| Найдено документов - 1 | Источник: Егоркин, В. И. (Автор МИЭТ, Ин-т ИнЭл). Нормально-закрытые GaN-транзисторы для комплементарной пары / В. И. Егоркин, О. Б. Чуканова. - Текст : электронный : непосредственный // ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧ... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Номер журнала
| ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 5. - Москва : МИЭТ, 2024. - URL: https://elib.miet.ru (дата обращения: 07.11.2024). - Режим доступа: для зарегистрированных читателей библиотеки МИЭТ. - Текст : электронный : непосредственный. | |
| Экземпляры: | Всего: 1, из них: чз(Архив)-1 |
| Поиск: | Статьи из номера журнала (сборника) Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |