Сортировать по:
1. Статья из журнала
Оптимизация омических контактов к n-слоям гетеробиполярных наногетероструктур на основе арсенида галлия / В. И. Егоркин, В. Е. Земляков, А. В. Неженцев, В. И. Гармаш. - Текст : электронный
// МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : Наука, 2017. - № 4. - С. 295-300. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=29660135 (дата обращения: 21.09.2018).
Авторы:Егоркин, В. И., Земляков, В. Е., Неженцев, А. В., Гармаш, В. И.
Ключевые слова:Микроэлектроника, Наногетероструктуры, Арсенид галлия, Вжигание
Аннотация:Исследованы омические контакты к n-слоям гетеробиполярных наногетероструктур на основе арсенида галлия, полученных методом послойного электронно-лучевого напыления Ge/Au/Ni/Au. Рассмотрена зависимость контактного сопротивления от времени и температуры вжигания. На основе анализа характеристик омических контактов предложена конструкция установки для вжигания и методика вжигания омических контактов, позволяющая получать минимальное контактное сопротивление при минимальном размере переходного слоя, удовлетворительной морфологии и ровном крае контактов
Поиск:Источник
Электронный документДля просмотра необходимо войти в личный кабинет