МегаПро

Сортировать по:

1. Журнал

ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ / Российская академия наук, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1975 - . - URL: https://journals.ioffe.ru/journals/4 (дата обращения: 11.12.2025). - Режим доступа: свободный. - Переводная версия TECHNICAL PHYSICS LETTERS. - ISSN 0320-0116. - Текст : электронный.
Ключевые слова:	Физика, Техническая физика, Рекомендован ВАК
Аннотация:	Письма в Журнал технической физики основаны в 1975 году и по своему содержанию служат аналогом американского журнала Applied Physics Letters. Журнал предназначен для срочной публикации кратких статей о последних достижениях в области физики, имеющих перспективу технического применения. Публикация в Письмах в ЖТФ не только не исключает, но и предполагает публикацию развернутых работ на ту же тему как в ЖТФ, так и в соответствующих специализированных журналах ( Физика твердого тела, Физика и техника полупроводников, Радиотехника и электроника, Физика плазмы, Квантовая электроника и др.). Поэтому тематика публикуемых Письмами в ЖТФ статей шире тематики ЖТФ
Отметка о поступлении:	Полнотекстовые открытого доступа
Поиск:	Номера журналов
Ссылка на ресурс:	https://journals.ioffe.ru/journals/4
Ссылка на ресурс:	https://www.elibrary.ru/title_about.asp?id=7942
Ссылка на ресурс:	https://www.springer.com/journal/11455
Дисциплина:	Квантовые технологии в наноэлектронике (аспирантура), Основы физики конденсированного состояния и полупроводников (для аспирантов), Раздел 1. Основные принципы создания приборов на квантовых эффектах, Раздел 1. Физические основы функциональной наноэлектроники на основе полупроводниковых материалов, Раздел 7. Материалы и конструктивно-технологические решения элементов памяти нового поколения большой емкости типа фазовой (PCM), сегнетоэлектрической (FRAM), магниторезистивной (MRAM)