| Найдено документов - 1 | Источник: Исследование зависимостей входных параметров нормально-закрытого GaN-НЕМТ-транзистора от режимов работы в гигагерцовом диапазоне / А. И. Хлыбов, Д. В. Родионов, В. И. Егоркин [и др.]. - Текст : ... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Номер журнала
ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 6. - Москва : МИЭТ, 2024. - URL: https://elib.miet.ru (дата обращения: 25.02.2025). - Режим доступа: для зарегистрированных читателей библиотеки МИЭТ. - Текст : электронный : непосредственный.
Экземпляры: Всего: 1, из них: чз(Архив)-1
Для просмотра необходимо войти в личный кабинет