МегаПро

Сортировать по:

1. Статья из журнала

Вишняков, Н. В. Комплексная локальная диагностика тонкопленочной GST-структуры с фазовыми переходами / Н. В. Вишняков, С. П. Вихров, Н. М. Толкач. - Текст : электронный // РАДИОТЕХНИКА. - Москва : Радиотехника, 2019. - № 11. - С. 80-87. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=41859799 (дата обращения: 30.08.2022). - URL: http://radiotec.ru/ru/journal/Radioengineering/number/2019-11/article/22220 (дата обращения: 30.08.2022).
Авторы:	Вишняков, Н. В., Вихров, С. П., Толкач, Н. М.
Ключевые слова:	Тонкопленочные структуры, Диагностика, Фазовый переход, GST, Фотометрия, Спектроскопия комбинационного рассеяния, Атомно-силовая микроскопия, Лазерная модификация
Аннотация:	Постановка проблемы. Для интегральных оптических систем перспективными являются материалы с фазовыми переходами, в частности, халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП) системы Ge-Sb-Te (GST). Актуальным является развитие диагностических методов для их исследования. Цель. Предложить методику комплексной диагностики GST-структур с применением разных методов в едином измерительном цикле. Результаты. Представлены результаты и методика комплексной диагностики локальных участков пленки GST, позволяющая в едином измерительном цикле проводить исследования методами фотометрии, спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС), атомно-силовой микроскопии, оптической микроскопии, лазерной модификации. Предложен алгоритм расчета комплексного показателя преломления по значениям отражательной и пропускательной способностей при нормальном падении оптических лучей. С помощью этого алгоритма определялись фазовые состояния локальных областей пленки GST, которые соответствовали результатам КРС. В спектрах КРС наблюдалось уменьшение интенсивности пика в области комбинационного сдвига – 130 см−1 для аморфной пленки GST, что связано с переходом атома Ge из октаэдрического в тетраэдрическое окружение атомов Te и снижением твердости атомных связей Ge-Te. Пик в области рамановского сдвига – 145 см−1 соответствовал колебаниям атомных связей Sb-Te. Установлены параметры лазерных импульсов с длиной волны 403 нм для аморфизации и кристаллизации материала пленки GST. Аморфизация наблюдалась для лазерного импульса с длительностью = 10 нс, периодом T = 200 нс и энергетической экспозицией H0 = 3,2 ± 0,03 нДж/мкм2. Кристаллизация наблюдалась для лазерного импульса с длительностью = 30 нс, периодом T = 200 нс и энергетическим воздействием H0 = 2,8 ± 0,03 нДж/мкм2. Практическая значимость. Предложенная методика будет полезна при диагностических исследованиях новых материалов с фазовыми переходами для интегральной оптики
Поиск:	Источник
Ссылка на ресурс:	https://www.elibrary.ru/item.asp?id=41859799
Ссылка на ресурс:	http://radiotec.ru/ru/journal/Radioengineering/number/2019-11/article/22220