Система автоматизированного проектирования ИС, основанная на генеративно-состязательной и искусственной глубокой нейронных сетях / В. Ш. Меликян, А. В. Вардумян, А. Г. Арутюнян [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 5. - С. 612-620.

Аннотация: В настоящее время проектирование ИС выполняется вручную и зависит от знаний инженера в данной области. Минимизация технологий привела к более сильному влиянию вторичных эффектов на рабочие характеристики схемы и в конечном счете еще более усложнила процесс проектирования, что обусловило необходимость автоматизации проектирования. Методы эвристического роевого интеллекта, основанные на высокоточном моделировании, а также методы машинного обучения и искусственного интеллекта позволяют заменить дорогостоящее моделирование оценкой производительности с помощью нейронных сетей, точность которых зависит от разнообразия и большого количества обучающих данных, не доступных для большинства задач проектирования. В работе предложена система автоматизации проектирования ИС, включающая в себя генеративно-состязательную сеть с подсчетом потерь Вассерштейна и градиентным штрафом в сочетании с матрицей коэффициентов ранговой корреляции Спирмена для управляемой генерации обучающих данных для прогнозирующей сети. Показано, что система не требует наличия огромного количества данных, использует для оценки производительности глубокую нейронную сеть, которая переобучается в процессе оптимизации, а для глобального исследования поискового пространства – генетический алгоритм. Применение спроектированного высокопроизводительного декодера со смешанной логикой и двухкаскадного операционного усилителя показало работоспособность системы автоматизированного проектирования ИС

Сидоренко Анатолию Сергеевичу - 70 лет. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 5. - С. 702.

Аннотация: 15 сентября 2023 г. исполнилось 70 лет Анатолию Сергеевичу Сидоренко, ученому в области физики конденсированных сред и низкоразмерных сверхпроводников, академику Академии наук Молдовы

Селищеву Сергею Васильевичу - 70 лет. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 5. - С. 701.

Аннотация: 4 сентября 2023 г. исполнилось 70 лет Сергею Васильевичу Селищеву, ученому в области биомедицинской инженерии и прикладной физики, доктору физико-математических наук, профессору

Ефанов, Д. В.
Самодвойственные отказоустойчивые структуры с контролем вычислений по паритету. I. Структуры на основе дублирования и метода логической коррекции сигналов / Д. В. Ефанов, Т. С. Погодина. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 5. - С. 670-686.

Аннотация: Отказоустойчивые цифровые устройства синтезируют, как правило, с применением методов модульной избыточности и помехоустойчивого кодирования состояний. Однако такие подходы не учитывают специфики структур исходных объектов. Решение задачи синтеза отказоустойчивых устройств может быть найдено за счет применения при их построении схем встроенного контроля и метода логической коррекции сигналов при синтезе блока фиксации искаженных сигналов. В работе для сокращения структурной избыточности отказоустойчивого устройства использованы методы булевой алгебры, теории информации и кодирования. Рассмотрены самодвойственные отказоустойчивые структуры с контролем вычислений по паритету, которые функционируют в импульсном режиме и требуют для работы временнóй избыточности. Применение таких структур может служить альтернативой использованию метода внесения тройной модульной избыточности и коррекции ошибок мажоритарными элементами. Представленные структуры выполнены с контролем вычислений основным (исходным) устройством либо дополнительным со схемой сжатия по паритету и с преобразованием единственного контрольного сигнала в самодвойственный сигнал. Для двух самодвойственных структур использовано дублирование с дополнительным контролем вычислений, для трех других структур использован метод логической коррекции сигналов при реализации блока фиксации искаженных сигналов без применения методов внесения модульной избыточности. Для каждой самодвойственной отказоустойчивой структуры приведены выражения с целью определения показателей сложности их реализации в общем виде. Даны выражения для оценки эффективности применения каждой из структур. Установлено, что описанные самодвойственные отказоустойчивые структуры с контролем вычислений по паритету во многих случаях дают более простые с точки зрения избыточности устройства, чем структуры, выполненные по традиционному методу внесения тройной модульной избыточности с мажоритарной коррекцией сигналов. Они могут быть использованы на практике при создании вычислительных устройств и систем на современной программируемой элементной базе

Моделирование процессов распыления материала и имплантации галлия при воздействии фокусированного ионного пучка на кремниевую подложку / О. В. Подорожний, А. В. Румянцев, Р. Л. Волков, Н. И. Боргардт. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 5. - С. 555-568.

