Погалов, А. И. (Автор МИЭТ, ТМ).
Проектирование и инженерный расчет тепловых и прочностных характеристик функционального микромодуля / А. И. Погалов, А. Ю. Титов, Ю. Г. Долговых. - Текст : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2020. - № 2(178). - С. 49-52. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=43918784 (дата обращения: 01.06.2023).

Аннотация: Разработан ряд моделей функционального микромодуля с конечно-элементной дискретизацией. Показано, что самым напряженным материалом сборки является клеевой шов и кристалл кремния. Даны рекомендации по проектированию и выбору конструктивно-технологических параметров соединений микромодуля для решения задач эффективного теплоотвода, устойчивости к термоциклическим нагрузкам, расширению функциональных возможностей

Шелепин, Н. А. (Автор МИЭТ, ИЭМС).
Особенности технологии и конструкции элементов СБИС СОЗУ с технологическим уровнем 90 нм для бортовой космической аппаратуры / Н. А. Шелепин. - Текст : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2020. - № 2(178). - С. 5-8. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=43918778 (дата обращения: 01.06.2023).

Аннотация: Рассмотрены проблемы, возникшие при разработке СБИС СОЗУ для бортовой космической аппаратуры на основе КМОП технологии с уровнем 90 нм. СОЗУ 16 Мбит, разработанное на основе лицензированной базовой технологии и правил проектирования имело весьма низкую устойчивость к воздействию одиночных космических частиц. Величина линейных потерь энергии (ЛПЭ) составила всего 3 МэВ*см²/мг (т.е. защелка наступала от самой маленькой частицы - Ne). При помощи компьютерного моделирования были разработаны новые правила проектирования и осуществлено проектирование новой микросхемы. В результате значение ЛПЭ составило 80 МэВ*см²/мг (т.е. максимального значения, которое могло быть получено при испытаниях - воздействие Xe). При этом температурный диапазон увеличен до +125 градусов и напряжение питания изменено с 2,5 до 3,3 В. Т.о. экспериментально показана возможность создания и производства СБИС высокой степени интеграции, соответствующих требованиям бортовой космической аппаратуры на основе базовой технологии уровня 90 нм, освоенной в ПАО "Микрон"

Конструирование и расчеты трехмерных микроэлектронных модулей с высокой степенью интеграции компонентов / Е. Ю. Чугунов, С. П. Тимошенков, А. И. Погалов, Д. В. Вертянов. - Текст : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2020. - № 2(178). - С. 42-48. - URL: https://www.elibrary.ru/item.asp?id=43918783 (дата обращения: 01.06.2023).

Аннотация: В статье представлены прогрессивные и эффективные решения по созданию трехмерных МЭМ с высокой степенью интеграции компонентов на основе гибких, а также кремниевых коммутационных плат. Обосновано применение компьютерно-интегрированного моделирования с использованием метода конечных элементов для конструирования и расчетов МЭМ в трехмерном исполнении. Выполнена аппроксимация конструкций и разработаны унифицированные компьютерные модели трехмерных МЭМ на основе метода конечных элементов, пригодные для изучения различных конструктивно-технологических вариантов изделий и воздействий на них. Проведено моделирование трехмерных МЭМ для изучения влияния свойств материалов, конструктивных параметров и внешних воздействий на напряженно-деформированное состояние и механическую прочность изделий. Даны рекомендации по конструированию трехмерных МЭМ с высокой степенью интеграции компонентов. Полученные результаты показали, что напряженно-деформированное состояние МЭМ определяется свойствами применяемых материалов и зависит от механической прочности и жесткости элементов и соединений, обусловленных модулями упругости материалов в сопряжениях...