| Найдено документов - 3 | Статьи из номера журнала: ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. 1(197). - Москва : НИИМЭ, 2025. - Текст : непосредственный : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Горохов, С. А. (Автор МИЭТ, НПК ТЦ; Gorokhov, S. A.). Термодинамические свойства гексагональной и кубической фаз рутения в квазигармоническом приближении / С. А. Горохов, А. А. Резник, А. А. Резванов. - Текст : непосредственный : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2025. - № 1(197). - С. 74-90. - (статья представлена на рус. и англ. яз.). - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82670140 (дата обращения: 31.07.2025). - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82670141 (дата обращения: 31.07.2025) (статья на англ. языке). | |
| Авторы: | Горохов, С. А., Резник, А. А., Резванов, А. А. |
| Ключевые слова: | Термодинамические свойства, Рутений, Теория функционала плотности, Квазигармоническое приближение, Thermodynamic properties, Ruthenium, Density functional theory, Quasi-harmonic approximation |
| Аннотация: | Рутений является перспективным материалом для применения в микроэлектронике в качестве диффузионного барьерного слоя, предотвращающего диффузию меди, или в качестве полноценной замены меди как основного проводника в системе металлизации. Доминирующей фазой объёмного рутения, широко изученного и описанного в литературе, является гексагональная решётка, в то время как менее стабильному гранецентрированному кубическому рутению посвящено всего несколько работ, и многие его свойства остаются неизвестными. В данной работе представлены результаты расчёта из первых принципов термодинамических свойств гексагональной и кубической фаз рутения с использованием квазигармонического приближения, позволяющего получить температурные зависимости параметров твёрдого тела с учётом теплового расширения кристаллической решётки |
| Поиск: | Источник |
| Ссылка на ресурс: | https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82670140 |
| Ссылка на ресурс: | https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82670141 |
2. Статья из журнала
| Метод снижения LER-эффекта при создании элементов интегральной фотоники / М. С. Кульпинов, М. Г. Путря, А. А. Голишников [и др.]. - Текст : непосредственный : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2025. - № 1(197). - С. 33-43. - (статья представлена на рус. и англ. яз.). - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82670135 (дата обращения: 31.07.2025). - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82670136 (дата обращения: 31.07.2025) (статья на англ. языке). | |
| Авторы: | Кульпинов, М. С., Путря, М. Г., Голишников, А. А., Шишлянников, А. В., Горнев, Е. С. |
| Ключевые слова: | LER, LWR, Неровности фоторезистивной маски, Фотонные интегральные схемы, Шероховатость ширины линии, Photoresistive mask roughness, Photonic integrated circuits, Line width roughness |
| Аннотация: | В статье проанализированы и представлены основные факторы, способствующие появлению LER-эффекта, особенности передачи искажений маски в создаваемые структуры, а также методы исследования неровностей краёв линий маски и морфологии поверхности формируемых наноразмерных структур. Проанализировано влияние литографического процесса и технологии переноса рисунков элементов фотонных интегральных схем на качество поверхности создаваемых структур. Исследованы причины изменения морфологии и ключевые факторы, влияющие на LER-эффект, предложены возможные решения. Описаны методы и предложена экспериментальная технология для уменьшения неровностей фоторезистивной маски, влияющие на характеристики ИС и фотонных интегральных схем, включая оптимизацию процесса фотолитографии, использование специализированных материалов и технологий их нанесения для создания слоёв антиотражающих покрытий и жёстких масок, а также применение дополнительных технологий и методов обработки поверхности формируемых слоёв |
| Поиск: | Источник |
| Ссылка на ресурс: | https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82670135 |
| Ссылка на ресурс: | https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82670136 |
3. Статья из журнала
| Анализ параметров транзисторов, полученных печатными методами / О. А. Тельминов, Н. В. Воронова, С. И. Янович [и др.]. - Текст : непосредственный : электронный // ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2025. - № 1(197). - С. 53-63. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82670138 (дата обращения: 31.07.2025). | |
| Авторы: | Тельминов, О. А., Воронова, Н. В., Янович, С. И., Чернуха, А. С., Винник, Д. А. |
| Ключевые слова: | Печатная электроника, Электрические характеристики, Полевые транзисторы, Printed electronics, Electrical characteristics, Eld e ect transistors |
| Аннотация: | В статье рассмотрены перспективы развития печатной электроники в части изготовления активных элементов - полевых транзисторов, с помощью технологий струйной и аэрозольной печати с частичным применением методов фотолитографии для изготовления элементов структуры с более высоким разрешением. Проведен сравнительный анализ достигнутых результатов мирового уровня для получения оценочных характеристик рассматриваемых приборов, в частности скорости носителей заряда и отношения токов в открытом и закрытом состоянии |
| Поиск: | Источник |
| Ссылка на ресурс: | https://www.elibrary.ru/item.asp?id=82670138 |