Сортировать по:
1. Статья из журнала
Особенности протекания электрического тока в периодических структурах магнитных сенсоров с анизотропией сопротивления / В. С. Шевцов, В. В. Амеличев, Д. В. Костюк [и др.]. - Текст : электронный
// ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ. - Москва : ИКЦ Академкнига, 2025. - Т. 89, № 9. - С. 1506-1512. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=87681103 (дата обращения: 17.02.2026).
Авторы:Шевцов, В. С., Амеличев, В. В., Костюк, Д. В., Касаткин, С. И., Жуков, Д. А., Васильев, Д. В., Поляков, П. А.
Ключевые слова:Спинтроника, Магнитные сенсоры, Анизотропный магниторезистивный эффект, SPINTRONICS, MAGNETIC SENSOR, ANISOTROPIC MAGNETORESISTIVE EFFECT
Аннотация:Разработана модель протекания электрического тока в магниторезистивных элементах, основанная на решении двумерной краевой задачи для уравнения Лапласа со смешанными условиями Дирихле-Неймана в анизотропной среде. Для структуры “barber-pole” методом численного моделирования установлена зависимость выходных характеристик преобразователя от геометрических параметров, что определяет пути оптимизации его чувствительности
Поиск:Источник
Ссылка на ресурс:https://elibrary.ru/item.asp?id=87681103
2. Статья из журнала
Особенности перемагничивания магнитных слоев синтетического антиферромагнетика СПИН-туннельного элемента / Д. В. Васильев, П. А. Поляков, В. В. Амеличев [и др.]. - Текст : электронный
// ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ. - Москва : ИКЦ Академкнига, 2025. - Т. 89, № 9. - С. 1471-1478. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=87681096 (дата обращения: 17.02.2026).
Авторы:Васильев, Д. В., Поляков, П. А., Амеличев, В. В., Поляков, О. П., Касаткин, С. И.
Ключевые слова:Когерентное вращение намагниченностей, СПИН-туннельные элементы, Синтетические антиферромагнетики, Ферромагнитный нанослой, Одноосная анизотропия, THEORETICAL MODEL, COHERENT MAGNETIZATION ROTATION, SPIN-TUNNEL ELEMENT, SYNTHETIC ANTIFERROMAGNET, FERROMAGNETIC NANOLAYER, UNIAXIAL ANISOTROPY
Аннотация:Разработана теоретическая модель спин-туннельного элемента, содержащего синтетический антиферромагнетик, в основе которой лежит концепция когерентного вращения векторов намагниченности ферромагнитных нанослоев под действием внешнего магнитного поля. Полученные зависимости cos(θr(h)) от поля h при практически скомпенсированном и не скомпенсированном синтетическом антиферромагнетике показывают, что не скомпенсированный на 30% синтетический антиферромагнетик перемагничивается при меньших полях
Поиск:Источник
Ссылка на ресурс:https://elibrary.ru/item.asp?id=87681096