| Найдено документов - 2 | Статьи из номера журнала: НЕОРГАНИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ. 11. - Москва : Наука, 2015. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
Пашинкин, А. С. (Автор МИЭТ).
Теплоемкость CU2SE при температурах выше 298 K / А. С. Пашинкин, М. С. Михайлова, В. А. Федоров. - Текст : электронный
// НЕОРГАНИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ. - Москва : Наука, 2015. - № 11. - С. 1175. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=24045105 (дата обращения: 24.01.2023).
Теплоемкость CU2SE при температурах выше 298 K / А. С. Пашинкин, М. С. Михайлова, В. А. Федоров. - Текст : электронный
// НЕОРГАНИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ. - Москва : Наука, 2015. - № 11. - С. 1175. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=24045105 (дата обращения: 24.01.2023).
Авторы: Пашинкин, А. С., Михайлова, М. С., Федоров, В. А.
Ключевые слова: Химия, Теплоемкость, Температура, Cu, Термодинамическая функция
Аннотация: По имеющимся литературным данным и результатам наших исследований проведен подробный анализ теплоемкости Cu2Se и термодинамических характеристик перехода α -Cu2Se β -Cu2Se. Рекомендованы наиболее достоверные результаты, на основании которых рассчитаны термодинамические функции Cu2Se в интервале температур 2981400 K
Ссылка на ресурс: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=24045105
2. Статья из журнала
Тузовский, В. К. (Автор МИЭТ).
Солнечные элементы с пассивирующим слоем ZNO:AL, полученным методом ALD / В. К. Тузовский, С. А. Гаврилов, И. М. Терашкевич. - Текст : электронный
// НЕОРГАНИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ. - Москва : Наука, 2015. - № 11. - С. 1205. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=24045110 (дата обращения: 24.01.2023).
Солнечные элементы с пассивирующим слоем ZNO:AL, полученным методом ALD / В. К. Тузовский, С. А. Гаврилов, И. М. Терашкевич. - Текст : электронный
// НЕОРГАНИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ. - Москва : Наука, 2015. - № 11. - С. 1205. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=24045110 (дата обращения: 24.01.2023).
Авторы: Тузовский, В. К., Гаврилов, С. А., Терашкевич, И. М.
Ключевые слова: Химия, Солнечные элементы, ALD-оборудование, Атомно-слоевое осаждение, Осаждение, Покрытия
Аннотация: Рассматриваются возможности улучшения характеристик солнечных элементов, в том числе коэффициента полезного действия, за счет использования в качестве пассивирующего покрытия ZnO:Al, а не традиционного SiNx:H. Рассмотрены преимущества применения в качестве способа осаждения пассивирующих покрытий метода атомно-слоевого осаждения (ALD). Показано, что КПД фотоэлектрического преобразователя повышается на 1.1% по сравнению со стандартной технологией на базе SiNx:H
Ссылка на ресурс: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=24045110