| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА. 3. - Москва : Наука, 2000. - (Библиографическая информация). | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
Гальченко, В. Р.
Диагностирование больших интегральных схем на основе комплементарных структур металл-окисел-полупроводник по низкочастотным флуктуациям тока потребления / В. Р. Гальченко, Г. П. Жигальский
// РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : Наука, 2000. - № 3. - С. 362-366. - (Библиографическая информация).
Диагностирование больших интегральных схем на основе комплементарных структур металл-окисел-полупроводник по низкочастотным флуктуациям тока потребления / В. Р. Гальченко, Г. П. Жигальский
// РАДИОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : Наука, 2000. - № 3. - С. 362-366. - (Библиографическая информация).
Авторы: Гальченко, В. Р., Жигальский, Г. П.
Ключевые слова: Металл-окисел-полупроводник, Флуктуации тока, Микросхемы, Дефекты, ИМС
Аннотация: Проведено экспериментальное исследование низкочастотных флуктуаций тока потребления больших интегральных схем на основе комплементарных структур металл-окисел-полупроводник серий 537РУ6 и 1617РУ6 в диапазоне частот 1...2 кГц с целью разработки метода неразрушающего контроля качества. Спектральная плотность флуктуаций тока потребления указанных интегральных микросхем в статическом режиме зависит от частоты по закону 1/fᵞ, где показатель формы спектра γ ≈ 0.9-1.2 для различных микросхем исследуемой выборки. Показано, что низкочастотные флуктуации тока в цепи питания интегральных микросхем являются информативным параметром качества микросхем и могут быть использованы для выявления и индефикации скрытых дефектов. При этом интегральные микросхемы с повышенным уровнем флуктуаций тока в цепи питания следует отнести к потенциально ненадежным из-за наличия в них скрытых локальных дефектов. Контроль низкочастотных флуктуаций тока в цепи питания интегральных микросхем (по уровню и характеру) рекомендуется использовать для диагностики интегральных микросхем.