| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. 4. - Москва : Наука, 2018. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Тимошенков, В. П. (Автор МИЭТ, ИЭМС). Влияние распределения радиационных дефектов на автоэмиссионные свойства кристаллов кремния / В. П. Тимошенков, Р. К. Яфаров. - Текст : электронный // МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : Наука, 2018. - № 4. - С. 32-39. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=36286508 (дата обращения: 17.12.2018). | |
| Авторы: | Тимошенков, В. П., Яфаров, Р. К. |
| Ключевые слова: | Кремний, Кристаллы, Радиационные дефекты, Ионно-лучевая обработка, Корреляция |
| Аннотация: | Исследованы корреляционные закономерности изменений структурно - фазового состава, морфологических и автоэмиссионных характеристик поверхностно структурированных кристаллов кремния р- и n-типов проводимости при ступенчатой высокодозной ионно-лучевой обработке углеродом. Показано, что ступенчатая ионная имплантация атомов углерода в поверхностно структурированные с использованием нелитографических углеродных масочных покрытий пластины кремния позволяет уменьшить пороги начала автоэмиссии и увеличить плотности максимальных автоэмиссионных токов, по сравнению с эмиттерными решетками, изготовленными с использованием традиционных микротехнологий более, чем на два порядка. Рассмотрены физико-химические механизмы, ответственные за модификацию приповерхностных свойств кремниевых структур при ионной имплантации углерода |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |