| Найдено документов - 3 | Статьи из номера журнала: ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. 1(177). - Москва : НИИМЭ, 2020. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
Концентрация напряжений в мезопористых структурах на основе кремния с адсорбированной водой в интервале температур 233-273 К / В. В. Бардушкин, Ю. И. Шиляева, А. А. Кочетыгов, А. А. Дронов. - Текст : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2020. - № 1(177). - С. 54-59. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=42823147 (дата обращения: 01.06.2023).
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2020. - № 1(177). - С. 54-59. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=42823147 (дата обращения: 01.06.2023).
Авторы: Бардушкин, В. В., Шиляева, Ю. И., Кочетыгов, А. А., Дронов, А. А.
Ключевые слова: Пористый кремний, Деионизированная вода, Лёд, Матричный композит, Тензор концентрации напряжений, Моделирование, POROUS SILICON, DEIONIZED WATER, ICE, MATRIX COMPOSITE, STRESS CONCENTRATION TENSOR, SIMULATION
Аннотация: Построена теоретическая модель прогнозирования значений компонент тензора (оператора) концентрации напряжений в мезопористых структурах на основе кремния с адсорбированной водой в интервале температур 233-273 К. Проведены численные модельные расчеты и исследованы зависимости значений компонент указанного тензора от объемного содержания воды в матрице пористого кремния
Ссылка на ресурс: https://elibrary.ru/item.asp?id=42823147
2. Статья из журнала
Лагаев, Д. А.
Конструктивно-технологические особенности КМОП КНИ-транзисторов с повышенной стойкостью к накопленной дозе ионизирующего излучения / Д. А. Лагаев, Н. А. Шелепин. - Текст : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2020. - № 1(177). - С. 5-13. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42823141 (дата обращения: 01.06.2023).
Конструктивно-технологические особенности КМОП КНИ-транзисторов с повышенной стойкостью к накопленной дозе ионизирующего излучения / Д. А. Лагаев, Н. А. Шелепин. - Текст : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2020. - № 1(177). - С. 5-13. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42823141 (дата обращения: 01.06.2023).
Авторы: Лагаев, Д. А., Шелепин, Н. А.
Ключевые слова: ИМС, КНИ МОП-транзисторы, Интегральные микросхемы, Ионизирующее излучение
Аннотация: В работе рассмотрены методы повышения стойкости интегральных микросхем к ионизирующему излучению, реализованных на базе КНИ КМОП технологии. Дается описание основных эффектов, возникающих в КНИ КМОП-транзисторах при воздействии с ионизирующим излучением космического пространства. Представлен ряд приемов, позволяющих повысить радиационную стойкость ИМС на базе КНИ КМОП технологии. Анализируются перспективы развития изделий микроэлектроники с повышенной стойкостью к внешним воздействиям в условиях постоянного уменьшения проектных норм
Ссылка на ресурс: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=42823141
3. Статья из журнала
Красников, Г. Я. (Автор МИЭТ, СТС).
Исследование эффекта переключения и транспорта заряда в бесформовочном мемристоре на основе нитрида кремния с разными типами металла верхнего электрода / Г. Я. Красников, О. М. Орлов, В. В. Макеев. - Текст : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2020. - № 1(177). - С. 42-46. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=42823145 (дата обращения: 01.06.2023).
Исследование эффекта переключения и транспорта заряда в бесформовочном мемристоре на основе нитрида кремния с разными типами металла верхнего электрода / Г. Я. Красников, О. М. Орлов, В. В. Макеев. - Текст : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2020. - № 1(177). - С. 42-46. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=42823145 (дата обращения: 01.06.2023).
Авторы: Красников, Г. Я., Орлов, О. М., Макеев, В. В.
Ключевые слова: RERAM, PCM, MRAM, FERAM, Мемристор, Нитрид кремния, MEMRISTOR, SILICON NITRIDE
Аннотация: Мемристорная резистивная память с произвольным доступом (ReRAM, Resistive Random Access Memory) вместе с памятью с изменением фазового состояния (PCM, Phase Change Memory), магниторезистивной памятью с произвольным доступом (MRAM, Magnetoresistive Random Access Memory), сегнетоэлектрической памятью (FeRAM, Ferroelectric Memories) [4] являются востребованными видами энергонезависимой памяти на новых альтернативных принципах. Нитрид кремния является перспективным резистивным переключающим слоем для мемристоров. В данной работе проведено экспериментальное исследование эффекта переключения и переноса заряда в мемристоре на основе нитрида кремния для разных типов металла (Ni, Co, Cu) верхнего электрода
Ссылка на ресурс: https://elibrary.ru/item.asp?id=42823145