| Найдено документов - 1 | Источник: Карцев, С. И. (Автор МИЭТ (аспирант); Kartsev, S. I.). Моделирование и исследование сверхвысокочастотного транзистора с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктуры нитрида галлия со... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Номер журнала
| ЭЛЕКТРОННЫЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ. 2. - Москва : НТЦ ЭЛИНС, 2025. - Текст : электронный. | |
| Поиск: | Статьи из номера журнала (сборника) Источник |