| Найдено документов - 2 | Статьи из номера журнала: МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. 2. - Москва : ИКЦ Академкнига, 2020. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Преобразователи магнитного поля на основе спин-туннельного магниторезистивного эффекта / Д. В. Васильев, Д. В. Костюк, Е. П. Орлов [и др.]. - Текст : электронный // МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : ИКЦ Академкнига, 2020. - № 2. - С. 142-148. - URL: https://sciencejournals.ru/view-article/?j=mikelek&y=2020&v=49&n=2&a=MikElek2001013Vasilev (дата обращения: 31.10.2024). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Васильев, Д. В., Костюк, Д. В., Орлов, Е. П., Жуков, Д. А., Казаков, Ю. В., Амеличев, В. В., Беляков, П. А. |
| Ключевые слова: | Гистерезис, Мостовая схема Уитстона, Преобразователи магнитного поля, Спин-туннельный магниторезистивный эффект |
| Аннотация: | Рассмотрены современные конструкции преобразователей магнитного поля на основе наноструктур со спин-туннельным магниторезистивным эффектом и основные области их применения. Представлены результаты экспериментального исследования двух конструктивных вариантов преобразователей магнитного поля с четной и нечетной выходной характеристикой. Чувствительность изготовленного макета ПМП на основе СТМР эффекта с четной выходной характеристикой составила 0.54 мВ/(В ⋅ Э) в диапазоне магнитного поля с напряженностью от 0 до 40 Э. Представлены результаты преобразования зависимости R(H) наноструктуры с СТМР эффектом путем термомагнитной обработки для снижения гистерезиса и повышения линейности в рабочем диапазоне магнитного поля. Чувствительность изготовленного макета ПМП на основе СТМР эффекта с нечетной выходной характеристикой составила 5.4 мВ/(В ⋅ Э) в диапазоне магнитного поля с напряженностью ±1 Э. В заключении изложены перспективные направления развития конструкций ПМП на основе наноструктур с СТМР эффектом |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |
2. Статья из журнала
| Сауров, М. А. (Автор МИЭТ). Исследование дефектообразования при облучении кремния γ-квантами / М. А. Сауров, С. В. Булярский, А. В. Лакалин. - Текст : электронный // МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : ИКЦ Академкнига, 2020. - № 2. - С. 111-115. - URL: https://sciencejournals.ru/view-article/?j=mikelek&y=2020&v=49&n=2&a=MikElek2001011Saurov (дата обращения: 31.10.2024). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Сауров, М. А., Булярский, С. В., Лакалин, А. В. |
| Ключевые слова: | Дефектообразования, Облучение кремния, γ-излучения, Спектроскопия |
| Аннотация: | Исследовались параметры рекомбинационных центров кремниевых фотодиодов до и после облучения γ-квантами. Исследования проводились методом рекомбинационной спектроскопии глубоких уровней. Показано, что после облучения увеличиваются токи через p-n-переход, как при прямом, так и при обратном смещении, что объясняется ростом концентрации рекомбинационных центров, связанных с образованием вакансий при облучении |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |