| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 1. СВЧ-ТЕХНИКА. 4. - Москва : НПП Исток им. А.И. Шокина, 2023. - URL: https://istokmw.ru/client-edition/ (дата обращения: 14.06.2024). - Режим доступа: свободный. - Те... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Оптимизация технологии формирования контактного слоя кремния p-типа для p–i–n-диодов / А. С. Дубкова, Д. В. Пухов, Н. Б. Гудкова [и др.]. - Текст : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 1. СВЧ-ТЕХНИКА. - Москва : НПП Исток им. А.И. Шокина, 2023. - № 4. - С. 53-57. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=68493584 (дата обращения: 16.10.2025). - URL: https://istokmw.ru/client-edition/ (дата обращения: 14.06.2024). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Дубкова, А. С., Пухов, Д. В., Гудкова, Н. Б., Рябов, Н. В., Ильюшина, Н. Д., Кольцов, В. Б. |
| Ключевые слова: | Кремний, Ионная имплантация, Газофазная эпитаксия, P–I–N-диоды |
| Аннотация: | Статья посвящена формированию кремниевой структуры для p–i–n- диодов. В работе рассмотрены и апробированы три метода получения контактного низкоомного слоя p-типа: ионная имплантация, эпитаксиальное наращивание, комбинация этих двух методов. Сделаны выводы об эффективности предлагаемых методик |
| Поиск: | Источник |
| Ссылка на ресурс: | https://istokmw.ru/client-edition/ |