Технология формирования гибкого термоэлектрического генератора методом трафаретной печати модифицированных суспензий на основе твердых растворов Bi2Te3-Bi2Se3 и Bi2Te3-Sb2Te3 / И. А. Волощук, Д. Ю. Терехов, М. Ю. Штерн, А. А. Шерченков. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 1. - С. 16-23.

Аннотация: Использование гибких термоэлектрических генераторов (ТЭГ) - перспективное решение проблемы энергоснабжения носимой электроники с автономным питанием. ТЭГ напрямую преобразовывают тепловую энергию в электрическую и обеспечивают плотный тепловой контакт с различными развитыми поверхностями. В работе представлена технология разработки и изготовления гибкого ТЭГ методом трафаретной печати из модифицированных суспензий. Для формирования ветвей nи p-типа использованы суспензии на основе порошков термоэлектрических материалов Bi2Te2,8Se0,2 и Bi0,5Sb1,5Te3 соответственно, модифицирующей добавки нанопорошка оксида меди (0,1 масс. %) и водного щелочного раствора силиката натрия в качестве связующего. Разработанный ТЭГ включает в себя 12 пар ветвей n- и p-типа. В качестве гибкого основания использована силиконовая матрица размером 35 х 44 х 3 мм. Установлено, что модифицирование суспензий позволяет повысить плотность мощности, вырабатываемой разработанным гибким термоэлектрическим генератором, в 7,5 раз по сравнению с ТЭГ на основе ветвей из немодифицированных суспензий. Показано, что при низких температурах термоЭДС разработанных гибких ТЭГ соответствует термоЭДС ТЭГ, описанных в литературных источниках, и ТЭГ, изготовленных без применения добавок. В то же время при увеличении перепада температур на горячем и холодном спаях термоЭДС рассматриваемого ТЭГ значительно выше. Предложенная технология перспективна и может быть использована для формирования ветвей термоэлементов гибких ТЭГ

Жимантас, Д. К. (Автор МИЭТ, Ин-т СПИНТех).
Сравнительный анализ использования методов управления качеством в условиях инновационного территориального кластера / Д. К. Жимантас. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 1. - С. 24-31.

Аннотация: В настоящее время в России актуально создание эффективных методов взаимодействия между различными организациями: частными компаниями, образовательными учреждениями и государственными корпорациями. Одной из таких площадок для сотрудничества являются инновационные территориальные кластеры. У каждого участника такого объединения имеется структура, управляющая качеством. В работе изучена проблема определения наиболее оптимальных методов управления качеством для функционирования организации в инновационных территориальных кластерах. Рассмотрены наиболее известные методы управления качеством. Предложена формула определения эффективности метода управления качеством участника инновационного территориального кластера. Установлены показатели, необходимые для расчета. Представлены результаты сравнительного анализа использования методов управления качеством в условиях инновационного территориального кластера на основе разработанной формулы расчета эффективности. Сформулированы выводы по итогам сопоставления. Обозначена важность установки целей в области качества при выборе методов управления качеством. Предложена оригинальная структурная схема автоматизированного регулятора системой управления качеством в условиях инновационного территориального кластера. Приведены результаты анализа разработанной структуры. Показано, что применение такой структурной схемы как одного из модулей управления позволит повысить эффективность развития организации в условиях инновационного территориального кластера

Саурову Александру Николаевичу - 65 лет. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 1. - С. 117-118.

Аннотация: 3 января 2025 г. исполнилось 65 лет Саурову Александру Николаевичу, специалисту в области методов самосовмещенного формирования интегральных микро- и наноструктур, кремнийуглеродных нанотехнологий в микроэлектронике и микросистемной технике, директору Института нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (ИНМЭ РАН), академику РАН, доктору технических наук, профессору

Бычков, Д. В.
Расчет параметров нитевидных кристаллов, сформированных на поверхности автоэлектронных катодов магнетронов с безнакальным запуском / Д. В. Бычков, В. С. Петров, И. П. Ли. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 1. - С. 7-15.

Аннотация: Разработка и внедрение в серийное производство линейки безнакальных магнетронов сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн с импульсной мощностью от нескольких десятков до нескольких сотен киловатт - одна из перспективных задач в области развития электровакуумных СВЧ-приборов. В подобном классе магнетронов автоэлектронные катоды обеспечивают инициирование начала генерации на каждом импульсе модулирующего напряжения, а режим генерации поддерживается вторично-эмиссионным катодом, одновременно являющимся активатором автоэлектронного катода. В работе с использованием метода Фаулера - Нордгейма получены электрофизические характеристики нитевидных кристаллов (вискеров), образованных на поверхности автоэлектронных катодов при максимально допустимых интервалах высоковольтного напряжения. Выявлено, что ток автоэлектронной эмиссии формируется за счет вискеров. Установлены условия достижения необходимых для режима генерации высоких токов автоэлектронной эмиссии в магнетроне

Кулиш, А. М. (Автор МИЭТ (аспирант)).
Проектирование малошумящего усилителя с байпас-каналом X-диапазона частот с использованием библиотеки элементов технологического процесса 0,5 мкм GaAs-pHEMT / А. М. Кулиш, В. В. Лосев. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 1. - С. 64-75.

Аннотация: В приемопередатчиках и измерительной аппаратуре требуется дискретная регулировка коэффициента усиления, выходной и потребляемой мощности. Это может быть реализовано при использовании усилителей с байпас-каналом с заданным коэффициентом прохождения СВЧ-сигнала на выходе функционального узла. В работе представлена процедура проектирования монолитной интегральной схемы малошумящего усилителя с байпас-каналом X-диапазона частот с использованием библиотеки моделей элементов технологического процесса GA05-D-L-01, который основан на применении GaAs-pHEMT-транзисторов с длиной затвора 0,5 мкм. Описаны особенности работы монолитной интегральной схемы. При проектировании малошумящего усилителя и байпас-канала, интегрированных на одном кристалле монолитной интегральной схемы с помощью двухпозиционных коммутаторов, получены следующие результаты: в режиме «Усиление» коэффициент усиления более 20,0 дБ, минимальное значение коэффициента шума 3,0 дБ, потребляемая мощность 300 мВт, возвратные потери по входу-выходу микросхемы не более 10 дБ; в режиме «Байпас» потери в байпас-канале не более 1,5 дБ, коэффициент шума не более 1,5 дБ, возвратные потери по входу-выходу - не более 15 дБ

Гуров, К. О. (Автор МИЭТ, Ин-т БМС).
Применение ШИМ-управления емкостью конденсаторов для стабилизации выходных характеристик системы индуктивного питания имплантатов / К. О. Гуров, Э. А. Миндубаев, А. А. Данилов. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 1. - С. 87-93.

Аннотация: Для компенсации смещений передающей и принимающей катушек индуктивности применяется метод изменения емкости конденсатора в передающей части системы индуктивной передачи энергии к имплантируемым приборам. Однако использование данного метода не решает полностью проблему контролируемого управления емкостью конденсатора. В работе для поддержания постоянной выходной мощности в системе индуктивной передачи энергии предложен метод компенсации смещений катушек индуктивности с применением широтно-импульсной модуляции (ШИМ) управления емкостью схемы с помощью двух последовательных конденсаторов и ключевого транзистора, подключенного параллельно к одному из конденсаторов. Исследовано влияние коэффициента заполнения (скважности) ШИМ-сигнала, частоты ШИМ-сигнала, а также собственных характеристик транзисторов на выходную мощность в системе индуктивной передачи энергии на основе ШИМ-управления емкостью. Показано, что существует множество комбинаций емкостей двух конденсаторов, с помощью которых можно достичь требуемой эквивалентной емкости даже при одинаковом коэффициенте заполнения ШИМсигнала. Установлено, что увеличение частоты ШИМ-сигнала, а также снижение крутизны передаточной характеристики ключевого транзистора позволяют повысить выходную мощность в системе индуктивной передачи энергии

Гаврилова, Д. А. (Автор МИЭТ (магистрант)).
Повышение производительности отладочного сервера за счет оптимизации функции дешифрации команд / Д. А. Гаврилова. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 1. - С. 107-116.

Аннотация: Встраиваемые системы, объединяющие аппаратную и программную составляющие, обеспечивают бесперебойную работу различных приборов и механизмов. Для повышения качества разработки активно применяются виртуальные прототипы встраиваемых систем. Отладка и тестирование программного обеспечения встраиваемых систем на виртуальных прототипах требуют создания отладочного сервера. При тестировании отладочный сервер обрабатывает большое количество запросов от оператора или от тестового сценария. В связи с ростом числа тестируемых устройств и усложнением тестовых сценариев время отклика сервера становится критичным. В работе рассмотрена оптимизация алгоритма дешифрации команд отладки с помощью линейного и бинарного поисков. Основное внимание уделено внедрению двухуровневой структуры обработки команд, обеспечивающей уменьшение времени обработки поступающих запросов. Исследована производительность программных решений с использованием экспериментальных методов. Для анализа эффективности предложенного метода проведены эксперименты с измерением времени выполнения функций обработки команд. Показано, что такой подход позволяет значительно повысить производительность функции дешифрации команд, в частности время выполнения функции уменьшилось с 10,6 до 4,8 мкс. Описаны методы измерения производительности алгоритмов. Результаты исследований показали целесообразность предложенного решения для повышения производительности отладочного сервера

Смирнов, В. И.
Модуляционный метод измерения тепловых сопротивлений в силовых модулях на IGBT-транзисторах / В. И. Смирнов, А. А. Гавриков, В. Ф. Нейчев. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 1. - С. 40-50.

Аннотация: В процессе функционирования силового модуля на IGBTтранзисторах в любой момент времени открыта только часть транзисторов. Это приводит к дисбалансу температур отдельных кристаллов и возникновению латеральных потоков тепла между ними. Для точной оценки температуры перегрева всех кристаллов модуля необходимо учитывать их взаимные тепловые связи. Определить перекрестные тепловые сопротивления между транзисторами (недиагональными элементами матрицы) проблематично, поскольку импульсный тепловой поток от нагретого кристалла доходит до соседних кристаллов модуля существенно искаженным, что затрудняет измерение их температурного отклика. В работе рассмотрен разработанный модуляционный метод, основанный на нагреве транзисторов модулированной по гармоническому закону мощностью. С помощью аппаратно-программного комплекса, в котором реализован модуляционный метод, проведены измерения диагональных и недиагональных элементов матрицы тепловых сопротивлений силового модуля GD35PIT1205SN. Выявлены две компоненты перекрестного теплового сопротивления. Одна из них связана с потоком тепла по верхнему медному слою платы DBC, другая - с потоком тепла по базовой плате, являющейся основанием корпуса модуля. Разработанный метод позволяет измерять не только все компоненты теплового сопротивления между переходом транзистора и корпусом модуля, но и перекрестные тепловые сопротивления между произвольно выбранными парами транзисторов

Черемисинов, Д. И.
Методы структурного распознавания подсхем проходной транзисторной логики в КМОП-схемах / Д. И. Черемисинов, Л. Д. Черемисинова. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 1. - С. 51-63.

Аннотация: Проверка электрических схем путем их моделирования с помощью симуляторов на уровне транзисторов типа SPICE не позволяет справиться с анализом современных СБИС. Снизить трудоемкость тестирования электрических схем можно за счет замены схемотехнического моделирования СБИС (или части СБИС) на менее затратное логическое моделирование. В работе рассмотрена проблема экстракции высокоуровневой структуры на уровне логических элементов из схемы на транзисторном уровне. Установлено, что получение такого представления существенно уменьшает время выполнения верификации топологии СБИС на стадии ее проектирования и служит основой для перепроектирования ИС и обратного инжиниринга для обнаружения несанкционированных вложений. Задача состоит в декомпиляции плоского описания КМОП-схемы с целью построения иерархического структурного описания, компонентами которого являются логические вентили и их подсхемы. Описания исходной плоской и полученной иерархической КМОП-схем представлены в формате SPICE. Предложены методы экстракции подсхем проходной транзисторной логики, представляющих собой передаточные элементы и построенные на их основе схемы. Показано, что логика на проходных транзисторах в ряде случаев позволяет проще выполнить схемы сложных элементов, таких как мультиплексоры, вентили Исключающее ИЛИ, по сравнению со статической КМОП-логикой. Предложенные методы структурного распознавания передаточных вентилей и схем на их основе реализованы на языке C++ как часть программы декомпиляции плоского описания транзисторной схемы в формате SPICE. Программа протестирована на практических схемах транзисторного уровня. Результатом работы программы декомпиляции является иерархическое SPICE-описание, в которое включены модели всех идентифицированных логических элементов

Исследование зависимости амплитудных характеристик шумовых диодов от температуры / А. О. Зеневич, О. В. Кочергина, В. В. Буслюк [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 1. - С. 32-39.

