| Найдено документов - 3 | Статьи из номера журнала: ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. 4(196). - Москва : НИИМЭ, 2024. - Текст : непосредственный : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
Семейство сегнетоэлектриков А2В2О7 для электронной техники и микроэлектроники: структурные аспекты. Поиск новых материалов / Т. В. Захарова, Н. А. Захаров, В. П. Бокарев [и др.]. - Текст : непосредственный : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2024. - № 4(196). - С. 37-53. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=82304339 (дата обращения: 29.05.2025).
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2024. - № 4(196). - С. 37-53. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=82304339 (дата обращения: 29.05.2025).
Авторы: Захарова, Т. В., Захаров, Н. А., Бокарев, В. П., Горнев, Е. С., Красников, Г. Я.
Ключевые слова: Микроэлектроника, Сегнетоэлектрики, Кристаллическая структура, Новые материалы, MICROELECTRONICS, FERROELECTRICS$ CRYSTAL STRUCTURE, NEW MATERIALS
Аннотация: In this paper, a family of ferroelectrics of the A2B2O7 composition is considered as part of the search for new materials for electronic technology and microelectronics. Ferroelectric materials of the A2B2O7 family are characterized by a high melting point, high dielectric constant, chemical resistance, electro-optical properties, as well as a variable crystal structure that provides the possibility of modeling the formation of various properties in them (ferroelectric, semiconductor, magnetoelectric), potentially promising for various applications
Ссылка на ресурс: https://elibrary.ru/item.asp?id=82304339
2. Статья из журнала
Кулиш, А. М. (Автор МИЭТ; Kulish, A. M.).
Проектирование микросхемы 6-разрядного фазовращателя X-диапазона на основе GAAS технологического процесса PHEMT с топологической нормой 0,5 мкм / А. М. Кулиш, В. В. Лосев. - Текст : непосредственный : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2024. - № 4(196). - С. 6-24. - (статья представлена на рус. и англ. яз.). - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82304336 (дата обращения: 29.05.2025). - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=82304337 (дата обращения: 28.05.2025) (статья на англ. языке).
Проектирование микросхемы 6-разрядного фазовращателя X-диапазона на основе GAAS технологического процесса PHEMT с топологической нормой 0,5 мкм / А. М. Кулиш, В. В. Лосев. - Текст : непосредственный : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2024. - № 4(196). - С. 6-24. - (статья представлена на рус. и англ. яз.). - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82304336 (дата обращения: 29.05.2025). - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=82304337 (дата обращения: 28.05.2025) (статья на англ. языке).
Авторы: Кулиш, А. М., Лосев, В. В.
Ключевые слова: GAAS, PHEMT, PHASE SHIFTER, MICROWAVE MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT, Фазовращатели, СВЧ монолитные интегральные схемы
Аннотация: Phase shifters play a crucial role in the formation of the microwave signal emitted by the AESA system by converting its phase. The paper describes the process and presents the results of designing an integrated circuit of a 6-bit discrete-switchable phase shifter of the X-frequency range based on GaAs pHEMT technology with a design norm of 0.5 microns “GA05-D-L-01” by foundry company JSC “Svetlana-Rost”
Ссылка на ресурс: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82304336
Ссылка на ресурс: https://elibrary.ru/item.asp?id=82304337
3. Статья из журнала
Коршунов, А. В. (Автор МИЭТ, Ин-т ИнЭл; Korshunov, A. V.).
Анализ джиттера в высокоскоростных КМОП буферах с учётом шумов в цепях питания / А. В. Коршунов, П. С. Волобуев. - Текст : непосредственный : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2024. - № 4(196). - С. 100-105. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=82304345 (дата обращения: 29.05.2025).
Анализ джиттера в высокоскоростных КМОП буферах с учётом шумов в цепях питания / А. В. Коршунов, П. С. Волобуев. - Текст : непосредственный : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2024. - № 4(196). - С. 100-105. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=82304345 (дата обращения: 29.05.2025).
Авторы: Коршунов, А. В., Волобуев, П. С.
Ключевые слова: Фазовые шумы, Цепи питания, КМОП, Ячейки ввода/вывода, Сети питания, POWER SUPPLY INDUCED JITTER, PSIJ, CMOS, I/O, POWER NETWORK
Аннотация: The paper is devoted to models for the fast analysis of power supply induced jitter (PSIJ) effects to the timings of high-speed I/O interfaces.The paper discusses the main factors for the PSIJ formation and the basic principles for two models of fast analysis for jitter sensitivity. The considered models are based on simple linear model and power supply rejection ratio. The accuracy of the considered model, compared with the results of SPICE modeling for 90 nm technology, averages 11.1%
Ссылка на ресурс: https://elibrary.ru/item.asp?id=82304345