| Найдено документов - 12 | Статьи из номера журнала: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 6. - Москва : МИЭТ, 2023. - URL: https://elib.miet.ru (дата обращения: 25.12.2023). - Режим доступа: для зарегистрированных читателей библиотеки М... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Электрический транспорт в пористых структурах Si-Ge/c-Si, сформированных электрохимическим осаждением германия в пористый кремний / Д. Л. Горошко, И. М. Гаврилин, А. А. Дронов [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 6. - С. 734-744. | |
| Авторы: | Горошко, Д. Л., Гаврилин, И. М., Дронов, А. А., Горошко, О. А., Волкова, Л. С., Гревцов, Н. Л., Чубенко, Е. Б., Бондаренко, В. П. |
| Ключевые слова: | Сплав Si-Ge, Электропроводность, Электрохимическое осаждение германия, Пористый кремний, Подвижность, Концентрация носителей |
| Аннотация: | Пленочные структуры на основе твердых растворов Si1–хGeх (0 < х < 1) в настоящее время получают методами химического осаждения из газовой фазы. Для приборного применения полученных структур необходимо знать электрофизические свойства материала, синтезированного при разных условиях. В работе проведены гальваномагнитные исследования электропроводности в пористых и сплошных пленках Si1–хGeх , а также концентрации и подвижности основных носителей заряда в них при температуре 30–300 К. Показано, что, как и в чистых кремнии и германии сравнимой пористости, электропроводность в исследованных образцах можно рассматривать как в среде с пустотами. Установлено, что тип основных носителей заряда в сплаве определяется типом использованной кремниевой подложки. Это практически важно для создания обоих плеч термоэлектрического преобразователя, что делает метод получения сплава Si1–хGeх перспективным для приборного применения, в частности в термоэлектрических преобразователях и литий-ионных аккумуляторах |
| Поиск: | Источник |
2. Статья из журнала
| Управление составом тонких пленок Mo-Si-N-O при реактивном магнетронном распылении / Д. Г. Громов, С. А. Гаврилов, Е. А. Лебедев [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 6. - С. 745-761. | |
| Авторы: | Громов, Д. Г., Гаврилов, С. А., Лебедев, Е. А., Силибин, М. В., Дубков, С. В., Аникин, А. В., Погалов, А. И., Дронова, Д. А., Бутманов, Д. Д., Ширяев, М. Е., Громов, В. Д., Рязанов, Р. М., Шарипов, Р. А., Беспалов, В. А. |
| Ключевые слова: | Реактивное магнетронное распыление, Фазосдвигающие фотошаблоны, Нитридизация |
| Аннотация: | При реактивном магнетронном распылении в среде химически активного газа образование химического соединения на поверхности мишени изменяет скорость ее распыления. В результате происходит существенное изменение состава формируемой пленки в узком диапазоне давлений химически активного газа. Для того чтобы технологический цикл был хорошо воспроизводимым, необходимо четко понимать происходящие при распылении процессы, а также обеспечить высокий уровень контроля химически активного газа. В работе исследован процесс формирования тонких пленок Mo-Si-N-O при реактивном магнетронном распылении, которые используются как фазосдвигающие слои фотошаблонов. Рассмотрен теоретико-экспериментальный подход для прогнозирования и управления составом многокомпонентных тонких пленок, формируемых в процессе реактивного магнетронного распыления с использованием двух отдельных мишеней в среде химически активного газа. Приведены экспериментальные результаты изменения состава тонких пленок Mo-Si-N-O в зависимости от давления азота при реактивном магнетронном распылении одновременно двух мишеней – молибдена и кремния. Проведено моделирование изменения состава пленок Mo-Si-N-O с учетом теории газовой кинетики, геометрических характеристик вакуумного оборудования магнетронного распыления и простых физико-химических предположений. Установлено, что ключевым фактором, определяющим состав тонкой пленки, является процесс нитридизации мишеней, который приводит к резкому изменению скорости их распыления |
| Поиск: | Источник |
3. Статья из журнала
| Ефанов, Д. В. Самодвойственные отказоустойчивые структуры с контролем вычислений по паритету. II. Моделирование работы цифровых устройств при неисправностях / Д. В. Ефанов, Т. С. Погодина. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 6. - С. 838-853. | |
| Авторы: | Ефанов, Д. В., Погодина, Т. С. |
| Ключевые слова: | Отказоустойчивые устройства, Самодвойственные устройства, Коррекция ошибок, Контроль вычислений по паритету, Самодвойственное тестирование |
| Аннотация: | Высоконадежные и безопасные системы управления строятся с использованием разнообразных подходов, в том числе контроля вычислений в блоках и узлах по различным диагностическим признакам. Традиционно для синтеза данных систем применяются методы, основанные на внесении модульной избыточности. Однако существуют подходы, реализуемые с использованием свойств самодвойственных функций совместно с кодовыми методами контроля вычислений, что позволяет уменьшить структурную избыточность конечных устройств. В работе проведен анализ свойств самодвойственных отказоустойчивых структур с контролем вычислений по паритету. Две структуры из пяти основаны на использовании дублирования с контролем вычислений по паритету, две другие – на использовании единственного устройства с блоком фиксации искаженных сигналов, реализуемым на основе известного метода логической коррекции сигналов. Пятая структура представляет собой обобщение четвертой структуры, где контроль вычислений по паритету осуществлен для блоков дополнения и формирования функций коррекции. Описан эксперимент по анализу обнаруживающих характеристик для произвольного комбинационного устройства при внесении в его структуру одиночных константных неисправностей на выходах внутренних элементов. Анализируемые структуры дают возможность построения отказоустойчивых цифровых устройств с уменьшенными показателями структурной избыточности по сравнению с широко используемым подходом, основанным на применении тройной модульной избыточности с мажоритарной коррекцией. Показано, что корректирующая способность отказоустойчивых структур определяется свойствами выбранного для контроля вычислений кода паритета. Установлены особенности обнаружения ошибок каждой из структур при действии одиночных неисправностей в их блоках. Они могут быть использованы на практике при реализации вычислительных устройств и систем на современной программируемой элементной базе |
| Поиск: | Источник |
4. Статья из журнала
| Ашхотов, О. Г. Резистивные свойства конструкционных стекол микроканальных пластин / О. Г. Ашхотов, И. Б. Ашхотова, Т. Т. Магкоев. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 6. - С. 727-733. | |
| Авторы: | Ашхотов, О. Г., Ашхотова, И. Б., Магкоев, Т. Т. |
| Ключевые слова: | Свинцово-силикатные стекла, Резистор, Обработка, Электропроводность, Ионы, Катионы, Характеристики, Поверхности |
| Аннотация: | Создание резистивно-эмиссионного слоя в каналах микроканальных пластин происходит на этапе термохимической обработки в разбавленных кислотных и щелочных растворах. Варьируя режимы обработки, можно в той или иной мере менять параметры готового прибора. В работе для решения проблемы получения оптимальных электроннооптических параметров микроканальных пластин исследованы резистивные характеристики свинцово-силикатных стекол после обработки в химических растворах. С использованием разработанной установки измерена электропроводность базовых стекол, одиночного канала, заготовок и прибора в целом. Показано, что рабочее электрическое сопротивление микроканальной пластины вследствие саморазогрева несколько меньше истинного. При температурах более 200 °C сопротивление микроканальной пластины меняется на несколько порядков вследствие ионной проводимости. Помимо измерения интегральных параметров измерено сопротивление одного канала, среднее значение которого равно 1·1014 Ом. Установлено, что химическая обработка образцов влияет на высокотемпературную ионную проводимость, но при этом энергия активации электропроводности не меняется. Последнее, в свою очередь, свидетельствует о неизменности механизма проводимости и типа носителей заряда. Отмечено, что обработка стекол в растворах NaOH и HF способствует значительному изменению их электрического сопротивления |
| Поиск: | Источник |
5. Статья из журнала
| Соболев, В. А. (Автор МИЭТ, Ин-т ИнЭл). Разработка RTL-модели генератора псевдослучайных чисел на основе регистров сдвига с нелинейной обратной связью в каскаде Голлмана / В. А. Соболев, В. В. Лосев. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 6. - С. 784-793. | |
| Авторы: | Соболев, В. А., Лосев, В. В. |
| Ключевые слова: | Генератор псевдослучайных чисел, Регистры сдвига с нелинейной обратной связью, Каскад Голлмана, RTL-модель, Статистические свойства |
| Аннотация: | Случайные числа активно используются в машинном обучении, сфере информационной безопасности, математическом моделировании и устройствах Интернета вещей. Генераторы псевдослучайных чисел (ГПСЧ) представляют собой устройства, генерирующие последовательности чисел, свойства которых близки к случайным на определенном периоде. Требования к ГПСЧ возрастают с развитием областей их применения, что вызывает необходимость разработки новых ГПСЧ. В настоящее время среди перспективных ГПСЧ можно выделить ГПСЧ на основе регистров сдвига с нелинейной обратной связью (РСНОС), имеющих повышенную непредсказуемость. В работе предложена RTL-модель ГПСЧ на основе РСНОС для 32-битных систем на кристалле на языке описания аппаратуры Verilog. Проведено исследование статистических свойств данного ГПСЧ. Разработанная RTL-модель ГПСЧ на основе РСНОС состоит из четырех 16-битных РСНОС в каскаде Голлмана, модуля сбора данных с каскада из РСНОС, группы регистров управления и подключения к шине AMBA (Advanced Microcontroller Bus Architecture) APB (Advanced Peripheral Bus). Статистические свойства разработанного ГПСЧ протестированы с помощью пакета тестирования NIST STS 800-22 и удовлетворяют критериям тестов. Сравнение числа подпоследовательностей, не прошедших наиболее значимые тесты пакета NIST STS 800-22, генераторов из пакета NIST и вихря Мерсенна из состава среды Matlab с разработанным ГПСЧ показало, что последний имеет наименьшее число неудачных подпоследовательностей. По результатам вычисления значения числа π методом Монте-Карло разработанный ГПСЧ имеет меньшее стандартное отклонение и меньшую ошибку сдвига медианы по сравнению c используемым в среде Matlab вихрем Мерсенна |
| Поиск: | Источник |
6. Статья из журнала
| Особенности TCAD- и SPICE-моделирования удара заряженной частицы в 6T-ячейку статической памяти, изготовленную по КМОП-технологии с проектными нормами 28 нм / К. О. Петросянц, Д. С. Силкин, Д. А. Попов [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 6. - С. 826-837. | |
| Авторы: | Петросянц, К. О., Силкин, Д. С., Попов, Д. А., Исмаил-Заде, М. Р., Харитонов, И. А., Переверзев, Л. Е., Морозов, А. А., Тургенев, П. В. |
| Ключевые слова: | Ячейки памяти, Статическая память, Удар частицы, TCAD-моделирование, SPICE-моделирование |
| Аннотация: | С уменьшением размеров транзисторов возникают условия, когда удар одной частицы затрагивает сразу несколько транзисторов в составе ячейки памяти. Вследствие этого при моделировании недостаточно учитывать один транзистор, в который непосредственно попадает частица. В работе рассмотрена полноразмерная 3D-модель двух n-канальных транзисторов, являющихся частью 6T-ячейки памяти, в которую ударяет заряженная частица. Предложен способ моделирования удара частицы, который позволяет рассчитать в TCAD-симуляторе импульс тока после удара, а в SPICE-симуляторе с применением SPICE-моделей – реакцию схемы ячейки памяти на удар. Данный способ дает возможность объединить преимущества TCAD- и SPICE-расчетов и добиться соответствия между точностью и скоростью проведения моделирования. Рассмотрены вопросы определения параметров TCAD-модели удара частицы, возникновения импульса тока после удара частицы рядом с транзистором во включенном состоянии, а также влияния тока этого транзистора на работу ячейки памяти. Предложен прием задания в TCAD-симуляторе сложных профилей распределения носителей заряда, индуцированных ударом частицы. Проведено моделирование нескольких случаев удара частиц с разными значением LET (Linear Energy Transfer) и показан пример определения критического значения LET для 6T-ячейки статической памяти с проектными нормами 28 нм. Подобранные параметры физической структуры транзистора позволяют моделировать характеристики транзисторов, произведенных по КМОП-технологии с проектными нормами 28 нм. |
| Поиск: | Источник |
7. Статья из журнала
| Методика оценки S-параметров высокоскоростных путей передачи сигналов в корпусах микросхем / А. В. Раков, И. В. Шевцов, О. В. Борин [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 6. - С. 802-813. | |
| Авторы: | Раков, А. В., Шевцов, И. В., Борин, О. В., Горшкова, Н. М., Скок, Д. В. |
| Ключевые слова: | S-параметры, Flip-chip-корпусирование микросхем, Системы 5G, Высокоскоростные цифровые устройства, Интегральные микросхемы |
| Аннотация: | В системах связи 5G для обеспечения максимальной скорости передачи данных требуется высокое качество характеристик всех элементов в составе сигнального пути. Для решения данной задачи необходимо провести анализ характеристик звеньев сигнального тракта. В работе выполнена оценка S-параметров высокоскоростных путей передачи сигналов, реализуемых в разрабатываемых корпусах новейших перспективных микросхем. На основе теории четырехполюсников предложен способ расчета комплексного коэффициента передачи с использованием результатов однопортовых измерений комплексных коэффициентов отражения. Рассмотрен один из вариантов реализации данного способа – концепция измерительной методики и состав требуемой измерительной ячейки. Проведено моделирование характеристик разработанных измерительных ячеек и высокоскоростных путей передачи сигналов, сформированных в корпусах микросхем. На основе результатов моделирования рассчитан комплексный коэффициент передачи и построен график погрешности оцениваемой характеристики. Предложенная методика оценки S-параметров позволяет улучшить характеристики сигнальных высокоскоростных путей в корпусах микросхем |
| Поиск: | Источник |
8. Статья из журнала
| Исследования факторов, влияющих на сопротивление контактов в термоэлементах / Е. П. Корчагин, Е. В. Нагрешников, М. Ю. Штерн [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 6. - С. 773-783. | |
| Авторы: | Корчагин, Е. П., Нагрешников, Е. В., Штерн, М. Ю., Рогачев, М. С., Мустафоев, Б. Р., Штерн, Ю. И. |
| Ключевые слова: | Термоэлементы, Контакты, Химическое осаждение, Контактное сопротивление, Эффективность |
| Аннотация: | Термоэлектрические генераторы используются в качестве альтернативных источников электроэнергии, в том числе для преобразования «бросового» тепла в электроэнергию. При конструировании термоэлектрических генераторов возникает проблема создания эффективных контактов для коммутации ветвей в термоэлементе, а также секций из различных термоэлектрических материалов в многосекционном термоэлементе. В работе в процессе моделирования с использованием разработанной методики показано влияние удельного сопротивления контактов на КПД термоэлементов. Установлено, что для эффективной работы термоэлементов удельное сопротивление контактов не должно превышать 10–8 Ом∙м2 . Контактные системы на основе сплавов Ni-P, Co-P сформированы химическим осаждением металлов из раствора гипофосфита натрия на ветви термоэлементов. Исследована поверхность термоэлектрических материалов с шероховатостью 300, 500 и 700 нм, которая меняет площадь фактического контакта сформированных контактных систем. В результате измерений установлено, что минимальное сопротивление контакта наблюдается при шероховатости 700 нм. Расчеты показали, что при шероховатости поверхности 700 нм сопротивление термоэлемента снижается на 7,8 % по сравнению с контактами, сформированными на поверхности с шероховатостью 300 нм, что повышает эффективность термоэлементов |
| Поиск: | Источник |
9. Статья из журнала
| Исследование и разработка процесса глубокого анизотропного плазменного травления кремния со сниженной шероховатостью боковых стенок структур / А. А. Голишников, Н. А. Дюжев, В. В. Парамонов [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 6. - С. 762-772. | |
| Авторы: | Голишников, А. А., Дюжев, Н. А., Парамонов, В. В., Потапенко, И. В., Путря, М. Г., Сомов, Н. М., Чаплыгин, Ю. А. |
| Ключевые слова: | Глубокое анизотропное плазменное травление кремния, Bosch-процесс, Шероховатость боковых стенок, Скэллопы, Источник индуктивносвязанной плазмы |
| Аннотация: | В производстве микро- и наноэлектронных устройств для глубокого анизотропного плазменного травления кремния при формировании щелевых структур в настоящее время широко используется Boschпроцесс. Однако гребешковые неровности (скэллопы), образующиеся в процессе травления на боковой стенке формируемой структуры, могут существенно ухудшать характеристики создаваемого конечного изделия, например нанофотонных структур. В работе предложен простой и эффективный метод уменьшения высоты гребней на боковых поверхностях формируемых структур. Для достижения результата проведено исследование влияния параметров Bosch-процесса на профиль и микроморфологию стенок формируемых структур. В частности, исследовано влияние соотношения времен стадий травления и пассивации, ВЧ-мощности смещения на электроде-подложкодержателе, давления и скорости газовых потоков используемых газов на линейные размеры скэллопов. Влияние операционных параметров на геометрию скэллопов на боковых стенках структур оценено по измеренным значениям глубины и длины гребней для каждой совокупности операционных параметров. Проведенные исследования позволили разработать процесс формирования структур с уменьшенной на 65 % глубиной и на 43 % длиной гребней на их боковых поверхностях. Описываемый в работе метод сглаживания боковых стенок пригоден для широкого применения в микрообработке кремния для изделий фотоники, микро- и наноэлектроники |
| Поиск: | Источник |
10. Статья из журнала
| Волков, Р. Л. (Автор МИЭТ, Ин-т ФПМ). Идентификация структуры наноразмерных слоев многослойных гетерокомпозиций методами просвечивающей электронной микроскопии / Р. Л. Волков, Н. И. Боргардт. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 6. - С. 711-726. | |
| Авторы: | Волков, Р. Л., Боргардт, Н. И. |
| Ключевые слова: | Наноструктуры, Просвечивающая электронная микроскопия, Микродифракция электронов, Фокусированный ионный пучок |
| Аннотация: | Методы просвечивающей электронной микроскопии и высокоразрешающей электронной микроскопии, применяемые для исследования многослойных гетерокомпозиций, имеют ограничения в разрешающей способности, не позволяют эффективно исследовать аморфные материалы и требуют анализа множества локальных участков в случае образцов, состоящих из отдельных кристаллитов. В работе исследована многослойная гетерокомпозиция, представляющая собой фазосдвигающий фотошаблон и состоящая из слоев наноразмерной толщины на поверхности стеклянной подложки. Для исследования тонкой фольги поперечного и продольного сечений применены методы фокусированного ионного пучка. Для идентификации структуры и определения состава слоев использованы методы просвечивающей электронной микроскопии и энергодисперсионного рентгеновского микроанализа. Анализ фольги поперечного сечения, приготовленной с использованием стандартных подходов, позволил визуализировать, измерить толщины и определить составы слоев. Показано, что на подложке SiO2 сформирован аморфный слой Mo0,06Si0,31N0,63 толщиной 93 нм, который последовательно покрыт поликристаллическими слоями Cr0,56N0,44, Cr0,74C0,06N0,2 и Cr0,4N0,26O0,3 толщиной 22, 37 и 8 нм соответственно. Тонкая фольга планарного сечения, приготовленная под небольшим наклоном к поверхности фотошаблона, позволила сформировать сечения всех слоев с размерами, достаточными для их исследования методом микродифракции электронов. Выполненный электрографический анализ подтвердил аморфную структуру подложки и слоя Mo0,06Si0,31N0,63, а также показал, что поликристаллические слои Cr0,56N0,44; Cr0,74C0,06N0,2; Cr0,4N0,26O0,3 образованы кристаллитами с кубической решеткой и параметрами 3,92; 4,18; 4,12 Å соответственно |
| Поиск: | Источник |
11. Статья из журнала
| Высокоскоростной перестраиваемый КМОП-усилитель-ограничитель для приемника сигнала оптической линии / Н. Ю. Раннев, С. В. Кондратенко, А. В. Дубинский [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 6. - С. 814-825. | |
| Авторы: | Раннев, Н. Ю., Кондратенко, С. В., Дубинский, А. В., Горшкова, Н. М., Скок, Д. В. |
| Ключевые слова: | Усилители-ограничители, Аналоговая емкостная высокочастотная коррекция, Комплементарный металл-оксид-полупроводник, Волоконно-оптическая система передачи, Сверхбольшие интегральные схемы |
| Аннотация: | Для полной реализации преимуществ оптических линий передачи необходимо использование специализированных приемопередатчиков, в частности высокоскоростных приемников с большим внутренним коэффициентом усиления сигналов. Проектирование таких приемников усложняют влияние напряжения смещения в цепочке усилительных каскадов с непосредственными связями между ними, а также общесистемные ограничения на потребляемый ток (мощность) и площадь, занимаемую приемником на кристалле. В работе представлены варианты построения на структурном уровне усилителей-ограничителей в составе высокоскоростных приемников сигналов оптических линий. Отмечено, что в типовой структуре приемника сигнала усилитель-ограничитель может содержать 6–8 и более усилительных каскадов, не считая, как правило, активных каскадов в цепях низкочастотных локальных или глобальной обратных связей, и вместе с предшествующим ему трансимпедансным усилителем, имеющим для разных вариантов реализации передаточное сопротивление от 100 Ом до 100 кОм, обеспечивать чувствительность начиная с нескольких милливольт. Приведены схемотехнические решения основных функциональных узлов усилителя-ограничителя, спроектированного по стандартной КМОП-технологии исходя из жестких требований к току (мощности) потребления и достижимой скорости передачи, а также возможности цифровой регулировки в широких пределах коэффициента усиления и параметров, характеризующих глубину CTLE-коррекции. Спроектированный усилитель-ограничитель по результатам расчетов имеет максимальную скорость передачи 12,5 Гбит/с, чувствительность по входу не хуже 5 мВ и высокую энергетическую эффективность по сравнению с аналогичными устройствами |
| Поиск: | Источник |
12. Статья из журнала
| Влияние потерь в соединениях при измерении коэффициента усиления и коэффициента шума на анализаторе спектра / Т. Ю. Крупкина, В. В. Лосев, С. Б. Беневоленский [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2023. - № 6. - С. 794-801. | |
| Авторы: | Крупкина, Т. Ю., Лосев, В. В., Беневоленский, С. Б., Хлыбов, А. И., Родионов, Д. В. |
| Ключевые слова: | Коэффициент шума, Y-фактор, Температура шума, Таблица ENR |
| Аннотация: | При измерении коэффициента усиления и коэффициента шума на анализаторе спектра тестируемое устройство, как правило, соединяется с источником шума и измерительным прибором с помощью коаксиальных волноводов и адаптеров, которые вносят определенные потери, влияющие на результаты измерений. Особенно это актуально при измерениях, проводимых на кристаллах интегральных микросхем в составе пластины, когда для соединения исследуемого объекта с измерительной системой необходимо использовать СВЧ-зонды, коаксиальные кабели и различные соединители. В работе проанализировано влияние потерь в соединениях на результаты измерения коэффициента усиления и коэффициента шума на анализаторе спектра методом Y-фактора. Показано, что измеренное значение коэффициента усиления исследуемого объекта меньше реального значения на сумму потерь в соединениях между источником шума с объектом и объектом с анализатором спектра. Установлено, что коэффициент шума не зависит от потерь между исследуемым объектом и измерительным прибором и измеренное значение больше реального на величину потерь в соединениях между источником шума и объектом |
| Поиск: | Источник |