| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 2. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2023. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Фотолюминесценция оксида гафния, синтезированного методом атомно-слоевого осаждения / С. В. Булярский, К. И. Литвинова, Е. П. Кириленко [и др.]. - Текст : электронный // ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2023. - № 2. - С. 236-242. - URL: https://journals.ioffe.ru/articles/54296 (дата обращения: 25.01.2023). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Булярский, С. В., Литвинова, К. И., Кириленко, Е. П., Рудаков, Г. А., Дудин, А. А. |
| Ключевые слова: | HIGH-K-диэлектрик, Дефекты, Электрон-фононное взаимодействие, Вакансия кислорода |
| Аннотация: | Рассматривается дефектообразование в оксиде гафния, который относится к high-K-диэлектрикам и является перспективным материалом в различных областях нано- и оптоэлектроники. Этот материал, синтезированный методом атомно-слоевого осаждения, образуется со значительным дефицитом кислорода и содержит большое количество вакансий этого вещества. Контроль за содержанием вакансий кислорода был осуществлен методами фотолюминесценции. Нами было показано, что на формирование полос излучения большое влияние оказывает электрон-фононное взаимодействие. В этом случае полосу излучения нельзя идентифицировать только по максимуму излучения: необходимо вычислять такие параметры полосы, как тепловыделение и энергия чисто электронного перехода. Именно эту энергию можно сравнивать с результатами теоретических расчетов из первых принципов |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |