| Найдено документов - 12 | Статьи из номера журнала: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 4. - Москва : МИЭТ, 2026. - URL: https://elib.miet.ru (дата обращения: 03.09.2026). - Режим доступа: для зарегистрированных читателей библиотеки М... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Чаплыгину Юрию Александровичу – 75 лет. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 4. - С. 495-496. | |
| Ключевые слова: | Юбилеи, Биографии, Чаплыгин Ю.А. |
| Аннотация: | 12 июля 2026 г. исполнилось 75 лет главному редактору журнала «Известия высших учебных заведений. Электроника», академику РАН, доктору технических наук, профессору Чаплыгину Юрию Александровичу. Ю. А. Чаплыгин – известный ученый в области микро- и наноэлектроники, микро- и наносистемной техники, нанотехнологий. Под руководством Юрия Александровича проведены работы по исследованию физических и конструктивно-технологических факторов, определяющих основные характеристики микросистем и систем на кристалле. Юрий Александрович – лауреат премий Президента РФ и Правительства РФ в области образования. Награжден орденами Дружбы, Почета, Александра Невского и медалями |
| Поиск: | Источник |
2. Статья из журнала
| Синтез и газочувствительные свойства 2D-нанокомпозитов WS2/g-C3N4 / К. Д. Буй, С. С. Налимова, З. В. Шомахов, П. Ф. Самсыгин. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 4. - С. 400-407. | |
| Авторы: | Буй, К. Д., Налимова, С. С., Шомахов, З. В., Самсыгин, П. Ф. |
| Ключевые слова: | 2D-материалы, Газовые сенсоры, WS2/g-C3N4, Газочувствительность, 2D material, Gas sensor, Gas sensitivity |
| Аннотация: | Применение 2D-материалов в газовой сенсорике дает возможность создавать полупроводниковые быстродействующие адсорбционные сенсоры, не требующие нагрева. В работе рассмотрен 2D-нанокомпозит на основе материалов WS2 и g-C3N4, синтезированный методом одностадийного прокаливания. Исследованы морфология поверхности, фазовый состав и спектры поглощения нанокомпозита WS2/g-C3N4. Изучены его газочувствительные свойства при воздействии паров изопропанола, этанола, ацетона при комнатной температуре. Установлено, что полученный нанокомпозит содержит фазы графитоподобного нитрида углерода и дисульфида вольфрама. Ширина запрещенной зоны нанокомпозита составила 2,1 эВ. Изучена агломерация частиц при нанесении порошка нанокомпозита на стеклянную подложку. Максимальный отклик нанокомпозита к 1000 ppm ацетона составил 5 %. Разработанный 2D-нанокомпозит на основе WS2/g-C3N4 может быть использован в газовых сенсорах для работы во взрывоопасных средах, а также в носимых гибких электронных устройствах |
| Поиск: | Источник |
3. Статья из журнала
| Скрипаль, А. В. (Skripal, A. V.). Сенсоры на основе микрополосковых фотонных кристаллов для контроля диэлектрической проницаемости материалов / А. В. Скрипаль, Д. В. Пономарев, А. Н. Кузнецова. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 4. - С. 461-471. | |
| Авторы: | Скрипаль, А. В., Пономарев, Д. В., Кузнецова, А. Н. |
| Ключевые слова: | Микрополосковая линия, Фотонные кристаллы, Дефектная мода, Диэлектрическая проницаемость, Microstrip line, Photonic crystal, Defect mode, Permittivity |
| Аннотация: | В настоящее время разработано большое количество планарных сенсорных устройств для контроля диэлектрической проницаемости твердых и жидких материалов в микроволновом диапазоне. Методы, основанные на непосредственном расположении тестируемого образца на микрополоске, требуют более точного учета особенностей взаимодействия электромагнитной волны, распространяющейся вдоль микрополоска, с тестируемым образцом. В частности, следует учитывать распределение напряженности электрического поля возникающей стоячей волны вдоль фотонного кристалла в зависимости от его структуры, например, при создании нарушения в виде измененной длины одного из отрезков микрополосковой линии. В работе теоретически обоснована и экспериментально подтверждена возможность применения микрополосковых фотонных кристаллов для контроля диэлектрической проницаемости твердых материалов. С использованием программы трехмерного электромагнитного моделирования Ansys HFSS представлены результаты расчета амплитудночастотных характеристик открытых СВЧ фотонных структур с периодически изменяющейся шириной микрополосковой линии. Исследованы характеристики дефектных мод в первой и второй запрещенных зонах в зависимости от диэлектрической проницаемости образцов, располагающихся на микрополосковой линии, а также структуры нарушения и местоположения образца. С помощью векторного анализатора цепей в диапазоне частот 0,01–12,0 ГГц выполнены измерения амплитудно-частотных характеристик макета микрополоскового фотонного кристалла, изготовленного методом фотолитографии. Экспериментально подтверждена зависимость частоты дефектной моды от расположения образца с фиксированной диэлектрической проницаемостью в пределах нарушения фотонного кристалла. Установлен характер влияния толщины образцов на частоту дефектной моды фотонного кристалла. Полученные результаты свидетельствуют о возможности применения микрополосковых фотонных кристаллов, отличающихся высокой технологичностью производства, в качестве сенсорных схем с управляемыми характеристиками для контроля диэлектрической проницаемости |
| Поиск: | Источник |
4. Статья из журнала
| Разработка алмазного инструмента для обработки карбида кремния / В. С. Кондратенко, А. А. Исаев, В. В. Кадомкин [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 4. - С. 418-426. | |
| Авторы: | Кондратенко, В. С., Исаев, А. А., Кадомкин, В. В., Бирюков, Г. М., Бородынкин, И. И., Тамбовский, А. Д. |
| Ключевые слова: | Карбид кремния, SiC, Шлифование, Связанный алмазный инструмент, Свободный абразив, Silicon carbide SiC, Grinding, Bonded diamond tool, Loose abrasive |
| Аннотация: | Карбид кремния SiC применяется в силовой, высокочастотной и радиационно стойкой электронике при изготовлении, например, высокоточных оптических элементов в астрофизических зеркалах и телескопах, а также отдельных механических деталей и узлов с повышенной прочностью и износостойкостью. Высокоточная обработка SiC требует большого расхода абразивного инструмента, как правило алмазного, и существенно затруднена. В работе представлены результаты разработки алмазного инструмента (Thermostable Tool, TT) для обработки SiC. Для повышения эффективности алмазного инструмента на органической связке в качестве связующего использован теплопроводный полимерный композит с теплопроводностью 5–10 Вт/мК и мелкодисперсный углерод для улучшения условий теплоотвода из зоны контакта инструмента с обрабатываемым материалом. Изготовлен и исследован инструмент с применением алмазных порошков зернистостью 200–2 мкм. Полученные результаты испытаний показали, что разработанный алмазный инструмент со связкой ТТ (зернистостью 100–10 мкм) и модифицированной связкой ТТ5М (зернистостью 5 мкм) на операциях предварительного грубого и финишного шлифования превосходит свободный абразив в виде алмазных суспензий и паст, а также известные типы традиционного связанного алмазного инструмента как по скорости съема материала, так и по качеству обработки. Установлено, что инструмент обеспечивает наименьшую глубину нарушенного трещиноватого слоя и снижение шероховатости обработанной поверхности. Это позволяет на операции финишного шлифования сократить время последующего полирования до минимума. Связанный алмазный инструмент на органической связке ТТ может быть эффективно использован в полном цикле обработки SiC для массового производства изделий |
| Поиск: | Источник |
5. Статья из журнала
| Программно-конфигурируемый многоканальный конвейерный сумматор на базе ПЛИС / И. Р. Чекалдин, А. И. Сукачев, Н. Д. Долгих [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 4. - С. 472-486. | |
| Авторы: | Чекалдин, И. Р., Сукачев, А. И., Долгих, Н. Д., Сукачева, Е. А., Тимофеев, Д. В. |
| Ключевые слова: | Встраиваемые системы, ПЛИС, Конвейерные вычисления, Сложнофункциональные блоки, Быстродействие встраиваемой системы, Embedded systems, FPGA, Pipelined computing, IP-core, Embedded system performance |
| Аннотация: | Мультиканальная обработка информации востребована в системах сбора и анализа данных. Программные средства позволяют обрабатывать данные только после их поступления в систему, что негативно влияет на быстродействие всей системы. Данную проблему можно решить за счет аппаратных средств конвейерной обработки на базе ПЛИС, существенно снижающих нагрузку на систему при обработке данных. В работе рассмотрен конвейерный сумматор для системы акустического обнаружения, применяемый совместно с микрофонной решеткой. Сумматор реализован с использованием языка описания цифровой аппаратуры Verilog. Проведено сравнение разработанного сумматора с предлагаемыми решениями библиотеки сложнофункциональных блоков Vivado применительно к многоразрядным многопоточным вычислениям. Представлена структурная схема сумматора от входов последовательного интерфейса до параллельной выдачи результатов суммирования, включая блоки отладки и конфигурирования. Описаны функциональные возможности каждого блока. Приведены участки описания сложнофункциональных блоков, входящих в структуру сумматора. Для верификации результата применен метод имитационного моделирования в среде цифровой симуляции HDL-описания Modelsim. Результаты моделирования подтвердили эффективность работы сумматора и возможность его интеграции в системы обработки данных. Сформирован эффективный сложнофункциональный блок суммирования множества каналов данных без применения программной части системы, ускоряющий ее работу |
| Поиск: | Источник |
6. Статья из журнала
| Губин, Д. А. (Автор МИЭТ (аспирант); Gubin, D. A.). Предиктивная коррекция динамических искажений в безмасочной литографии на основе LQR-регулятора / Д. А. Губин, А. В. Щагин. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 4. - С. 408-417. | |
| Авторы: | Губин, Д. А., Щагин, А. В. |
| Ключевые слова: | Безмасочная литография, Адаптивная оптика, Предиктивное управление, Тепловые и вибрационные возмущения, Цифровые микрозеркальные устройства, LQR-регуляторы, Maskless lithography, Adaptive optics, Predictive control, Thermal and vibrational disturbances, Digital micromirror device, DMD, LQR |
| Аннотация: | Безмасочная литография является перспективной технологией изготовления микро- и наноструктур. Однако существующие системы управления оптикой имеют ограничения, связанные с дифракционными эффектами, тепловыми и вибрационными возмущениями и задержками в контурах обратной связи, что препятствует достижению высокого разрешения при массовом производстве. В работе предложен метод предиктивной коррекции волнового фронта для преодоления указанных ограничений. Применены метод математического моделирования тепловых и вибрационных процессов в цифровых микрозеркальных устройствах, линейно-квадратичный регулятор (Linear Quadratic Regulator, LQR) и численное моделирование динамики оптических систем. Представлена математическая модель прогнозирования тепловых и вибрационных возмущений с использованием редукции методом собственных значений и предиктивного алгоритма коррекции на основе LQR-регулятора. Результаты численного моделирования показали, что предложенный метод предиктивной коррекции обеспечивает компенсацию тепловых возмущений проекционной оптики за 0,3 мс с остаточной ошибкой не более 10 нм (λ/40 для длины волны 405 нм), что на 30 % быстрее традиционных ПИДрегуляторов при улучшении точности на 35-40 %. Метод также позволяет увеличить скорость литографии на 30 % без потери разрешения и может быть интегрирован в серийные установки с минимальной модернизацией, что открывает новые возможности для высокопроизводительного изготовления субмикронных структур |
| Поиск: | Источник |
7. Статья из журнала
| Кулиш, А. М. (Автор МИЭТ (аспирант); Kulish, А. M.). Методика проектирования GaAs-pHEMT дискретного 6-разрядного аттенюатора с низким паразитным фазовым сдвигом X-диапазона частот / А. М. Кулиш, В. В. Лосев. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 4. - С. 427-437. | |
| Авторы: | Кулиш, А. М., Лосев, В. В. |
| Ключевые слова: | GaAs, pHEMT-транзисторы, Дискретный аттенюатор, СВЧ монолитные интегральные схемы, Двухпозиционные коммутаторы, АФАР, Stepped attenuator, Microwave Monolithic Integrated Circuit, MMIC, Single Pole Double Throw switch, AESA |
| Аннотация: | Высокоэффективные приемопередающие модули для X-диапазона частот используются в активных фазированных антенных решетках, системах спутниковой связи и радиолокации. Функциональные узлы аттенюаторов в составе приемопередающих модулей должны обеспечивать точное управление уровнем принимаемого и передаваемого сигналов, защиту от перегрузок и формирование диаграммы направленности. Однако паразитный фазовый сдвиг, возникающий при изменении уровня ослабления сигнала, может нарушить синфазность сигналов антенной решетки. В работе описаны методика и процесс проектирования монолитных интегральных схем дискретного аттенюатора X-диапазона частот на переключаемых элементах с минимальным вносимым ослаблением 0,5 дБ. Проект микросхемы реализован с использованием библиотеки элементов стандартного технологического процесса GA05-D-L-01, основанного на применении GaAs-pHEMT-транзисторов с топологической нормой 0,5 мкм. Согласно результатам моделирования среднеквадратичная ошибка амплитудного преобразования находится в диапазоне 0,16-0,27 дБ, паразитный фазовый сдвиг составляет 1,7°-3,4° в рабочем диапазоне частот |
| Поиск: | Источник |
8. Статья из журнала
| Бордюжа, В. (Автор МИЭТ (аспирант); Bordiuzha, V.). Метод оценки биометрического качества изображений лиц / В. Бордюжа, С. В. Умняшкин. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 4. - С. 487-494. | |
| Авторы: | Бордюжа, В., Умняшкин, С. В. |
| Ключевые слова: | Биометрия, Оценка качества лиц, Распознавание лиц, Оценка качества изображений, Нейронные сети, Biometry, Face quality assessment, Face recognition, Image quality assessment, Neural networks |
| Аннотация: | В задачах автоматического распознавания лиц качество входного изображения напрямую влияет на точность идентификации и верификации личности. Возникающие дефекты снижают точность идентификации, особенно при работе с ограниченными базами эталонных образцов. В работе представлен новый метод безэталонной биометрической оценки качества изображений лиц, основанный на анализе косинусного сходства между векторами признаков, извлекаемыми нейросетевой моделью распознавания. В отличие от методов общей оценки качества изображений, например BRISQUE, предложенный метод учитывает как расстояние до центра класса, так и степень близости к наиболее похожим внешним классам, что позволяет более точно ранжировать изображения по степени их пригодности для биометрических задач. При использовании метрики AUC (Area Under the Curve) на разных уровнях FMR результаты экспериментов на пяти распространенных наборах данных (LFW, CALFW, AgeDB-30, CFP-FP, CPLFW) демонстрируют преимущество предложенного метода по сравнению с современными подходами (CR-FIQA, SDD-FIQA, TOPIQ и др.), что делает его перспективным решением для интеграции в практические биометрические системы |
| Поиск: | Источник |
9. Статья из журнала
| Пайн Со Хту (Автор МИЭТ (аспирант); Paing Soe Thu). Исследование чувствительного элемента микромеханического акселерометра при температурных воздействиях / Со Хту Пайн, В. В. Калугин, Е. С. Кочурина. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 4. - С. 438-447. | |
| Авторы: | Пайн Со Хту, Калугин, В. В., Кочурина, Е. С. |
| Ключевые слова: | Чувствительные элементы, Микромеханические акселерометры, Механическое напряжение, Резонансные частоты, Изменение емкости, Sensitive element, Micromechanical accelerometer, Mechanical stress, Resonant frequencies, Change in capacitance |
| Аннотация: | Микромеханические акселерометры (ММА) характеризуются компактностью, малым энергопотреблением, высокой чувствительностью и низкой стоимостью. В зависимости от механизма преобразования смещения при воздействии ускорения ММА делятся на емкостные, резонансные, пьезоэлектрические, пьезорезистивные, оптические, туннельные и тепловые. В работе исследована конструкция чувствительного элемента (ЧЭ) емкостного ММА гребенчатого типа. Изучена механическая деформация конструкции ЧЭ по осям X и Y и термические деформации по оси X, которые влияют на изменение емкости между электродами гребенки, при воздействии ускорения 50 g. Проведено моделирование конструкции ЧЭ ММА емкостного типа в программах SolidWorks, Ansys и Ansys Maxwell. Установлено, что разработанная конструкция ЧЭ ММА емкостного типа с 70 парами электродов работоспособна |
| Поиск: | Источник |
10. Статья из журнала
| Гагариной Ларисе Геннадьевне – 70 лет. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 4. - С. 497-498. | |
| Ключевые слова: | Юбилеи, Биографии, Гагарина Л.Г., Выпускник МИЭТ, Карьерный рост |
| Аннотация: | 17 августа 2026 г. исполняется 70 лет Гагариной Ларисе Геннадьевне, доктору технических наук, профессору, ученому в области автоматизации технологических процессов и производств. Л. Г. Гагарина – автор более 250 научных работ, 60 свидетельств на регистрацию программ и патентов, 19 учебных пособий, среди которых «Конструирование программного обеспечения» – лучшее учебное издание по физико-математическим наукам и программированию, ставшее победителем конкурса «Университетская книга – 2024», а также учебное пособие «Научные исследования: оформление результатов и публикация», вошедшее в число победителей X Международного конкурса на лучшую научную и учебную книгу «Академус» 2025 г., лауреат золотой и серебряной медалей Московского международного Салона изобретений и инновационных технологий «Архимед». Под руководством Л. Г. Гагариной подготовлено 4 доктора и 38 кандидатов наук. Л. Г. Гагарина удостоена государственной награды «Заслуженный деятель высшей школы Российской Федерации», награждена 4 ведомственными медалями, ей присвоены звания «Почетный работник высшего профессионального образования Российской Федерации», «Заслуженный деятель науки г. Москвы» |
| Поиск: | Источник |
11. Статья из журнала
| Воловликова, О. В. (Автор МИЭТ, Ин-т ПМТ; Volovlikova, O. V.). Влияние типа проводимости и удельного сопротивления кремния на морфологию пористого слоя, сформированного Pt-стимулированным травлением / О. В. Воловликова. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 4. - С. 387-399. | |
| Авторы: | Воловликова, О. В. |
| Ключевые слова: | Пористый кремний, Частицы платины, Pt-стимулированное травление, Удельное сопротивление, Porous silicon, Pt particles, Pt-assisted chemical etching, Resistivity |
| Аннотация: | Пористый кремний с высокими значениями пористости и толщины слоя представляет интерес в качестве материала для сенсорных систем благодаря своей высокой реакционной способности. Контроль данных параметров в широком диапазоне может быть осуществлен посредством использования метода Pt-стимулированного травления. Тип проводимости и удельное сопротивление исходной монокристаллической подложки кремния оказывают существенное влияние на параметры и свойства получаемого пористого кремния, поскольку определяют количество и плотность распределения осаждаемого металла (платины) по поверхности, а также скорость травления кремния. В работе показано влияние типа проводимости и удельного сопротивления кремниевой монокристаллической подложки на морфологию пористого слоя, сформированного методом Pt-стимулированного травления. Частицы платины нанесены на кремниевые подложки методом химического осаждения из водного раствора, содержащего HF и H2PtCl6. Методами растровой электронной микроскопии и гравиметрического анализа исследована динамика формирования пористого слоя кремния. Установлены зависимости пористости, толщины пористого слоя и скорости травления кремния от длительности процесса, типа проводимости и удельного сопротивления подложки. Показано, что высокое значение отношения пористости к толщине характерно для пористых слоев, сформированных на кремниевых подложках марок КЭМ-0,001 и КДБ-0,01, низкое – на подложках КЭФ-4,5. Полученные данные могут способствовать улучшению технологий, связанных с использованием пористого кремния |
| Поиск: | Источник |
12. Статья из журнала
| Анализ температурных напряжений в композитном чувствительном элементе резонансно-частотного датчика давления / С. Е. Вторушин, А. А. Таловская, Е. С. Барбин [и др.]. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : МИЭТ, 2026. - № 4. - С. 448-460. | |
| Авторы: | Вторушин, С. Е., Таловская, А. А., Барбин, Е. С., Кулинич, И. В., Коледа, А. Н., Нестеренко, Т. Г. |
| Ключевые слова: | Резонаторы, Мембраны, Композиты, Собственная частота, Механические и температурные напряжения, Тепловые деформации, Резонансно-частотный метод, Resonator, Membrane, Composite, Natural frequency, Mechanical and thermal stresses, Thermal deformations, Resonant frequency method |
| Аннотация: | При проектировании микродатчиков одна из важнейших задач – оценка температурных погрешностей и разработка способов их уменьшения. В работе исследовано температурное влияние на характеристики резонансно-частотного микроэлектромеханического датчика давления. Проведена численная оценка механических напряжений, возникающих в резонансно-частотном преобразователе давления. Исследовано их влияние на частотные характеристики датчика. Методом конечных элементов проведено численное моделирование напряженно-деформированного состояния мембраны под действием статического давления и температурного поля в диапазоне –50…+85 °С. Проанализированы собственные частоты расположенных над мембраной резонаторов с разной конфигурацией, представляющих собой слоистую композитную структуру на основе титана и оксида алюминия. Предложены конструктивные решения, позволяющие компенсировать тепловые деформации резонаторов. Показано, что влияние температурного поля на частотные характеристики резонаторов снижено и, как следствие, уменьшена суммарная погрешность разрабатываемого датчика. Предложенные конструктивные решения позволили снизить температурные напряжения в композитных резонаторах до 9 % от первоначального значения при использовании керамической мембраны. Модификация сечения резонаторов позволила снизить температурные напряжения дополнительно на 58 %. В соответствии с этим суммарная погрешность чувствительного элемента, выраженная в виде температурного коэффициента частоты, уменьшилась с 2620–2770 ppm/°C до значений, не превышающих 500 ppm/°C |
| Поиск: | Источник |