| Найдено документов - 1 | Источник: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 6. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2025. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Журнал
| ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ : научный журнал / Российская академия наук, Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1967 - . - URL: https://journals.ioffe.ru/journals/2 (дата обращения: 11.12.2025). - Режим доступа: свободный. - Переводная версия SEMICONDUCTORS (составной журнал). - ISSN 0015-3222. - Текст : электронный. | |
| Ключевые слова: | Физика полупроводников, Техника полупроводников, Аморфные полупроводники, Микроструктуры, Наноструктуры, Дефекты, Примеси, Легирование, Имплантация, Радиационные эффекты, Эпитаксия, Рост тонких пленок, Зонная структура полупроводников, Транспортные явления, Эффекты туннелирования, Материаловедение, Рекомендован ВАК и РИНЦ |
| Аннотация: | Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры, дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты, эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников, транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения |
| Отметка о поступлении: | Полнотекстовые открытого доступа |
| Поиск: | Номера журналов |
| Ссылка на ресурс: | https://journals.ioffe.ru/journals/2 |
| Ссылка на ресурс: | https://www.elibrary.ru/title_about.asp?id=8247 |
| Ссылка на ресурс: | https://www.mathnet.ru/php/journal.phtml?jrnid=phts&wshow=details&option_lang=rus |
| Ссылка на ресурс: | https://www.springer.com/journal/11453 |
| Дисциплина: | Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники, Анализ электромагнитных процессов в структурах микро- и наноэлектроники в системе проектирования ADS, Дефекты в материалах, Квантовая механика, Квантовая статистика, Квантовые технологии в наноэлектронике (аспирантура), Кинетические процессы в полупроводниках, Компьютерное моделирование полупроводниковых наноструктур, Конструкторское проектирование и технология производства БИС и СБИС, Кристаллография, Математическое моделирование, Материаловедение, Материалы и компоненты электронных средств. Материалы электронных средств, Материалы электронной техники, Методики измерений, Методология конструкторского проектирования технических систем, Методы зондовой микроскопии, Методы и средства исследования и оптимизации автоматизированных систем и оборудования, Методы исследования параметров наноматериалов и наноструктур, Методы теоретической и математической физики, Нанофотоника, Наноэлектроника, Научно-исследовательский семинар "Нанотехнологии в электронике", Общее материаловедение, Основы технологии интегральных электронных приборов на гибких подложках, Основы технологии микроэлектроники, Основы физики конденсированного состояния и полупроводников (для аспирантов), Особенности проектирования технологического оборудования, Предпроектные исследования и методы поиска технических решений, Приборы и интегральные схемы на основе арсенида галлия, Проектирование в САПР Pro/Engineer, Проектирование в САПР Компас-3D, Раздел 1. Физические основы функциональной наноэлектроники на основе полупроводниковых материалов, Раздел 7. Материалы и конструктивно-технологические решения элементов памяти нового поколения большой емкости типа фазовой (PCM), сегнетоэлектрической (FRAM), магниторезистивной (MRAM), Сканирующая зондовая микроскопия, Спинтроника и наномагнетизм, Статистическая физика, Технологические процессы для производства ЭКБ и МСТ (аспирантура), Технология материалов электронной техники, Физика и технология полупроводниковых преобразователей энергии (аспирантура), Физика конденсированного состояния, Физика наноструктур, Физикотермические процессы и оборудование, Физические основы нанотехнологии, Физические основы проектирования электронно-компонентной базы, Физические основы электроники, Функциональная микро- и наноэлектроника, Экспериментальные методы исследования |