Шевнина, Ю. С. (Автор МИЭТ, Ин-т СПИНТех).
Управление параметрами исполнительного оборудования при автоматизации сборочных операций / Ю. С. Шевнина, Л. Г. Гагарина, Е. В. Конюхов. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 5. - С. 679-686.

Аннотация: Основная проблема сборочных операций – определение взаимного расположения / ориентирования элементов и их последующего совмещения. Следовательно, при автоматизации сборочных операций в микроэлектронике необходимо учитывать технологические и конструктивные особенности собираемых изделий, такие как маршрут сборки изделия, схема совмещения и соединения элементов, линейные размеры, тип изделия, физико-химические свойства изделия и его составные элементы, технические условия и требования к сборке изделия. Кроме того, крайне важно соблюдать основные принципы, позволяющие обеспечивать качество изделия, его долговечность и надежность при эксплуатации. В работе определены параметры исполнительного оборудования при автоматизации сборочных операций. Исследована конфигурация производственного оборудования, представляющая собой совокупность настроек, аппаратных ограничений, выбранных дополнительных устройств и типов интерфейсов. Представлены образ изделия, учитывающий все его особенности, математическая модель изделия, полученная на основе его образа, математическая модель конфигурации исполнительного оборудования, схема автоматизированной сборки изделия. Рассмотренные решения дают возможность сформировать методику, позволяющую адаптивно выбирать конфигурацию оборудования с учетом маршрута сборки изделия, совмещаемых элементов и их характеристик, полученных в результате анализа и синтеза информации из технологической и конструкторской документации

Термоэлектрические системы для прецизионного регулирования температуры / Ю. И. Штерн, М. Ю. Штерн, М. С. Рогачев, Я. С. Кожевников. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 5. - С. 625-639.

Аннотация: При создании прецизионных систем регулирования температуры необходимо учитывать множество факторов, которые влияют на функциональные и эксплуатационные характеристики термоэлектрических систем. В работе рассмотрено метрологическое обеспечение для исследования и контроля параметров термоэлектрических материалов, структур и приборов на всех этапах разработки и изготовления термоэлектрических систем. Представлены разработанные и полученные эффективные наноструктурированные материалы на основе BiTeSe и BiSbTe с безразмерной термоэлектрической добротностью 1,16 и 1,24 соответственно. Проведены комплексные исследования данных материалов, определены механизмы электро- и теплопроводности, установлена взаимосвязь между структурой и их параметрами. Разработана технология металлдиэлектрических коммутационных матриц на основе оксидированных сплавов алюминия для термоэлектрических модулей. Определена кинетика роста пористых анодных оксидных пленок на сплавах алюминия. Обоснованы способы формирования и применения материалов контактов в термоэлектрических модулях, удельное контактное сопротивление которых равно 10-9 Ом·м2 , а адгезионная прочность составляет до 19 МПа. Разработана технология герметизации термоэлектрических модулей с повышенной надежностью и механической прочностью. Определены и обоснованы критерии проектирования, на основе которых изготовлены источники питания для термоэлектрических систем с низким уровнем пульсаций (0,3 %) и высоким КПД (93 %). Для расчета температуры в электронных термометрах разработаны и подтверждены математические модели, позволяющие определять температуру с точностью до 5·10-3 К. Представленные высокоточные электронные средства измерения температуры, а также прецизионные термоэлектрические термостаты, калибраторы, камеры тепла и холода имеют рабочие температуры от -50 до +60 °С

Температурные характеристики шумовых диодов / А. О. Зеневич, О. В. Кочергина, В. В. Буслюк [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 5. - С. 608-615.

Аннотация: Для создания генераторов шума, как правило, используются шумовые диоды. На сегодняшний день зависимость параметров генерируемого шумовым диодом сигнала, его напряжения пробоя, последовательного и дифференциального сопротивления, частоты следования шумовых импульсов от температуры изучена слабо. В работе исследованы кремниевые планарные шумовые диоды моделей ND102L, ND103L и ND104L. С использованием экспериментальной установки выяснено, что рост температуры приводит к увеличению напряжения пробоя исследуемых шумовых диодов. Получены коэффициенты линейности зависимости напряжения пробоя от температуры, равные 2,6; 3,2; 3,0 мВ/К для диодов ND102L, ND103L и ND104L соответственно. Установлено, что наибольшие значения напряжения пробоя характерны для диодов ND102L, а наименьшие – для диодов ND104L во всем диапазоне исследуемых температур. Обнаружено, что повышение температуры приводит к уменьшению последовательного сопротивления. Данная зависимость линейна и наиболее сильно проявляется для диодов ND102L, а наименее - для диодов ND104L. Показано, что дифференциальное сопротивление не зависит от температуры в исследуемом температурном диапазоне. Определено, что наибольшая зависимость напряжения пробоя и частоты следования шумовых импульсов от температуры характерна для диодов ND104L, а наименьшая - для диодов ND102L, наибольшая стабилизация напряжения питания требуется при использовании шумовых диодов ND104L

Сауров, М. А. (Автор МИЭТ (аспирант)).
Расчет КПД фотодиода при наличии генерации и рекомбинации в области пространственного заряда / М. А. Сауров, А. В. Лакалин, М. Г. Путря. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 5. - С. 595-607.

Аннотация: При проектировании фотодетекторов, применяемых в условиях внешнего воздействия, необходимо учитывать изменения электрических характеристик, обусловленных токами генерации и рекомбинации на возникающих дефектах кристаллической решетки. В работе приведен вывод общего выражения для генерационно-рекомбинационных токов в области пространственного заряда p–n-перехода. Представлен алгоритм расчета ВАХ фотодиодов с учетом генерационно-рекомбинационных процессов в области пространственного заряда фотодиода и эффекта Пула – Френкеля. Разработан алгоритм расчета КПД фотодиода при наличии дефектов различных типов. Приведены результаты расчетов, позволяющие оценить влияние дефектов на электрические характеристики фотодиодов

Особенности разработки программной документации по стандартам ЕСПД для САПР микроэлектроники / М. А. Гундарцев, М. Ю. Семенов, В. С. Калашников [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 5. - С. 687-693.

Аннотация: Разработка программных САПР ведется в строгом соответствии с требованиями Единой системы программной документации (ЕСПД). На каждый разрабатываемый программный продукт необходимо выпускать комплект сопроводительной программной документации, выполненной в соответствии с ЕСПД. Актуальные стандарты ЕСПД не учитывают специфики разработки сложного современного программного обеспечения. В работе рассмотрены особенности разработки программной документации при создании программного обеспечения для проектирования изделий микроэлектроники в соответствии со стандартами ЕСПД. Представлены виды программных и эксплуатационных документов и их содержание. Приведен пример подготовки пояснительной записки эскизного проекта по стандартам ЕСПД. Рассмотрен подход модульного разбиения программного продукта САПР при разработке программной документации, позволяющий описать функционал программы, применяемые алгоритмы, математические модели, форматы входных и выходных данных и др. Отмечена необходимость корректировки существующей нормативной программной документации ЕСПД с учетом современных реалий, а также разработки структурированной методики по оформлению каждого программного документа

Об итогах International Conference “Functional Chalcogenides: Physics, Technology and Applications”. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 5. - С. 694.

Аннотация: С 23 по 27 июня 2024 г. в Национальном исследовательском университете "МИЭТ" проходила первая международная конференция, посвященная халькогенидным функциональным материалам, – International Conference "Functional Chalcogenides: Physics, Technology and Applications". Конференция проводилась в рамках программы развития МИЭТ при поддержке программы стратегического академического лидерства "Приоритет-2030 и лаборатории Материалы и устройства активной фотоники" МИЭТ

Егоркин, В. И. (Автор МИЭТ, Ин-т ИнЭл).
Нормально-закрытые GaN-транзисторы для комплементарной пары / В. И. Егоркин, О. Б. Чуканова. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 5. - С. 616-624.

