| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 4. - Санкт-Петербург : Наука, 2020. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Многоуровневая запись в тонких пленках Ge2Sb2Te5 / С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Н. А. Богословский [и др.]. - Текст : электронный // ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. - Санкт-Петербург : Наука, 2020. - № 4. - С. 372-375. - URL: http://journals.ioffe.ru/articles/49144 (дата обращения: 17.05.2023). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Фефелов, С. А., Казакова, Л. П., Богословский, Н. А., Былев, А. Б., Якубов, А. О. |
| Ключевые слова: | Физика, Пленки, Многоуровневые записи, Мемристоры, Эффект переключения, Халькогенидные стеклообразные полупроводники |
| Аннотация: | Проведены исследования вольт-амперных характеристик, полученных на тонких пленках Ge2Sb2Te5 в токовой моде. Установлен эффект многоуровневой записи при последовательной подаче на образец импульсов тока с возрастающим максимальным значением. Показано, что этот эффект может быть связан с расширением канала памяти. Получена оценка размера канала памяти. Сделан вывод о возможности использования пленок Ge2Sb2Te5 в качестве мемристора |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |