Найдено документов - 11 | Статьи из номера журнала: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 2. - Москва : МИЭТ, 2023. - URL: https://elib.miet.ru (дата обращения: 03.05.2023). - Режим доступа: для зарегистрированных читателей библиотеки М... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
Московская, Ю. М. (Автор МИЭТ, НПК ТЦ).
Прогнозный контроль радиационной стойкости микросхем в серийном производстве. I. Система и алгоритмы реализации для различных категорий изделий / Ю. М. Московская, Д. В. Бойченко. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 189-201.
Прогнозный контроль радиационной стойкости микросхем в серийном производстве. I. Система и алгоритмы реализации для различных категорий изделий / Ю. М. Московская, Д. В. Бойченко. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 189-201.
Авторы: Московская, Ю. М., Бойченко, Д. В.
Ключевые слова: Радиационная стойкость, Базовый технологический процесс, Категории радиационной стойкости, План контроля
Аннотация: Анализ действующей системы контроля радиационной стойкости показывает, что для эффективности ее работы необходимо проведение операций контроля в процессе серийного производства с учетом особенностей каждого этапа жизненного цикла изделий микроэлектроники. В работе предложен подход к обеспечению прогнозного контроля стабильности радиационной стойкости изделий микроэлектроники в процессе производства с учетом категории радиационной стойкости каждого типа микросхем. Показано, что разработанные базовые алгоритмы прогнозного контроля стабильности радиационной стойкости микросхем в серийном производстве для каждой из категорий радиационной стойкости гарантируют необходимую полноту, достоверность и информативность контроля при минимизации технико-экономических затрат и объема радиационных испытаний
2. Статья из журнала
Тимаков, А. В. (Автор МИЭТ (аспирант)).
Многоуровневая металлизация высокотемпературных кремниевых ИС на основе вольфрама. Физика и технология. Обзор / А. В. Тимаков, В. С. Горностай-Польский, В. И. Шевяков. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 164-179.
Многоуровневая металлизация высокотемпературных кремниевых ИС на основе вольфрама. Физика и технология. Обзор / А. В. Тимаков, В. С. Горностай-Польский, В. И. Шевяков. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 164-179.
Авторы: Тимаков, А. В., Горностай-Польский, В. С., Шевяков, В. И.
Ключевые слова: Металлизация, Вольфрам, Сплавы вольфрама, Рениевый эффект, Электромиграция, Механические свойства, Адгезия
Аннотация: В настоящее время к функциональным узлам ИС предъявляются все более жесткие требования. Одно из них – высококачественные межсоединения. Применение стандартных металлов не может в полной мере обеспечить работу приборов при температурах 200 °С и выше. Поэтому интерес представляют тугоплавкие металлы, например вольфрам. Он характеризуется высокими показателями электромиграционной стойкости, однако имеет низкую пластичность, что приводит к плохой адгезии к кремнию и растрескиванию материала, в связи с чем снижается эффективность его использования для металлизации межсоединений ИС. В работе на основе анализа литературных данных показано, что добавление рения в вольфрам обеспечивает получение пластичных проводниковых межсоединений, характеризующихся удовлетворительной адгезионной способностью. Установлено, что аналогичный рению эффект имеют титан и азот. Они также снижают механические напряжения в пленках вольфрама и повышают их адгезионную способность. Результаты анализа литературных источников позволяют сделать вывод, что межсоединения на основе вольфрама с различными легирующими примесями, такими как рений, титан и азот, могут применяться в качестве функционального материала межсоединений в высокотемпературной электронике
3. Статья из журнала
Карамышев, В. П. (Автор МИЭТ, НИЛ ФЭ).
Методики определения концентрации и подвижности в слоях областей пространственного заряда / В. П. Карамышев. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 232-243.
Методики определения концентрации и подвижности в слоях областей пространственного заряда / В. П. Карамышев. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 232-243.
Авторы: Карамышев, В. П.
Ключевые слова: Вольт-фарадные характеристики, Вольт-сименсные характеристики, Профиль распределения концентрации, Профиль распределения подвижности, Тонкие слои полупроводника
Аннотация: Для исследования и контроля технологических процессов изготовления полупроводниковых приборов измеряются вольт-фарадные и вольт-сименсные характеристики областей пространственного заряда в тонких слоях полупроводника. Непосредственное определение профилей распределения концентрации и подвижности носителей заряда по измеренным вольт-фарадным и вольт-сименсным характеристикам является актуальной задачей. В работе предложены простые оперативные методики обработки вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик в областях пространственного заряда в тонких слоях полупроводника с целью получения профилей распределения концентрации и подвижности носителей заряда. В частности, рассмотрено определение профилей концентрации основных носителей полупроводника, подвижности основных носителей полупроводника на структурах с проводящей подложкой, подвижности основных носителей полупроводника на структурах с изолирующей подложкой. Показано, что методики обработки вольт-фарадных и вольтсименсных характеристик полупроводниковых структур типа диода Шоттки, несимметричного p–n-перехода и МДП-структур могут использоваться для контроля технологических процессов и при разбраковке готовых приборов
4. Статья из журнала
Шумарин, С. В.
Методика идентификации параметров Spice-моделей КМОП-микросхем по температурным зависимостям их динамических характеристик / С. В. Шумарин, Т. Н. Фролова, А. М. Богачев. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 212-221.
Методика идентификации параметров Spice-моделей КМОП-микросхем по температурным зависимостям их динамических характеристик / С. В. Шумарин, Т. Н. Фролова, А. М. Богачев. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 212-221.
Авторы: Шумарин, С. В., Фролова, Т. Н., Богачев, А. М.
Ключевые слова: Spice-модели, Моделирование, Интегральные схемы, Кольцевой генератор
Аннотация: Отсутствие верифицированных Spice-моделей КМОП-микросхем в условиях дестабилизирующих воздействий (температурных, радиационных, механических и др.) является одной из проблем Spice-моделирования. Уточнением моделей занимается либо фирма - подрядчик по заказу производителя кристаллов, либо разработчик электронной аппаратуры. В работе предложена методика оперативной параметрической идентификации Spice-моделей КМОП-микросхем, рассмотрены идентификационные параметры моделей, критерии их выбора, критерии выбора диапазонов изменения идентификационных параметров. Приведен пример использования предложенной методики для идентификации параметров модели микросхемы 1564ЛЕ1. Апробация предлагаемой методики выполнена индивидуально для трех образцов микросхем 1564ЛЕ1 из разных партий с применением экспериментальных данных, полученных с помощью кольцевого генератора в диапазоне температур. Предложены формулы поправочных коэффициентов для модели интегральной схемы, позволяющие уточнить ее параметры без использования итерационных алгоритмов. Исследования показали, что применение предложенной методики идентификации позволяет повысить точность моделирования
5. Статья из журнала
Шариков, А. И. (Автор МИЭТ, Ин-т МПСУ).
Масштабируемая ПЛИС-система выборки и хранения данных для конвейерной обработки видеопотока / А. И. Шариков, Е. М. Шарикова. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 202-211.
Масштабируемая ПЛИС-система выборки и хранения данных для конвейерной обработки видеопотока / А. И. Шариков, Е. М. Шарикова. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 202-211.
Авторы: Шариков, А. И., Шарикова, Е. М.
Ключевые слова: Обработка изображений, Обработка в реальном времени, ПЛИС
Аннотация: Для систем управления, использующих в качестве входной информации видеопоток, важным требованием в большинстве случаев является обработка в реальном масштабе времени. Как правило, этот фактор один из решающих при выборе вычислителя. Применение ПЛИС-систем позволяет не только решить проблемы, связанные с временем выполнения, но и реализовать один из эффективных вариантов с точки зрения энергоэффективности и производительности. В работе предложена схема, реализующая последовательный доступ ко всем областям каждого кадра видеопотока. Полученная подсистема может быть использована, в частности, в составе аппаратных алгоритмов фильтрации, обнаружения, сопровождения и классификации, т. е. в тех случаях, когда алгоритм решает задачу с целью поиска координат либо необходимо применить набор однотипных действий над каждой областью кадра. Разработан алгоритм оптимизации производительности для САПР Vivado. Для анализа использована ПЛИС семейства Artix-7 фирмы Xilinx. Доказана фактическая возможность масштабируемости полученной схемы. Показано, что максимально достижимая производительность схемы ограничена исключительно технологией конкретной ПЛИС, а количество затраченных ресурсов минимально и линейно зависит от числа пикселей, к которым требуется получить доступ
6. Статья из журнала
Королёву Михаилу Александровичу - 90 лет. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 261-262.
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 261-262.
Ключевые слова: Юбилей, Королев М.А., Биографии, Преподаватели МИЭТ
Аннотация: Известный ученый в области физики и технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, заслуженный деятель науки РФ, доктор технических наук, профессор Королёв Михаил Александрович
7. Статья из журнала
Исследование структурных и электрофизических свойств нанонитей титаната бария, полученных методом гидротермального синтеза / А. М. Тарасов, С. В. Дубков, Ван Зунг Ву [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 151-163.
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 151-163.
Авторы: Тарасов, А. М., Дубков, С. В., Ву Ван Зунг, Киселев, Д. А., Сиротина, А. П., Волкова, Л. С., Рязанов, Р. М., Громов, Д. Г.
Ключевые слова: BaTiO3, Нанонити, Атомный силовой микроскоп, Пьезоэффект, Гидротермальный синтез
Аннотация: Исследование структурных и электрофизических свойств пьезоэлектриков является важной задачей для создания эффективных пьезоэлектрических наногенераторов, предназначенных для повышения автономности электронных устройств. Один из перспективных материалов для создания наногенераторов – титанат бария BaTiO3, для изучения свойств которого необходима специальная подготовка образца. В работе представлены результаты изучения электрофизических свойств отдельной нанонити BaTiO3, прикрепленной на поверхности подложки методами атомной силовой микроскопии. Формирование нанонитей BaTiO3 проведено с применением двухстадийного гидротермального синтеза с использованием диоксида титана TiO2 в качестве прекурсора и титаната натрия как промежуточного соединения. Исследованы морфология поверхности и фазовый состав нанонитей BaTiO3 с использованием растрового электронного микроскопа и метода рентгеновской дифракции. Представлена методика закрепления отдельной нанонити BaTiO3 на проводящей подложке для исследования пьезоэлектрических характеристик на атомном силовом микроскопе. Полученные нанонити BaTiO3 имеют тетрагональную фазу со средней длиной ~ 14 мкм и диаметром 330 нм. Внутреннее напряжение нанонити составляет –0,45 В, пьезоэлектрический коэффициент d33 = 5,2 пм/В. Полученные данные подтверждают возможность применения нанонитей BaTiO3 в наногенераторах и МЭМС-устройствах
8. Статья из журнала
Пьо Вин Тун (Автор МИЭТ (аспирант)).
Исследование возможностей повышения чувствительности МЭМС-датчика давления емкостного типа с мембранами различных геометрических форм / Вин Тун Пьо, Б. М. Симонов, С. П. Тимошенков. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 222-231.
Исследование возможностей повышения чувствительности МЭМС-датчика давления емкостного типа с мембранами различных геометрических форм / Вин Тун Пьо, Б. М. Симонов, С. П. Тимошенков. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 222-231.
Авторы: Пьо Вин Тун, Симонов, Б. М., Тимошенков, С. П.
Ключевые слова: Датчики давления емкостного типа, Мембраны, Чувствительные элементы, МЭМС
Аннотация: МЭМС-датчики давления емкостного типа характеризуются высокой чувствительностью, малым энергопотреблением, устойчивостью к температурным воздействиям и имеют преимущества перед пьезорезистивными датчиками давления. Области применения МЭМС-датчиков постоянно расширяются, что обусловливает необходимость совершенствования их конструкторско- технологических вариантов реализации и анализа их возможностей. В работе исследованы чувствительные элементы (ЧЭ) емкостных МЭМС-датчиков для измерения давления ниже атмосферного с мембранами из кремния различных геометрических форм. В состав конструкции ЧЭ входит пара параллельных пластин, одна из которых – подвижная мембрана, а другая – фиксированный электрод прямоугольной формы. Выполнены расчеты деформаций и изменений емкости в ЧЭ МЭМС-датчика давления с мембранами разных геометрических форм. В программе COMSOL Multiphysics проведено моделирование ЧЭ МЭМСдатчиков с мембранами квадратной, круглой и прямоугольной форм. Толщина мембраны всех исследованных конструкций чувствительного элемента датчиков составляла 3 мкм, диапазон измеряемого давления – до 10 кПа. Рассчитаны значения чувствительности МЭМС-датчика давления с мембранами исследованных геометрических форм при воздействии давления. Установлено, что использование мембраны круглой формы обеспечивает максимальные деформации мембраны и изменения емкости в ЧЭ МЭМС-датчика давления при воздействии давления по сравнению с их изменениями в ЧЭ с мембранами других геометрических форм
9. Статья из журнала
Кириллова, А. В. (Автор МИЭТ (аспирант)).
Исследование влияния плавающего кармана на характеристики КНИ КМОП-транзисторов / А. В. Кириллова, М. А. Королев. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 180-188.
Исследование влияния плавающего кармана на характеристики КНИ КМОП-транзисторов / А. В. Кириллова, М. А. Королев. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 180-188.
Авторы: Кириллова, А. В., Королев, М. А.
Ключевые слова: КНИ КМОП-транзисторы, Компактные модели, Компактное моделирование, Плавающий карман, Паразитные эффекты, ВАХ, Пороговое напряжение, Паразитный биполярный транзистор, Кинк-эффект, Ударная ионизация
Аннотация: Микросхемы на основе КНИ КМОП-транзисторов характеризуются высокой производительностью, увеличенной радиационной стойкостью, возможностью работы при повышенных температурах. Однако у таких ИС возникает отрицательный эффект – плавающий карман, существенно влияющий на параметры схемы, в частности на стабильность работы, подвижность носителей в канале, пороговое напряжение, ток утечки, и приводящий к возникновению паразитного биполярного транзистора и кинк-эффекта. В работе исследовано влияние плавающего кармана на характеристики КНИ КМОП- транзисторов с разными геометрическими параметрами. Проведена экстракция Spice-параметров приборов, на основе которых создана компактная модель КНИ КМОП-транзистора и проверена ее достоверность. С помощью разработанной модели выполнено компактное моделирование КНИ КМОП-транзисторов и определены закономерности влияния длины и ширины канала, а также потенциала кармана на пороговое напряжение и возникновение кинк-эффекта. Установлено, что паразитные эффекты плавающего кармана оказывают критическое влияние на основные характеристики КНИ КМОП-транзисторов. Расчетные и экспериментальные исследования показали существенное влияние геометрических параметров транзистора и потенциала плавающего кармана на пороговое напряжение и возникновение кинк-эффекта, что ограничивает возможность уменьшения размеров элементов КНИ КМОП СБИС
10. Статья из журнала
Карачев, Е. В.
Информационная система поддержки принятия решений по управлению режимами работы когнитивного радио / Е. В. Карачев, Г. А. Благодатский, С. В. Смирнов. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 244-251.
Информационная система поддержки принятия решений по управлению режимами работы когнитивного радио / Е. В. Карачев, Г. А. Благодатский, С. В. Смирнов. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 244-251.
Авторы: Карачев, Е. В., Благодатский, Г. А., Смирнов, С. В.
Ключевые слова: Матрица решений, Алгоритмы управления, Когнитивное радио, Базы знаний, Системы поддержки принятия решений
Аннотация: Управление радиосистемами, работающими в коротковолновом и ультракоротковолновом диапазонах, требует от оператора знаний особенностей передачи радиосигналов в различных внешних условиях. Для облегчения работы оператора системы необходимо автоматизировать настройку радиосистем в соответствии с различными сценариями их применения в виде специального программного обеспечения систем поддержки принятия решений. В работе рассмотрена проблема принятия решений и управления сложной технической системой с помощью информационной системы, база знаний которой интегрирует опыт работы и проектирования когнитивного радио, функционирующих в коротковолновом и ультракоротковолновом диапазонах. Представлены результаты внедрения в систему элементов искусственного интеллекта и методов автоматического управления режимами работы системы когнитивного радио. Приведены алгоритм управления режимами работы системы когнитивного радио, схема классов информационной системы поддержки принятия решений и результат их совместного применения в виде программ управления режимами работы. Установлено, что при изменении мощности приемопередающей аппаратуры, скорости приема-передачи, типа сигнальнокодовых конструкций, несущей частоты и полосы система может работать эффективнее в одной или нескольких заданных ситуациях
11. Статья из журнала
Чипчагов, М. С.
Алгоритм индексации объектов рекомендательной системы / М. С. Чипчагов, Е. И. Кублик, В. А. Попов. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 252-260.
Алгоритм индексации объектов рекомендательной системы / М. С. Чипчагов, Е. И. Кублик, В. А. Попов. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 2. - С. 252-260.
Авторы: Чипчагов, М. С., Кублик, Е. И., Попов, В. А.
Ключевые слова: Суррогатные ключи, Рекомендательные системы, Алгоритмы индексации
Аннотация: Предпочтения пользователей системы электронной коммерции прогнозируют специальные рекомендательные алгоритмы, что облегчает принятие решения в выборе предлагаемого продукта. В основе системы электронной коммерции лежит вычислительная система, в которой принципы хранения информации не всегда согласованы с работой рекомендательных алгоритмов. В работе предложен алгоритм создания суррогатного ключа для индексации объектов рекомендательной системы с целью ускорения процесса выборки данных за счет уменьшения числа обращений к носителю информации и сокращения времени выполнения запроса. Ключ обеспечивает ранжирование продуктов на основе пользовательских предпочтений, что делает возможным последовательный доступ к данным и ускорение процесса загрузки самых востребованных товаров. Рассмотрены различные рекомендательные алгоритмы, которые работают со значительными объемами данных. Основными критериями выбора метода для построения суррогатного индекса являются его производительность и способность работать с множеством альтернатив и большим количеством показателей. Для ранжирования объектов рекомендации предложено использовать один из методов многокритериального принятия решений – TOPSIS