Аннотация: Выявление закономерностей взаимодействия ускоренных ионов с облучаемым материалом на основе моделирования методом Монте-Карло способствует эффективному применению метода фокусированного ионного пучка в современных нанотехнологиях. Корректность результатов вычислений зависит от модели и параметров, определяющих поверхностную энергию связи распыляемых атомов. В работе для нахождения поверхностной энергии связи использована дискретно-непрерывная модель, позволяющая учитывать образование преципитатов галлия при облучении кремниевой подложки ионами галлия. Для сравнения результатов моделирования с экспериментальными данными распыления материала методом фокусированного ионного пучка приготовлены два типа прямоугольных углублений. Углубления первого типа сформированы при одинаковой дозе ионов пучка, близкой к 5∙10(17) смˉ² и соответствующей стационарному режиму распыления, и при ускоряющих напряжениях 8, 16 и 30 кВ. Углубления второго типа сформированы при энергии ионов 30 кэВ и дозах 2,5∙10(16); 5∙10(16); 1∙10(17) смˉ². Поперечные сечения углублений исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии. С помощью R-фактора проведено сравнение коэффициента распыления и профилей распределения атомов галлия по глубине, вычисленных в программном пакете SDTrimSP 5.07, с экспериментальными данными. Определены два набора значений для варьируемых величин: поверхностной энергии связи атомов галлия и параметра α(1) дискретно-непрерывной модели. Первый набор значений с приемлемой точностью описывает данные эксперимента при небольшом количестве имплантированных атомов галлия, что реализуется для малых доз ионов, а также при энергии пучка 8 кэВ и дозе 5∙10(17) смˉ². Второй набор оптимален для описания взаимодействия ионного пучка с подложкой при энергиях ионов 16 и 30 кэВ в стационарном режиме распыления

Миниатюрный стандарт частоты на основе КПН в Cs / А. Ф. Курчанов, С. Н. Слюсарев, С. Н. Овчинников, А. С. Сальников. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 5. - С. 649-658.

Аннотация: При исследовании резонанса когерентного пленения населенности (КПН) предполагается, что длина волны лазера установлена на пик поглощения ячейки. Однако в этом случае максимальная амплитуда квантового частотного дискриминатора не достигается и даже небольшое отклонение длины волны лазера от традиционного положения на пике поглощения может увеличить полезное действие КПН в 5 раз. Зависимости частоты КПН-резонанса, амплитуды и крутизны квантового дискриминатора на основе КПН от длины волны лазера являются существенными, но малоизученными. В связи с этим их экспериментальное изучение – перспективное направление. В работе изучены возможные режимы работы ячеек цезия Cs при создании миниатюрного стандарта частоты с объемом корпуса менее 50 см3. Исследуемые ячейки Cs имеют разный состав газа и разное давление и изготовлены с использованием разных технологий. Установлено, что все исследованные ячейки характеризуются минимальной резонансной частотой КПН на длине волны лазера, немного большей, чем на пике поглощения. Описана конструкция экспериментального образца квантового стандарта частоты с силовой объемной компоновкой электронных плат в виде «домика», внутри которого размещен экранированный термостат с квантовой газовой ячейкой. Показано, что малый размер электронных плат с паяным соединением по их периметрам гарантирует отсутствие низкочастотных мод изгибных колебаний и обеспечивает высокую механическую прочность при возможных ускорениях квантового стандарта частоты

Гагарина, Л. Г. (Автор МИЭТ, Ин-т СПИНТех).
Метод автоматизированного тестирования устройств потребительской электроники с помощью удаленного вызова процедур и облачных сервисов / Л. Г. Гагарина, А. В. Букарев. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 5. - С. 687-699.

Аннотация: В настоящее время, согласно данным аналитических агентств TAdviser и Statista, при автоматизированном производстве потребительской электроники количество ошибок ежегодно увеличивается на 24 %, что представляет собой актуальную проблему. Существующие методы и средства организации процесса тестирования программного обеспечения при автоматизированном производстве потребительской электроники недостаточно эффективны. Несмотря на то что облачные технологии улучшают процесс разработки программного обеспечения, технические аспекты тестирования еще не полностью изучены. В работе представлен метод дистанционного автоматизированного тестирования программного обеспечения устройств потребительской электроники с использованием удаленного вызова процедур Remote Procedure Call (RPC) с целью улучшить процесс, сэкономить ресурсы и увеличить масштабируемость. Исследование охватывает анализ существующих архитектурных решений, разработку модели процесса тестирования с помощью теории массового обслуживания и метода Монте-Карло. В рамках практического эксперимента создан и применен диспетчер задач, эффективно регулирующий процесс тестирования программного обеспечения устройств потребительской электроники в облачном сервисе, что позволило интегрировать существующие методы тестирования без необходимости модификации их конструкции. Такой подход способствует оптимизации процесса, уменьшению временных затрат и подтверждает успешное применение предложенного метода

Смирнов, В. И.
Исследование теплоэлектрических свойств мощных MOSFET-транзисторов / В. И. Смирнов, А. А. Гавриков. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 5. - С. 600-611.