Аннотация: Для построения генераторов случайных числовых последовательностей, как правило, используются полупроводниковые шумовые диоды. Одним из наиболее важных параметров шумовых диодов является амплитудное распределение выходных импульсов. Это связано с тем, что изменение амплитудного распределения в зависимости от колебаний температуры окружающей среды может привести к уменьшению скорости генерации случайной числовой последовательности, а также к появлению в ней закономерностей. В работе исследованы кремниевые шумовые диоды моделей ND102L, ND103L, ND104L. Установлено, что увеличение температуры приводит к уменьшению среднего значения амплитуды шумовых импульсов и его среднеквадратичного отклонения от температуры. Данная зависимость линейная в диапазоне температур 248–278 К, а при увеличении температуры до 308 К остается практически постоянной. Установлено, что амплитудные распределения импульсов шумовых диодов имеют ярко выраженный максимум, который с понижением температуры смещается в сторону больших значений амплитуд. С понижением температуры пик амплитудных распределений импульсов уменьшается

Пилькевич, А. В.
Исследование влияния конструктивных параметров поглощающих элементов микрополосковых аттенюаторов на их частотные характеристики / А. В. Пилькевич, В. Д. Садков. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 1. - С. 76-86.

Аннотация: Микрополосковые аттенюаторы строятся с использованием навесных поглощающих элементов (ПЭ) на основе распределенных резистивных структур, отличающихся от ПЭ с дискретными пленочными резисторами, изготовленными по П- или Т-схемам, повышенной широкополосностью, малой чувствительностью к точечным дефектам и неоднородностям, разбросу технологических параметров, большей надежностью и устойчивостью к температурным воздействиям. В работе проведено моделирование микрополосковых аттенюаторов для диапазона ослаблений 3-35 дБ с навесными ПЭ, имеющими габариты 2 × 2 × 0,5 мм и 1 × 1 × 0,25 мм, на базе распределенных резистивных структур. Исследовано влияние способов монтажа ПЭ в подложку микрополосковой линии (резистивной пленкой вниз, вверх, в отверстие), условий их заземления, определяемых количеством и диаметром элементов заземления, толщины и диэлектрической проницаемости материала подложки ПЭ, площади металлизации ее обратной стороны, а также геометрии контактов, топологии резистивной пленки и ослабления на частотные характеристики (S11, S21 и коэффициент стоячей волны по напряжению) аттенюаторов. Результаты моделирования в программах CST Studio Suite и Ansys HFSS, представленные в виде графиков, проанализированы и могут быть использованы для оптимизации конструкций микрополосковых аттенюаторов и других устройств с навесными элементами с учетом рассмотренных способов монтажа

Сотников, А. В. (Автор МИЭТ).
Адаптивный алгоритм сопровождения объектов на видеоизображении / А. В. Сотников, А. В. Шипатов, Ю. В. Савченко. - Текст : электронный : непосредственный
// ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2025. - № 1. - С. 94-106.

Аннотация: В большинстве существующих алгоритмов сопровождения объектов на видеоизображении либо реализовано кратковременное слежение за объектом до момента срыва сопровождения без возможности его восстановления, либо выполняется обнаружение сопровождаемого объекта в каждом кадре на основе некоторой заранее построенной модели объекта, адаптирующейся к изменениям его образа. В первом случае необходим отдельный алгоритм захвата объекта после срыва, во втором - требуется каким-либо образом компенсировать ошибки сопровождения из-за проблемы дрейфа рамки слежения при изменении внешнего вида объекта. В работе представлен метод решения задачи устойчивого сопровождения объектов на видеоизображении, основанный на универсальном подходе к построению адаптивных алгоритмов сопровождения, включающем в себя три компонента: слежение, обучение и обнаружение. Разработан алгоритм слежения за контуром объекта, использованный в качестве следящего компонента в составе комплексного алгоритма, реализующего описанный подход. Применение данного алгоритма в разработанной системе сопровождения позволяет повысить адаптивность сопровождения к сильным изменениям образа объекта и добиться устойчивого сопровождения объекта в сложных для анализа видеопоследовательностях. Подтверждена работоспособность программного обеспечения, разработанного на основе предложенного алгоритма