Сортировать по:
1. Статья из журнала
Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия / С. В. Оболенский, Е. В. Волкова, А. Б. Логинов [и др.]. - Текст : электронный
// ПИСЬМА В ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. - Санкт-Петербург : Наука, 2021. - № 5. - С. 38-41. - URL: http://journals.ioffe.ru/articles/50676 (дата обращения: 04.05.2022). - Режим доступа: свободный.
Авторы:Оболенский, С. В., Волкова, Е. В., Логинов, А. Б., Логинов, Б. А., Тарасова, Е. А., Пузанов, А. С., Королев, С. А.
Ключевые слова:Кластеры радиационных дефектов, Вольт-фарадный метод, Атомно-силовая микроскопия
Аннотация:Приводятся результаты экспериментальных исследований электрофизических параметров и морфологии поверхности GaAs-структур кольцевых и круговых диодов Шоттки до и после облучения нейтронами с энергией ~ 1 MeV. Методом атомно-силовой микроскопии выявлены объемные радиационные дефекты. По результатам вольт-фарадных измерений определена концентрация электронов и оценена их подвижность до и после облучения. На основе результатов, полученных с применением совокупности данных методов, предложена методика определения средних размеров областей пространственного заряда кластеров радиационных дефектов
Поиск:Источник
Электронный документДля просмотра необходимо войти в личный кабинет