Лубенцов, А. В.
Синтез иерархической многоуровневой модели параметров для оценки эффективности системы защиты информации в условиях неопределенных данных / А. В. Лубенцов. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 2. - С. 236-248.

Аннотация: Современные системы защиты информации являются сложными многоступенчатыми структурами. При их функционировании в режиме сложной адаптивной системы большинство базовых предположений, таких как устойчивые базовые состояния, стандартная размерность параметров, предсказуемость ответных действий, стабильность функционирования, не соответствуют текущим процессам. Для определения параметров функционирования таких сложных систем необходимо разрабатывать другие модели. В создаваемые методы, приемы и методики следует включать информацию о динамической природе, данные телеметрии сложных адаптивных систем защиты информации. В работе представлены методы и модели, на базе которых сформирована оригинальная методика оценки эффективности сложных адаптивных систем, одной из которых является комплексная система информационной безопасности. Предложен системный анализ исследований по выполнению задачи оценки эффективности сложной системы в общем. Рассмотрены практические примеры оценки эффективности нескольких вычислительных структур (контроллеров) как управляющих элементов комплексных адаптивных систем информационной безопасности. Анализ чувствительности, эффективности и веса критериев позволяет поддерживать эффективность работы каждой подсистемы или элемента, а также системы информационной безопасности в целом и определять основные факторы, влияющие на результаты ее оценки

Налимова, С. С.
Разработка слоев на основе оксида молибдена для полупроводниковых газовых датчиков / С. С. Налимова, З. В. Шомахов, В. А. Мошников. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 2. - С. 139-146.

Аннотация: При разработке газовых датчиков важное значение имеет выбор подходящего газочувствительного материала. В настоящее время большой интерес представляют разработка новых газочувствительных слоев на основе оксида молибдена MoO3 и улучшение их сенсорных характеристик. В работе газочувствительный слой MoO3 получен гидротермальным методом с последующим отжигом при температуре 400 °С в течение 2 ч. Элементный состав поверхности полученного образца проанализирован с помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Проведены исследования сенсорного отклика, времени отклика и восстановления газочувствительного слоя к парам изопропилового спирта при различных рабочих температурах. Показано, что химический состав соответствует MoO3, но на поверхности также наблюдаются адсорбированные гидроксильные группы. Анализ сенсорных свойств показал, что чувствительность при температурах 250 и 150 °С составляет соответственно 13,3 и 5,5. Установлено, что синтезированные гидротермальным методом слои на основе наночастиц MoO3 проявляют чувствительность к парам изопропилового спирта уже при температуре 150 °С

Разработка портативной системы длительного кардиомониторирования на основе емкостных биосенсоров и эластичных межсоединений / Н. С. Горлов, Д. В. Вертянов, С. П. Тимошенков [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 2. - С. 210-222.

Аннотация: Системы длительного кардиомониторирования расширяют диагностические возможности стационарных электрокардиографов и могут отслеживать функционирование сердца в динамике продолжительное время. На сегодняшний день имеется множество вариантов реализации систем длительного кардиомониторирования, отличающихся друг от друга как конструктивно, так и по функциональным возможностям. Однако во всех применяемых системах имеется ряд недостатков, не позволяющих совмещать в себе устройство одновременно с высоким качеством показаний и удобное в эксплуатации. В работе представлена разработанная нательная система длительного кардиомониторирования, регистрирующая 12 стандартных отведений электрокардиограммы. Измерение электрических потенциалов с поверхности кожи осуществлено группой емкостных сенсоров, подключаемых эластичными шлейфами к обрабатывающему устройству, тем самым исключаются из конструкции длинные объемные провода, вызывающие дискомфорт пациента при длительном использовании. оказана возможность передачи данных электрокардиографии с помощью USB-кабеля, micro-SD-карты или беспроводного сопряжения устройства со смартфоном через Bluetooth, а также регистрации и передачи данных положения и перемещения пациента для сопоставления с электрокардиограммой с помощью встроенного МЭМС-датчика. Приведено описание конструкции и работы функциональных узлов системы. Разработанная система характеризуется низкими массогабаритными показателями, что удобно при длительном кардиомониторировании. При этом диагностические возможности для выявления различных сердечно-сосудистых заболеваний остаются

Петросянцу Константину Орестовичу - 80 лет. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 2. - С. 258.

Аннотация: 9 апреля 2024 г. исполнилось 80 лет Константину Орестовичу Петросянцу, ведущему отечественному специалисту в области моделирования приборов и технологических процессов полупроводниковой электроники, доктору технических наук, профессору

Воеводин, В. А. (Автор МИЭТ, ИБ).
О задаче оценивания устойчивости функционирования элементов информационной инфраструктуры, подверженной воздействию угроз информационной безопасности. I. Постановка задачи / В. А. Воеводин. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 2. - С. 249-256.

Аннотация: Для принятия решения по обеспечению безопасности информационной инфраструктуры в целях ее устойчивого функционирования в условиях воздействия угроз органам управления требуется инструмент, позволяющий оценивать устойчивость функционирования ее отдельных элементов. Применение полумарковской модели в прямой постановке сопряжено с ростом сложности описания объекта моделирования в степенной прогрессии от числа учитываемых воздействий, что снижает ее практическую значимость. В работе сформулирована задача по поиску путей снижения дескриптивной сложности при моделировании. При поиске решения учтен имеющийся ресурс для восстановления функциональности поврежденных элементов и введены ограничения на количество воздействий, что позволяет снизить сложность моделирования. Результаты исследования расширяют знания о возможности приложения известных формальных методов полумарковского моделирования для оценивания устойчивости функционирования элементов информационной инфраструктуры и служат основой для разработки соответствующей методики

Мониторинг оксигенации гемоглобина с помощью прибора NIRS4 и разработанного алгоритма / Д. А. Буянов, П. В. Шалаев, П. А. Монахова, А. Ю. Герасименко. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 2. - С. 223-235.

Аннотация: Носимые устройства, осуществляющие непрерывное наблюдение за физиологическими сигналами организма, позволяют диагностировать и лечить заболевания, а также повышать эффективность физических нагрузок. При измерении количественных показателей методом ближней ИК-спектроскопии возникает проблема, связанная с неопределенностью оптической длины оптического пути. Без знания оптической длины невозможно получить точные значения, поэтому количественными показателями будут относительные концентрации гемоглобина, выражающиеся в условных единицах. В работе выполнены сравнительная оценка и анализ результатов измерения оксигенации гемоглобина с помощью прибора NIRS4 и разработанного алгоритма. Описаны проведенные эксперименты по определению индекса оксигенации. Установлено, что измеренные значения для каждой фракции гемоглобина соответствуют известным значениям, а расчет концентрации оксигенирированного гемоглобина с использованием разработанного метода дает изменения в концентрации того же порядка, что и типичные данные для других методов и приборов. Результаты исследования могут использоваться для ранней диагностики биохимической активности организма. Это открывает новые возможности для развития методов диагностики и контроля состояния здоровья на основе показателей концентрации гемоглобина в крови

Многофункциональный сенсорный модуль повышенной защищенности со спутниковой навигацией / Л. С. Челышев, С. П. Тимошенков, Н. И. Плис, В. О. Орлов. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 2. - С. 194-202.

Аннотация: Мониторинг состояния груза и определение его местоположения в процессе транспортирования - важная задача, так как согласно статистике пропажа грузов в России носит проблемный характер. В работе предложено электронное изделие, способное фиксировать местоположение груза в реальном времени. Рассмотрены аналоги предлагаемого решения. Разработана и изготовлена электронная система на основе инерциальных МЭМС, блока обработки информации, комплексированная с различными спутниковыми навигационными системами, такими как GPS, ГЛОНАСС, "Бэйдоу". Показано, что предложенная электронная система позволяет определять расположение объекта в пространстве, измерять внешние механические воздействия на объект и передавать их по GSMканалу. Устройство работает в диапазоне температур от -55 до +60 °C и предназначено для широкого применения на транспорте, для контроля состояния различных перевозимых грузов. Создан опытный образец, автономно передающий показатели груза, такие как местоположение, ускорение, наличие вскрытия, температура внешняя и груза, и способный к подключению внешних датчиков. Проведен анализ существующих решений на рынке и места разработанного изделия среди них. Тестирование подтвердило работоспособность изделия

Лабунову Владимиру Архиповичу - 85 лет. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 2. - С. 257.

Аннотация: 16 марта 2024 г. исполнилось 85 лет Владимиру Архиповичу Лабунову, известному ученому в области микро- и наноэлектроники, академику НАН Беларуси, доктору технических наук, профессору

Зикий, А. Н.
Исследование характеристик управляемого генератора 10-см диапазона / А. Н. Зикий, А. С. Кочубей. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 2. - С. 203-209.

Аннотация: Важной составной частью широкодиапазонной измерительной аппаратуры являются управляемые генераторы. Генератор 10-см диапазона (2,1–3,7 ГГц) входит в состав анализатора цепей Х1-55. Однако данные о выявлении паразитных параметров выходного сигнала – нелинейности перестройки, выбега частоты, зависимости частоты от напряжения питания, уровней гармоник – в техническом описании измерительного прибора Х1-55 отсутствуют. В работе рассмотрены экспериментальные характеристики генератора 10-см диапазона, в том числе модуляционная характеристика, зависимость частоты от напряжения питания, выбег частоты, спектр выходного сигнала в ближней и дальней зонах. Приведены принципиальная схема задающей части генератора и описание ее конструкции. Получены следующие результаты: диапазон рабочих частот 2,1–3,7 ГГц; выходная мощность (15,8 ± 0,44) дБм; управляющее напряжение от 2 до 36 В; средняя крутизна модуляционной характеристики 0,45 МГц/В; напряжение питания положительное (+12 В); напряжение питания отрицательное (–6 В); подавление второй гармоники 31,7 дБ; подавление третьей гармоники 33,7 дБ; ток потребления по цепи +12 В составил 110 мА. Сравнение заданных и полученных основных значений параметров генератора показало, что основные требования, предъявляемые к таким устройствам, обеспечиваются

Исследование роли гидростатических эффектов в слое расплава олова в формировании вакуумно-плотного SLID-соединения Cu-Sn / А. Б. Грабов, Д. Д. Рискин, С. Ю. Суздальцев [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 2. - С. 168-174.

Аннотация: При герметизации микроэлектромеханических систем SLIDсоединением Cu-Sn в процессе бондинга в слое расплава олова возникают локальные утолщения – булги, препятствующие образованию вакуумноплотного SLID-соединения Cu-Sn. В работе с помощью средств видеофиксации установлена причина образования булгов при действии гидростатических сил поверхностного натяжения в расплаве олова. Показана взаимосвязь наличия булгов с изменением режима диффузии олова в матрицу меди и обеспечением вакуумной плотности SLID-соединения. Экспериментально подтверждено, что наиболее стабильный режим диффузии олова в медь и образование вакуумно-плотного SLID-соединения в процессе бондинга обеспечивает слой олова с толщиной меньше критического радиуса Лапласа

Исследование концентрации и подвижности носителей заряда в наноструктурированных термоэлектрических материалах на основе PbTe и GeTe / Д. В. Пепеляев, Е. П. Корчагин, М. Ю. Штерн [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 2. - С. 147-157.

Аннотация: Перспективным направлением повышения термоэлектрической добротности ZT является разработка наноструктурированных термоэлектрических материалов (ТЭМ), в том числе на основе теллурида свинца PbTe и теллурида германия GeTe. Для оптимизации технологии наноструктурирования важно знать механизмы тепло- и электропереноса в ТЭМ, зависящие от концентрации и подвижности носителей заряда. В работе для формирования наноструктурированных среднетемпературных ТЭМ на основе PbTe n-типа и GeTe p-типа использована разработанная технология, включающая синтез прямым сплавлением компонентов, измельчение синтезированных PbTe и GeTe в планетарной шаровой мельнице до нанодисперсных порошков и их консолидацию в объемный материал искровым плазменным спеканием. Омические контакты на образцах ТЭМ для проведения электрофизических измерений сформированы электрохимическим осаждением никеля. Исследованы температурные зависимости термоэлектрических параметров наноструктурированных ТЭМ. Для измерения концентрации и подвижности основных носителей использован метод Ван дер Пау. Установлено, что значения концентраций основных носителей заряда ТЭМ, полученных горячим прессованием и искровым плазменным спеканием, находятся в диапазоне 1019–1020 см–3, что является оптимальным для ТЭМ. Выявлено, что подвижность основных носителей для PbTe значительно выше, чем для GeTe. При этом подвижность основных носителей в наноструктурированном PbTe уменьшилась на 36 % по сравнению с PbTe-HP. Однако это не привело к заметному уменьшению электропроводности, что обусловлено повышением концентрации основных носителей. В результате для наноструктурированных PbTe и GeTe достигнуты максимальные значения параметра ZT соответственно на 14 и 13 % выше, чем для ТЭМ, сформированных горячим прессованием

Лазаренко, П. И. (Автор МИЭТ, Ин-т ПМТ).
Измерительный комплекс для исследования температурных зависимостей электрического сопротивления халькогенидных материалов в твердом и жидком состояниях / П. И. Лазаренко. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 2. - С. 158-167.

Аннотация: В настоящее время фазопеременные халькогенидные материалы активно применяются для создания энергонезависимой электрической и оптической памяти и различных устройств перестраиваемой фотоники. Принцип перевода халькогенидных материалов из кристаллического в аморфное состояние основан на процессе плавления. Определение параметров фазового перехода кристалл – расплав и связанных с ним процессов, воздействующих на фазопеременный материал, является критически важным с позиции дальнейшего увеличения количества рабочих циклов и оптимизации параметров создаваемых устройств, в том числе энергопотребления. В работе представлены результаты разработки, создания и введения в эксплуатацию аппаратно-программного комплекса по измерению электрического сопротивления халькогенидных материалов во время нагрева. Разработанный аппаратно-программный комплекс позволяет проводить измерения температурных зависимостей электрического сопротивления различных полупроводниковых материалов, в том числе в расплавленном состоянии, от комнатной температуры до температуры 800 °С как на воздухе, так и в инертной атмосфере. Проверка работоспособности аппаратно-программного комплекса проведена на селене и теллуре. Результаты измерений показали высокую сходимость с литературными данными и результатами дифференциальной сканирующей калориметрии

Чистяков, А. Ю.
Деревья обратного прохода на смешанном коммутационном графе для ускоренной трассировки ПЛИС / А. Ю. Чистяков, М. А. Заплетина. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 2. - С. 185-193.

Аннотация: Одно из преимуществ проектирования на ПЛИС по сравнению с заказными интегральными схемами и базовыми матричными кристаллами – быстрая физическая реализация требуемой функциональности на кристалле. Однако попытки улучшения итоговых характеристик проектируемых схем в большинстве случаев приводят к увеличению времени проектирования. В связи с этим создание эффективных средств автоматизированного проектирования для современных микросхем класса ПЛИС, учитывающих данные аспекты, имеет важное значение. В работе предложен подход к ускорению этапа трассировки в рамках маршрута топологического проектирования на ПЛИС за счет модификации базового алгоритма трассировки Pathfinder, адаптированного к смешанному графу трассировочных ресурсов. Модификация заключается в построении и использовании структур деревьев обратного прохода, позволяющих реализовать направленный поиск на смешанном графе без информации о геометрических координатах его элементов. Для тестирования нового алгоритма использованы наборы схем LGSynth’89, IWLS’2005 и ряд проектов с сайта opencores.org. Работа алгоритма проанализирована на примере четырех ПЛИС. Согласно анализу результатов вычислительных экспериментов, улучшенный алгоритм продемонстрировал уменьшение времени трассировки в среднем от 1,8 до 3,6 раза в зависимости от целевой ПЛИС

Пилькевич, А. В.
Влияние импульсной мощности на параметры пленочных поглощающих элементов / А. В. Пилькевич, В. Д. Садков. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 2. - С. 175-184.

Аннотация: Современному состоянию развития пленочных поглощающих элементов, применяющихся для построения волноводных, коаксиальных, полосковых и микрополосковых аттенюаторов и адаптоаттенюаторов, а также в гибридных интегральных схемах ВЧ- и СВЧ-диапазонов, присущи поиск путей повышения электрических характеристик и лучшее понимание происходящих в поглощающих элементах процессов. Значительный интерес представляет тепловая устойчивость поглощающих элементов при импульсном воздействии, зависящая от ряда трудно моделируемых конструктивно-технологических факторов. В работе с использованием программного комплекса Elcut проведено моделирование режима работы пленочного поглощающего элемента, в котором все выделяемое входными импульсами тепло поглощается пленкой с учетом зависимостей ее удельного поверхностного сопротивления и удельной теплоемкости от температуры. Исследованы зависимости плотности тепловыделения, распределения удельного поверхностного сопротивления и напряженности электрического поля по поверхности резистивной пленки для ряда топологий поглощающих элементов больших и малых ослаблений – типовых и оптимизированных – с более равномерным распределением плотности тока и градиентов потенциала по поверхности пленки. Предложена методика и приведены зависимости входного сопротивления и ослабления поглощающего элемента от энергии входного импульса, удельной теплоемкости и температурного коэффициента удельного сопротивления с учетом их температурных зависимостей для типовых материалов резистивных пленок. Показано, что ключевые параметры поглощающих элементов могут изменяться в ряде случаев более чем на 40 % по ослаблению и более чем на 80 % по входному сопротивлению. Предложенная методика может быть использована для определения максимальной энергии входного импульсного сигнала по наивысшей мгновенной допустимой температуре перегрева резистивной пленки