| Найдено документов - 1 | Источник: Лагаев, Д. А. Конструктивно-технологические особенности КМОП КНИ-транзисторов с повышенной стойкостью к накопленной дозе ионизирующего излучения / Д. А. Лагаев, Н. А. Шелепин. - Текст : электронн... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Номер журнала
ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. 1(177). - Москва : НИИМЭ, 2020. - Текст : электронный.