| Найдено документов - 1 | Источник: Проектирование МИС малошумящего усилителя X-диапазона частот на основе технологического процесса 0,5 мкм GaAs pHEMT / В. В. Лосев, А. В. Кондратенко, П. С. Сорвачев, А. М. Кулиш. - Текст : непос... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Номер журнала
ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. 4(192). - Москва : НИИМЭ, 2023. - Текст : непосредственный : электронный.