Скобелкин, В. И. (Автор МИЭТ).
О движении поверхности раздела двух фаз в сверхпроводящих тонких пленках / В. И. Скобелкин, Р. А. Волков. - Текст : электронный
// ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК. - Москва : РАН, Наука, 1970. - Т. 195, № 4. - С. 807-810. - URL: https://www.mathnet.ru/rus/dan35830 (дата обращения: 01.05.2025).

Аннотация: Полученный результат о движении возмущения в виде нормальной фазы в сверхпроводнике 2-го рода необходимо учитывать при проектировании тонкопленочных криотронов. Хотя пленка устойчива относительно возмущения магнитного поля, но за время магнитной релаксации нормальная фаза успеет распространиться на значительные расстояния. Для пленки с проводимостью а ^ 102 0 толщиной 0,3 р,, шириной 0,03 мм и длиной 2 мм т ^ ^ 10~7 сек., и полагая v = 105 см/сек., получим область расширения нормальной фазы vxH = 0,1 мм, что значительно превосходит ширину пленки, Время фазового перехода т, лимитирует быстродействие тонкопленочных криотронов. Техническое осуществление значительного быстродействия невозможно, если время переключения меньше времени фазового перехода т. Следовательно, проблема быстродействия криотрона сводится к получению оптимальных магнитных свойств пленки