| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: ЗАРУБЕЖНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. № 3. - Москва : ЦНИИ Электроника, 1984. - Текст : непосредственный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Баринов, В. В. Поликремниевые элементы СБИС / В. В. Баринов, М. А. Косых. - Текст : непосредственный // ЗАРУБЕЖНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. - Москва : ЦНИИ Электроника, 1984. - № 3. - С. 3-110. | |
| Авторы: | Баринов, В. В., Косых, М. А. |
| Ключевые слова: | Обзоры, СБИС, Трехмерные интегральные схемы, Поликристаллический кремний, Поликремниевые пленки, Поликремний |
| Аннотация: | Рассмотрены электрофизические свойства легированных поликремниевых плёнок и их зависимость от структуры плёнок. Приведены известные модели проводимости поликремния для основных и неосновных носителей. Показаны области использования поликремниевых структур для создания активных и пассивных элементов СБИС |
| Поиск: | Источник |