Аннотация: MOSFET-транзисторы характеризуются способностью коммутировать большие электрические токи (десятки и сотни ампер) с высокой частотой. При этом рассеиваемая мощность достигает 1 кВт, поэтому требуется обеспечить эффективный отвод тепла от активной области кристалла и разработать соответствующие средства контроля теплового сопротивления переход – корпус. В работе представлены результаты исследований теплоэлектрических свойств мощных MOSFET-транзисторов. Исследования проведены с помощью аппаратно-программного комплекса, в котором наряду со стандартными методами измерения теплового сопротивления переход – корпус реализован модуляционный метод нагрева объекта импульсами греющего тока с гармоническим законом широтно-импульсной модуляции. Для определения температуры активной области кристалла в паузах между греющими импульсами измерен температурочувствительный, или термометрический, параметр, в качестве которого использовано напряжение между истоком и стоком. Для исключения влияния переходных электрических процессов на результаты измерений теплового сопротивления значения температурочувствительного параметра экстраполировано к моменту окончания каждого импульса греющего тока. Для экстраполяции использованы корневой и логарифмический законы изменения температурочувствительного параметра в процессе охлаждения кристалла транзистора после его импульсного нагрева. Показано, что результаты измерений компонент теплового сопротивления, полученные различными методами, хорошо согласуются между собой

Исследование влияния степени вакуумирования на добротность колебательного контура чувствительного элемента МЭМС-датчика / С. П. Тимошенков, А. С. Тимошенков, С. А. Анчутин [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 5. - С. 642-648.

Аннотация: Добротность колебательного контура чувствительного элемента МЭМС-датчика зависит от многих факторов, в том числе от геометрии чувствительного элемента и степени вакуумирования. Разрабатываемые микромеханические элементы могут выполнять задачи измерения ускорения, угловой скорости, давления и т. д. Чувствительный элемент размещают в отдельном корпусе с определенной газовой средой, состояние которой оказывает влияние на характеристики прибора. В работе предложен метод определения зависимости добротности колебательного контура чувствительного элемента МЭМС-датчика от степени вакуумирования. Представлен стенд для проведения исследований. На основе полученных экспериментальных данных проведены численные расчеты добротности. Установлено, что степень вакуумирования оказывает существенное влияние на добротность колебательного контура

Макаров, А. И.
Использование (0, μ)-свернутого произведения многомерных матриц для решения задач теории графов / А. И. Макаров, В. И. Мунерман. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 5. - С. 659-669.

Аннотация: Решения прикладных задач теории графов применяются в микроэлектронике, логистике, при проектировании систем высокой доступности и компьютерных сетей. Однако существующие решения имеют недостаточную масштабируемость, вследствие чего применяются только для узких вариаций задач: поиска кратчайшего пути из одной вершины в другую, определения существования такого пути в целом, определения связности отдельной конкретной группы вершин. В работе представлен метод решения нескольких прикладных задач теории графов, основанный на алгебре многомерных матриц. Предлагаемый метод рассмотрен в сравнении с классическими эвристическими методами. Показана возможность получения решения задач, развернутого на все вершины графа и их комбинации, в отличие от заранее выбранных в классическом варианте. Описанный метод, а именно (0, μ)-свернутое произведение матриц, может использоваться для решения задачи поиска пересечения в кликах, определения достижимости вершин в графе и числа комбинаций всех возможных клик в графе, а также для проведения проверки, является ли граф деревом

Лагунович, Н. Л.
Двумерное моделирование эмиттерного p–n+-перехода кремниевого n–p–n-транзистора в прямоугольной и цилиндрической системах координат / Н. Л. Лагунович. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 5. - С. 621-628.

