Сортировать по:
1. Статья из журнала
Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 ºK / Р. А. Хабибуллин, К. В. Маремьянин, Д. С. Пономарев [и др.]. - Текст : электронный
// ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. - Санкт-Петербург : Наука, 2021. - № 11. - С. 989-994. - URL: http://journals.ioffe.ru/articles/51551 (дата обращения: 17.11.2021). - Режим доступа: свободный.
Авторы:Хабибуллин, Р. А., Маремьянин, К. В., Пономарев, Д. С., Галиев, Р. Р., Зайцев, А. А., Данилов, А. И., Васильевский, И. С., Виниченко, А. Н., Клочков, А. Н., Афоненко, А. А., Ушаков, Д. В., Морозов, С. В., Гавриленко, В. И.
Ключевые слова:Квантово-каскадные лазеры, Терагерцовый диапазон, Квантовые ямы, Молекулярно-лучевая эпитаксия
Аннотация:Оптимизирована зонная структура квантово-каскадного лазера с активным модулем на основе трех квантовых ям GaAs/Al0.18Ga0.82As для высокотемпературной генерации на частоте ∼ 3.3 ТГц. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена гетероструктура с толщиной активной области 10 мкм и отклонением толщины активного модуля от номинального < 1%. Изготовленные терагерцовые квантово-каскадные лазеры с двойным металлическим волноводом позволяют получить генерацию вплоть до температуры 125 ºK. Исследования вольт-амперной характеристики, зависимости интегрального излучения от тока и спектров генерации показали хорошее согласие с рассчитанными характеристиками
Поиск:Источник
Электронный документДля просмотра необходимо войти в личный кабинет