Найдено документов - 2 | Статьи из номера журнала: ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. 11. - Москва : ИКЦ Академкнига, 2023. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
Подготовка поверхности термоэлементов и исследование омических пленочных контактов, сформированных на ней различными способами / М. Ю. Штерн, А. А. Шерченков, Ю. И. Штерн [и др.]. - Текст : электронный
// ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. - Москва : ИКЦ Академкнига, 2023. - № 11. - С. 33-43. - URL: https://eivis.ru/browse/article/88622687/viewer?udb=12 (дата обращения: 16.06.2025). - Режим доступа: подписка МИЭТ.
// ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. - Москва : ИКЦ Академкнига, 2023. - № 11. - С. 33-43. - URL: https://eivis.ru/browse/article/88622687/viewer?udb=12 (дата обращения: 16.06.2025). - Режим доступа: подписка МИЭТ.
Авторы: Штерн, М. Ю., Шерченков, А. А., Штерн, Ю. И., Рогачев, М. С., Корчагин, Е. П.
Ключевые слова: Термоэлектрические материалы, Омические контакты, Подготовка поверхности, Способы получения пленок, Удельное электрическое сопротивление, Контактное электрическое сопротивление, Адгезионная прочность
Аннотация: Предложены способы и установлены критерии подготовки поверхности наноструктурированных термоэлектрических материалов для нанесения тонко- и толстопленочных омических контактов. Установлены параметры механического и химического способов обработки поверхности термоэлектрических материалов перед нанесением контактов. Исследованы шероховатость и морфология поверхности образцов термоэлектрических материалов и полученных пленок. Установлены критерии и оптимальные значения шероховатости поверхности термоэлектрических материалов. Определены режимы получения тонко- и толстопленочных контактов. Тонкопленочные контакты (толщиной до 300 нм) получали магнетронным напылением Ni. Толстопленочные контакты формировали химическим и электрохимическим осаждением Ni. Полученные пленки содержали различное количество никеля в составе. Удельное электрическое сопротивление пленок Ni, полученных химическим осаждением, значительно выше, чем для пленок Ni, полученных электрохимическим осаждением. Удельное контактное сопротивление системы металл–термоэлектрический материал в случае нанесения пленок Ni магнетронным напылением оказалось наименьшим среди рассмотренных образцов. А в случае нанесения контактов химическим осаждением сравнимо с таковым для пленок Ni, сформированных электрохимическим осаждением. Адгезионная прочность пленок Ni, полученных различными способами, имеет высокие значения, превосходящие отраслевой стандарт для пленочных покрытий в микроэлектронике. По электрофизическим свойствам и адгезионной прочности все полученные омические контакты удовлетворяют требованиям, предъявляемым к конструкции эффективных термоэлементов
Для просмотра необходимо войти в личный кабинет
2. Статья из журнала
Моделирование многослойных систем с перестраиваемыми оптическими характеристиками / Н. М. Толкач, Н. В. Вишняков, В. Г. Литвинов [и др.]. - Текст : электронный
// ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. - Москва : ИКЦ Академкнига, 2023. - № 11. - С. 44-52. - URL: https://eivis.ru/browse/article/88622688/viewer?udb=12 (дата обращения: 16.06.2025), - Режим доступа: подписка МИЭТ.
// ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ. - Москва : ИКЦ Академкнига, 2023. - № 11. - С. 44-52. - URL: https://eivis.ru/browse/article/88622688/viewer?udb=12 (дата обращения: 16.06.2025), - Режим доступа: подписка МИЭТ.
Авторы: Толкач, Н. М., Вишняков, Н. В., Литвинов, В. Г., Шерченков, А. А., Трусов, Е. П., Глухенькая, В. Б., Пепеляев, Д. В.
Ключевые слова: Фазовые переходы, Ge–Sb–Te, Аморфное состояние, Кристаллическое состояние, Полностью оптическая маршрутизация, Многослойные наносистемы, Пропускательная способность, Отражательная способность, Нелинейная оптимизация, Целевая функция, Оптические потери
Аннотация: Материалы с фазовым переходом МФП, в частности халькогенидные стеклообразные полупроводники и соединения из системы Ge–Sb–Te представляют интерес для применения в оптических технологиях обработки информации. Уникальность этих материалов состоит в том, что они обладают низкоэнергетичным, быстрым и обратимым фазовым переходом, приводящим к значительному изменению показателя преломления в инфракрасной области оптического спектра. Модельные расчеты, проведенные в настоящей работе, позволили исследовать трансформацию оптических свойств в многослойных системах, состоящих из слоев SiO2, Si, Si3N4 и активного слоя из МФП материала с фазовым переходом при изменении его фазового состояния. Целью этих исследований ставилось выполнение условия наименьших оптических потерь при пропускании и отражении излучения 1550 нм в таких системах в случае аморфного и кристаллического состояния активного слоя соответственно. В результате была спроектирована наиболее удовлетворяющая указанным условиям девятислойная система “SiO2//111 нм Si/277 нм SiO2/111 нм Si/251 нм SiO2/10 нм Ge2Sb2Se4Te/241 нм SiO2/110 нм Si/276 нм SiO2/112 нм Si//SiO2”
Для просмотра необходимо войти в личный кабинет