| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА. 2. - Москва : Наука, 2002. - (Библиографическая информация). | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
Избыточные шумы в барьерных структурах Al/i-GaAs, используемых в детекторах заряженных частиц и рентгеновского излучения / Г. П. Жигальский, А. А. Горбацевич, В. В. Люблин [и др.]
// РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : Наука, 2002. - № 2. - С. 244-248. - (Библиографическая информация).
// РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : Наука, 2002. - № 2. - С. 244-248. - (Библиографическая информация).
Авторы: Жигальский, Г. П., Горбацевич, А. А., Люблин, В. В., Родин, М. С., Шмелев, С. С.
Ключевые слова: Избыточные шумы, Детекторы заряженных частиц, Рентгеновское излучение, Подложки, Уровень шума
Аннотация: Исследован избыточный шум в барьерных структурах Al/i-GaAs, изготовленных на различных подложках. Установлено, что при обратном напряжении смещения наибольшим уровнем шума обладают структуры, изготовленные на эпитаксиальных слоях GaAs, по сравнению со структурами, изготовленными на пластинах из i-GaAs, выращенного по методу Чохральского. Показано также, что структуры, сформированные на пластинах из i-GaAs, легированных хромом, обладают более высоким уровнем шума по сравнению с образцами, изготовленными на пластинах из нелегированного арсенида галлия