки изображений, которые получены в светлопольном режиме просвечивающего электронного микроскопа и с использованием электронов, рассеянных на небольшие углы в режиме просвечивающей растровой электронной микроскопии. Продемонстрирована эффективность полуавтоматизированного способа выявления межзеренных границ, с использованием которого построена и проанализирована гистограмма распределения зерен по их латеральным размерам

Источник

Формат MARC21

Для просмотра необходимо войти в личный кабинет

Копирование биб.описания в буфер обмена