МегаПро

Сортировать по:

1. Статья из журнала

Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции / Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, С. С. Пушкарев [и др.]. - Текст : электронный // ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. - Санкт-Петербург : Наука, 2020. - № 11. - С. 1203-1210. - URL: http://journals.ioffe.ru/articles/50087 (дата обращения: 17.05.2023). - Режим доступа: свободный.
Авторы:	Галиев, Г. Б., Климов, Е. А., Пушкарев, С. С., Зайцев, А. А., Клочков, А. Р.
Ключевые слова:	Спектроскопия фотолюминесценции, Молекулярно-лучевая эпитаксия, GaAs, Ориентация подложки (110), Ориентация подложки (111)А, Атомно-силовая микроскопия
Аннотация:	Представлены результаты исследований морфологии поверхности, электрофизических характеристик и фотолюминесцентных свойств эпитаксиальных плeнок GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs (110) и легированных кремнием. Серия исследуемых образцов была выращена при температуре 580oС при отношении парциальных давлений мышьяка и галлия в диапазоне от 14 до 80. С помощью анализа спектров фотолюминесценции выращенных образцов интерпретировано поведение атомов кремния в GaAs с учeтом занятия ими узлов Ga или As (т. е. возникновение точечных дефектов SiGa и SiAs), а также образования вакансий мышьяка и галлия VAs и VGa. При анализе спектры фотолюминесценции образцов на (110)-ориентированных подложках сравнивались со спектрами фотолюминесценции аналогичных образцов на (100)- и (111)A-ориентированных подложках
Поиск:	Источник
Электронный документ	Для просмотра необходимо войти в личный кабинет