Аннотация: Для решения задач микроминиатюризации и повышения функциональных возможностей приборов на основе гетероструктур AlGaN/GaN необходимо создавать монолитные схемы, содержащие цифровую и аналоговую части, изготовленные на едином кристалле. Наиболее перспективным способом создания нормально-закрытого GaN-транзистора является использование p-GaN-затвора. В работе представлены результаты моделирования нормально-закрытых n- и р-канальных транзисторов на основе GaN-структуры с р-GaN эпитаксиальным слоем. Физическая модель нормально-закрытого транзистора с р-затвором откалибрована в соответствии с экспериментом. Установлено, что ВАХ смоделированных транзисторов отличаются от ВАХ экспериментальных образцов не более чем на 20 %. Выбрана конструкция р-канального транзистора с учетом того, что пороговые напряжения n- и р-канальных транзисторов для комплементарной пары должны совпадать по модулю –1 В. Показана возможность создания на основе рассматриваемой гетероструктуры комплементарной пары с точкой переключения 2,7 В для монолитных ИС

Методика оптимизации электрофизических характеристик МОП-транзистора с использованием приборно-технологического моделирования / Д. Жангиреев, А. В. Шемякин, С. О. Белостоцкая, А. С. Сивченко. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 5. - С. 585-594.

Аннотация: Приборно-технологическое моделирование для оптимизации характеристик МОП-транзистора путем симуляции маршрута его изготовления и вариации параметров технологических процессов позволяет определить оптимальные параметры технологических процессов, а также может использоваться для оптимизации конструкции транзистора и улучшения его электрофизических характеристик. Оптимизация осуществляется на этапе разработки технологии. От правильно построенной модели и, как следствие, конечных результатов оптимизации будут зависеть характеристики ИС. В работе в результате процедуры оптимизации определены входные (технологические) параметры выбранного технологического узла и выходные значения характеристик прибора. Рассмотрены ключевые факторы, влияющие на быстродействие МОП-транзистора, по которым формируется расчетный проект. Проведено моделирование n-канального МОП-транзистора с различными значениями параметров дозы и энергии ионов технологической операции ионной имплантации для корректировки порогового напряжения. Получены оптимизированные электрофизические параметры n-канального МОП-транзистора, удовлетворяющие следующим критериям оптимизации: при номинале порогового напряжения (0,85 ± 0,05) В определены его оптимальные значения по крутизне, токам насыщения и утечки

Исследование структуры слоев GaAs в гетерокомпозициях aAs/Ge/GaAs методами просвечивающей электронной микроскопии / В. А. Сазонов, Н. И. Боргардт, А. С. Приходько [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 5. - С. 559-574.

Аннотация: Для создания устройств, работающих в терагерцовом диапазоне, и топологических изоляторов представляют интерес гетерокомпозиции с активной областью на основе слоев GaAs/Ge/GaAs. Оптические и электрофизические свойства таких приборов во многом зависят от технологических условий их формирования. В работе исследована структура слоев GaAs в гетерокомпозициях GaAs/Ge/GaAs, выращенных на подложке GaAs(001) методом молекулярно-пучковой эпитаксии при технологических условиях, обеспечивающих разворот кристаллических решеток верхнего и нижнего слоев GaAs на 90° для образцов одного типа и не приводящих к такому развороту для образцов другого типа. Сформированные гетерокомпозиции исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии и электронографического анализа с использованием тонкой фольги поперечного сечения, приготовленной с применением метода фокусированного ионного пучка. Установлено, что слои GaAs/Ge/GaAs имеют высокое кристаллическое совершенство для обоих типов образцов, но в слоях GaAs, расположенных над слоем Ge, образуются дефекты упаковки и антифазные домены. Идентификация взаимной ориентации верхнего и нижнего слоев GaAs в GaAs/Ge/GaAs выполнена путем сравнения распределения интенсивности в дисках 002 и 002 на дифракционных картинах, полученных при дифракции сходящегося электронного пучка. На основе моделирования таких картин показано, что ориентация образца вдоль оси зоны [310] является оптимальной для выявления различий в дифракционных узорах в псевдозапрещенных дисках 002 и 002. Экспериментальные дифракционные картины, полученные при таких условиях, позволили подтвердить одинаковую ориентацию кристаллических решеток верхнего и нижнего слоев GaAs в образцах одного типа и разворот решеток этих слоев на 90° вокруг направления [001] в образцах другого типа

Бибило, П. Н.
Выбор блочных покрытий при схемной реализации разреженных систем дизъюнктивных нормальных форм булевых функций / П. Н. Бибило, С. Н. Кардаш, В. И. Романов. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 5. - С. 658-678.

Аннотация: Для матричных форм разреженных систем дизъюнктивных нормальных форм (ДНФ) булевых функций троичная матрица, задающая элементарные конъюнкции, содержит большую долю неопределенных значений, соответствующих в алгебраической записи отсутствующим литералам булевых переменных, а булева матрица, задающая вхождения конъюнкций в ДНФ функций, содержит большую долю нулевых значений. В работе рассмотрена проблема выбора лучших способов схемной реализации в заказных цифровых СБИС разреженных систем ДНФ полностью определенных булевых функций. Установлено, что для таких систем ДНФ достаточно эффективным способом технологически независимой оптимизации является двухэтапный способ, включающий в себя на первом этапе блочное покрытие системы ДНФ блоками (подсистемами ДНФ) меньшей размерности, на втором этапе – минимизацию многоуровневых представлений подсистем функций блоков в классе бинарных диаграмм решений либо в классе булевых сетей. Показано, что выбор лучшего блочного покрытия основан на переборе покрытий с ограниченным числом входных переменных блоков покрытия

Скрипаль, А. В.
Влияние инжекции электронов и температуры на газовую чувствительность алмазографитовых пленочных структур к парам воды / А. В. Скрипаль, Н. А. Трунилин, Р. К. Яфаров. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 5. - С. 575-584.

Аннотация: Газовые сенсоры, созданные на основе широкозонных металлооксидных материалов (включая диоксид олова), позволяют детектировать широкий спектр газов органической и неорганической природы. Однако число материалов, которые используются для их получения, ограниченно, и они экологически небезвредены. Для развития «зеленых» полупроводниковых технологий значительный интерес как с фундаментальной, так и с прикладной точек зрения представляет создание новых материалов и структур с газочувствительными свойствами, а также конкурентоспособных методов их получения. В работе исследованы возможности использования в качестве газочувствительных материалов алмазографитовых пленочных структур, полученных в плазме микроволнового газового разряда паров этанола. Проведены исследования закономерностей влияния напряжения инжекции электронов, температуры и влажности воздуха на ВАХ и удельные поверхностные сопротивления алмазографитовых пленочных структур. Показано, что выявленные закономерности могут быть описаны с использованием теории токов, ограниченных пространственным зарядом в некристаллических структурах с ловушками захвата. Установлено существование у края разрешенной зоны электронной структуры используемого материала полосы с повышенной плотностью локализованных электронных состояний с энергией около 0,032 эВ, которая определяет характер зависимостей удельного поверхностного сопротивления сенсорной структуры от параметров детектирования газовой среды. Показана высокая эффективность использования алмазографитовых пленочных структур для детектирования паров воды в виде более чем трехкратного уменьшения их удельных поверхностных сопротивлений по сравнению с отсутствием паров воды в атмосфере

Анализ влияния радиационных эффектов на характеристики операционного усилителя с использованием универсальной SPICE-RAD-модели биполярных транзисторов / К. О. Петросянц, М. В. Кожухов, Д. А. Попов [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2024. - № 5. - С. 640-657.

Аннотация: Операционные усилители широко используются в электронных системах, к которым предъявляются требования по стойкости к воздействию ионизирующих излучений. В связи с этим у разработчика ИС возникает необходимость проводить схемотехническое моделирование с учетом радиационных факторов. Основной проблемой этого метода моделирования операционных усилителей является отсутствие в SPICE-подобных программах адекватных моделей биполярных транзисторов, учитывающих влияние разных видов излучения. Существующие SPICE-модели биполярных транзисторов позволяют учитывать влияние гамма-квантов и нейтронов и имеют ряд недостатков. В работе представлены модели операционных усилителей, реализованные на транзисторном уровне. Для схемотехнического моделирования операционных усилителей с учетом радиационных эффектов предложена универсальная SPICE-RAD-модель, адекватно описывающая характеристики биполярных транзисторов до и после воздействия различных видов радиации. Представлены результаты моделирования основных электрических характеристик двух типов операционных усилителей (аналоги AD829, uA741) до и после воздействия ионизирующего излучения в диапазоне доз до 2 Мрад и в диапазоне мощностей доз 0,1–50 рад/с. Разница между экспериментальными и смоделированными характеристиками операционных усилителей составляет не более 20 %