Аннотация: Повышение степени интеграции микросхем обусловило необходимость моделирования полупроводниковых структур, позволяющего предварительно рассчитать их конструктивно-технологические и электрофизические параметры и уменьшить тем самым количество натурных экспериментов. Часто p–n-переход не только является основной активной частью приборов электронной техники, но и выполняет функции одной из областей приборных структур, например может быть эмиттерным переходом биполярного n–p–n-транзистора. В работе проведен сравнительный анализ результатов двумерного моделирования кремниевого p–n+-перехода в двух системах координат: прямоугольной (декартовой) и цилиндрической. Для проведения технологического моделирования исследуемой p–n+-структуры и получения ее изображения применена программа TSuprem4, входящая в состав программного комплекса фирмы Synopsys. Приборное моделирование полученной p–n+-структуры как в декартовой, так и в цилиндрической системах координат осуществлено с помощью программы Medici, также входящей в состав программного комплекса фирмы Synopsys. Получены значения электрофизических параметров исследуемого p–n+-перехода и построены его пробивные характеристики. Для рассматриваемой структуры разница в значениях конструктивно-технологических параметров при моделировании в двух системах координат составляет от 2,6 до 7,4 %, в значениях электрофизических параметров – от 1,0 до 1,5 %. Полученные различия в результатах вычислений незначительны. Следовательно, исследованную структуру можно моделировать в обеих системах координат с достаточно высокой степенью точности

Входные каскады программируемых быстродействующих операционных усилителей на основе базового матричного кристалла MH2XA031 / О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Н. Н. Прокопенко, В. Е. Чумаков. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 5. - С. 629-641.

Аннотация: Операционный усилитель OAmp9, разработанный на базовом матричном кристалле МН2ХА031, содержащем комплементарные биполярные транзисторы, позволяет программировать такие параметры, как ток потребления, максимальный выходной ток, полоса пропускания, скорость нарастания выходного напряжения. В работе описаны возможности дальнейшего увеличения максимальной скорости нарастания выходного напряжения операционного усилителя OAmp9. Рассмотрено, как и для модифицированной схемы операционного усилителя OAmp9.1, применение дифференцирующих цепей коррекции, которые форсируют процессы перезаряда паразитных емкостей в цепи базы выходных транзисторов входного каскада. При этом за счет увеличения обратного напряжения на изолирующих p–n-переходах этих выходных транзисторов уменьшена их паразитная коллекторная емкость. Показан схемотехнический прием повышения быстродействия операционного усилителя на основе двух комплементарных «перегнутых» каскадов, который исключает динамическую перегрузку промежуточного каскада и ускоряет переходные процессы в режиме большого сигнала в модифицированной схеме операционного усилителя OAmp9.2. Приведены электрические схемы и результаты сравнительного моделирования двух модифицированных входных каскадов в структуре операционных усилителей OAmp9.1 и OAmp9.2, которые характеризуются соответственно напряжением смещения нуля 0,08 и 0,11 мВ, коэффициентом усиления напряжения 1,4·104 и 1,4·103, произведением коэффициента усиления напряжения на ширину полосы пропускания 655 и 298 МГц, скоростью нарастания выходного напряжения 689 и 868 В/мкс

Дюжев, Н. А. (Автор МИЭТ, ЦКП МСТиЭКБ).
Вакуумная наноэлектроника на основе полупроводниковых автоэмиссионных структур: текущее состояние и перспективы развития. Обзор / Н. А. Дюжев, И. Д. Евсиков. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 5. - С. 569-599.

Аннотация: Развитие полупроводниковой интегральной технологии и переход к нанометровому разрешению литографического процесса обусловили разработку полупроводниковых автоэмиссионных структур. Однако широкого внедрения в производство и коммерциализации комплекс технологий изготовления автоэмиссионных устройств в настоящее время не получил из-за их малого срока эксплуатации и недостаточной стабильности работы. В работе проведен сравнительный анализ полученных на сегодняшний день значимых результатов по разработке полупроводниковых автоэмиссионных структур с наноразмерным каналом проводимости с целью оценки текущего состояния и перспектив дальнейшего развития вакуумной наноэлектроники. Проанализированы технологические и эксплуатационные проблемы разработки автоэмиссионных триодных наноразмерных структур с применением различных полупроводниковых материалов. Показаны достигнутые успехи в области интеграции наноразмерных автоэмиссионных структур со стандартными КМОП-транзисторами. Рассмотрены возможные сферы применения структур вакуумной наноэлектроники. Описаны актуальные задачи данной научной отрасли, а также проблемы, возникающие в процессе внедрения элементной базы вакуумной наноэлектроники в цикл разработки и коммерциализации технологии вакуумных ИС

Беспалову Владимиру Александровичу – 65 лет. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 5. - С. 700.

Аннотация: 1 октября 2023 г. исполнилось 65 лет Владимиру Александровичу Беспалову, ректору МИЭТ, члену-корреспонденту РАН, доктору технических наук, профессору