| Найдено документов - 1 | Источник: Бардушкин, А. В. (Автор МИЭТ, Ин-т ФПМ; Bardushkin, A. V.). Моделирование напряженного состояния структур por-Si-H2O в окрестности точки фазового перехода воды / А. В. Бардушкин, В. Б. Яковлев. -... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Номер журнала
ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 2. - Москва : МИЭТ, 2025. - URL: https://elib.miet.ru (дата обращения: 07.05.2025). - Режим доступа: для зарегистрированных читателей библиотеки МИЭТ. - Текст : электронный : непосредственный.
Экземпляры: Всего: 1, из них: чз(Архив)-1
Для просмотра необходимо войти в личный кабинет