| Найдено документов - 2 | Статьи из номера журнала: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 10. - Санкт-Петербург : Наука, 2021. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов / Е. В. Волкова, А. Б. Логинов, Б. А. Логинов [и др.]. - Текст : электронный // ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. - Санкт-Петербург : Наука, 2021. - № 10. - С. 846-849. - URL: http://journals.ioffe.ru/articles/51431 (дата обращения: 13.07.2021). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Волкова, Е. В., Логинов, А. Б., Логинов, Б. А., Тарасова, Е. А., Пузанов, А. С., Семеновых, Е. С., Королев, С. А., Хазанова, С. В., Оболенский, С. В. |
| Ключевые слова: | GaAs-структуры, Контакты Шоттки, Быстрые нейтроны |
| Аннотация: | Исследуются электрофизические параметры и морфология поверхности структур n/n- GaAs с контактами Шоттки до и после воздействия нейтронов со средней энергией ~1 МэВ. Методом вольт-фарадных измерений определены изменения профилей концентрации и подвижности электронов в структурах. Методом атомно-силовой микроскопии выявлены возникающие при облучении кластеры радиационных дефектов, предложен комплексный подход к определению их параметров |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |
2. Статья из журнала
| Анализ влияния спейсерных слоев на нелинейные искажения вольт-амперных характеристик pHEMT на основе соединения GaAlAs/InGaAs / Е. А. Тарасова, С. В. Хазанова, О. Л. Голиков [и др.]. - Текст : электронный // ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. - Санкт-Петербург : Наука, 2021. - № 10. - С. 872-876. - URL: http://journals.ioffe.ru/articles/51436 (дата обращения: 13.07.2021). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Тарасова, Е. А. , Хазанова, С. В., Голиков, О. Л., Пузанов, А. С., Оболенский, С. В. , Земляков, В. Е. |
| Ключевые слова: | AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT, Нелинейные искажения, Спейсерные слои |
| Аннотация: | Работа посвящена результатам моделирования электрофизических параметров pHEMT структур на основе соединения AlGaAs/InGaAs/GaAs с помощью самосогласованного решения уравнения Шредингера и Пуассона. На основании численных расчетов предложен метод анализа нелинейных искажений передаточных вольт-амперных характеристик исследуемых транзисторов. Проведена оценка влияния спейсерных слоев и степени легирования delta-слоя на нелинейность вольт-амперных характеристик |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |