| Найдено документов - 50 | Новые поступления | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Патенты, ГОСТы
| Разработка и серийное освоение технологий корпусирования высокопроизводительных микросхем в многовыводные полимерные корпуса : Отчет по ОКР (Книга 6): Т-корпус-П / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; главный конструктор Вертянов Д. В., научный руководитель Тимошенков С. П. - Москва, 2025. - 1422-1723 л. (кн. 6). - №ГР НИОКТР 123112900055-9. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, Многовыводные полимерные корпуса, Технология FLIP-CHIP, Технология UBM, Шариковые выводы, PBGA, FC-BGA, HFCBGA |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |
2. Патенты, ГОСТы
| Разработка и серийное освоение технологий корпусирования высокопроизводительных микросхем в многовыводные полимерные корпуса : Отчет по ОКР (Книга 5): Т-корпус-П / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; главный конструктор Вертянов Д. В., научный руководитель Тимошенков С. П. - Москва, 2025. - 1104-1421 л. (кн. 5). - №ГР НИОКТР 123112900055-9. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, Многовыводные полимерные корпуса, Технология FLIP-CHIP, Технология UBM, Шариковые выводы, PBGA, FC-BGA, HFCBGA |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |
3. Патенты, ГОСТы
| Разработка и серийное освоение технологий корпусирования высокопроизводительных микросхем в многовыводные полимерные корпуса : Отчет по ОКР (Книга 4): Т-корпус-П / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; главный конструктор Вертянов Д. В., научный руководитель Тимошенков С. П. - Москва, 2025. - 868-1103 л. (кн. 4). - №ГР НИОКТР 123112900055-9. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, Многовыводные полимерные корпуса, Технология FLIP-CHIP, Технология UBM, Шариковые выводы, PBGA, FC-BGA, HFCBGA |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |
4. Патенты, ГОСТы
| Интегральные устройства нанофотоники на основе изменяющих фазовое состояние халькогенидных полупроводниковых материалов : Отчет о НИР (заключительный) : 367-РНФ-Ин-т ПМТ / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; научный руководитель Лазаренко П. И. - Москва, 2023. - 49 л. - НИОКТР АААА-А20-120092390090-9. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, Материалы активной фотоники, Халькогенидные материалы, Кольцевые микрорезонаторы, Фотонные интегральные схемы, Метаповерхности, Инженерия поверхности |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |
5. Патенты, ГОСТы
| Разработка и серийное освоение технологий корпусирования высокопроизводительных микросхем в многовыводные полимерные корпуса : Отчет по ОКР (Книга 3): Т-корпус-П / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; главный конструктор Вертянов Д. В., научный руководитель Тимошенков С. П. - Москва, 2025. - 557-867 л. (кн. 3). - №ГР НИОКТР 123112900055-9. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, Многовыводные полимерные корпуса, Технология FLIP-CHIP, Технология UBM, Шариковые выводы, PBGA, FC-BGA, HFCBGA |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |
6. Патенты, ГОСТы
| Разработка и серийное освоение технологий корпусирования высокопроизводительных микросхем в многовыводные полимерные корпуса : Отчет по ОКР (Книга 2): Т-корпус-П / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; главный конструктор Вертянов Д. В., научный руководитель Тимошенков С. П. - Москва, 2025. - 321-556 л. (кн. 2). - №ГР НИОКТР 123112900055-9. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, Многовыводные полимерные корпуса, Технология FLIP-CHIP, Технология UBM, Шариковые выводы, PBGA, FC-BGA, HFCBGA |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |
7. Патенты, ГОСТы
| Разработка и серийное освоение технологий корпусирования высокопроизводительных микросхем в многовыводные полимерные корпуса : Отчет по ОКР (Книга 1): Т-корпус-П / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; главный конструктор Вертянов Д. В., научный руководитель Тимошенков С. П. - Москва, 2025. - 1-320 л. (кн. 1). - №ГР НИОКТР 123112900055-9. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, Многовыводные полимерные корпуса, Технология FLIP-CHIP, Технология UBM, Шариковые выводы, PBGA, FC-BGA, HFCBGA |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |
8. Патенты, ГОСТы
| Модели методы анализа фазового шума сети питания в трехмерных интегральных схемах и системах : Отчет о НИР (заключительный) : 427-РНФ-ПКИМС / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; научный руководитель Коршунов А. В. - Москва, 2024. - 44 л. - №ГР НИОКТР 123020800175-3. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, Отчет по ОКР, Фазовый шум, Джиттер, PSIJ, Сеть питания, PDN, PSRR, 3D интеграция, IBIS-модель, LDO-модулятор, Схемотехническое моделирование, КМОП-буфер, CML-буфер, Целостность сигнала |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |
9. Патенты, ГОСТы
| Психологические технологии вовлечения и развития персонала организации в условиях дефицита кадров : Отчет о НИР (заключительный) : 469-Иниц.-Ин-т психологии / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; научный руководитель Нестерова О. В. - Москва, 2025. - 93 л. - №ГР НИОКТР 124122800063-3. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, Мотивационный профиль работника, Молодой специалист, Мотивации, Ситуационные факторы мотивации, Вовлечение персонала, Дефицит кадров, Психологические технологии |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |
10. Патенты, ГОСТы
| Разработка конструкции транзисторных гетероструктурна основе p-GaN/AlGaN/GaN для создания полумостового силового каскада на высоковольтных транзисторах : Отчет о НИР (промежуточный) : 473-ГЗ-НИЛ ЭБСЭ / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; научный руководитель Царик К. А. - Москва, 2025. - 127 л. - №ГР НИОКТР 125060506794-7. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, Нитрид галлия, Двумерный электронный газ, Силовой GAN транзистор, Моделирование транзистора |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |
11. Патенты, ГОСТы
| Специализированные СФ-блоки для отечественных систем на кристалле на основе архитектуры RISC-V : Отчет о НИР (промежуточный) : 472-ГЗ-НИЛ ЭСК / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; научный руководитель Коршунов А. В. - Москва, 2025. - 158 л. - №ГР НИОКТР 125060506786-2. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, СФ-блоки, Системы на кристалле, Перефирийные вычисления, EDGE AI, Импульсные нейронные сети, Энергоэффективность |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |
12. Патенты, ГОСТы
| Разработка физико-технологических основ и создание эффективных многосекционных термоэлементов для радиоизотопных термоэлектрических генераторов, предназначенных для автономного электроснабжения труднодоступных территорий, в том числе Северного морского пути : Отчет о НИР (промежуточный, этап 2) : 462-ГЗ-НИЛ ТМС / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; научный руководитель Штерн М. Ю. - Москва, 2025. - 58 л. - №ГР НИОКТР 124062400052-0. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, Многосекционные термоэлементы, Термоэлектрические генераторы, Наноструктурированные термоэлектрические материалы, Фононная теплопроводность, Радиоизотопные термоэлектрические генераторы, Автономное электроснабжение, Северный морской путь, Модель Дебая |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |
13. Патенты, ГОСТы
| Разработка моделей и методов автоматизации проектирования интегральных схем на основе кремниевых нанотранзисторов : Отчет о НИР (промежуточный, этап 2) : 460-ГЗ-НИЛ ПСС / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; научный руководитель Рыжова Д. И. - Москва, 2025. - 77 л. - №ГР НИОКТР 124062400048-3. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, Кремниевый нанотранзистор, Открытый маршрут проектирования, САПР, FinFET, GAA-FET, PDK |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |
14. Патенты, ГОСТы
| Физико-технологические основы формирования и диагностика перспективных наноматериалов и наноструктур для функциональной электроники и сенсорики : Отчет о НИР (промежуточный, этап 3) : 418-ГЗ-НИЛ-ТНМ / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; научный руководитель Гаврилов С. А. - Москва, 2025. - 122 л. - №ГР НИОКТР 123020600183-0. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, Перспективные наноматериалы, Наноструктуры для функциональной электроники, Сенсорика, Спинтроника, Электронная микроскопия, Аккумулятор |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |
15. Патенты, ГОСТы
| Разработка методов контроля элементной базы квантовых компьютеров с учетом декогерентизации и квантовых шумов : Отчет о НИР (заключительный) : 477-МОЛ.ИССЛ.-Ин-т ИнЭл / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; научный руководитель Богданов Ю. И. - Москва, 2025. - 67 л. - №ГР НИОКТР 125052606374-5. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, Квантовые вычисления, NISQ-технологии, Квантовая томография, Квантовые шумы |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |
16. Патенты, ГОСТы
| Разработка процесса селективного плазмохимического травления слоя P-GaN в технологии формирования силового нормально-закрытого транзистора на основе гетероструктуры AlGaN/GaN : Отчет о НИР (заключительный) : 483-МОЛ.ИССЛ.-Ин-т ИнЭл / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; научный руководитель Неженцев А. В. - Москва, 2025. - 35 л. - №ГР НИОКТР 125052606381-3. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, Нормально-закрытый силовой транзистор, Плазмохимическое травление, p-GaN |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |
17. Патенты, ГОСТы
| Исследование и оценка уровня производственно-экологической безопасности производства полупроводниковых материалов : Отчет о НИР (промежуточный, этап 1): 475-Иниц.-Ин-т ПМТ / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; научный руководитель Рябышенков А. С. - Москва, 2025. - 37 л. - №ГР НИОКТР 125050705890-6. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, Производственно-экологическая безопасность, Окружающая среда, Эколого-экономический ущерб, Системный анализ, Производство полупроводниковых материалов, Техногенное воздействие, Санитарно-защитная зона |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |
18. Патенты, ГОСТы
| Разработка метода изготовления интегрируемых планарных аккумуляторов с композитными электродными материалами : Отчет о НИР (заключительный): 479-МОЛ.ИССЛ.-Ин-т ПМТ / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; научный руководитель Лебедев Е. А. - Москва, 2025. - 39 л. - №ГР НИОКТР 125052606376-9. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, Планарный аккумулятор, Интегрируемые аккумуляторы, Электрофоретическое осаждение, Электрохимическое осаждение, Гель-полимерный электролит, Литий-ионный аккумулятор |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |
19. Патенты, ГОСТы
| Исследование процедур декодирования LDPCкодов на основе нейросетевых решений для сетей мобильной связи следующего поколения : Отчет о НИР (заключительный): 480-МОЛ.ИССЛ.-ТКС / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; научный руководитель Волков А. С. - Москва, 2025. - 47 л. - №ГР НИОКТР 125052606377-6. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, LDPC, Декодирование, Машинное обучение, Нейросети, Мобильные системы связи, Помехоустойчивые коды |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |
20. Патенты, ГОСТы
| Исследование функциональных свойств высокоомных неупорядоченных фазопеременных полупроводников : Отчет о НИР (заключительный): 476-МОЛ.ИССЛ.-ПИШ / Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; научный руководитель Якубов А. О. - Москва, 2025. - 46 л. - №ГР НИОКТР 125052606373-8. - Текст : непосредственный. | |
| Пункты книговыдачи: | 1дсп |
| Ключевые слова: | Отчет о НИР, Запоминающие устройства, Фазовая память, Халькогенидные полупроводники, Топология ИМС |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: дсп-1 |