МегаПро

Сортировать по:

1. Статья из журнала

Влияние условий формирования кремниевых диодов на их обратные токи / С. В. Булярский, Е. П. Кицюк, А. В. Лакалин [и др.]. - Текст : электронный // ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2022. - № 5. - С. 502-507. - URL: http://journals.ioffe.ru/articles/52354 (дата обращения: 14.03.2022). - Режим доступа: свободный.
Авторы:	Булярский, С. В., Кицюк, Е. П., Лакалин, А. В., Сауров, М. А., Светухин, В. В., Орлов, А. П., Рудаков, Г. А.
Ключевые слова:	Прямые вольт-амперные характеристики, Обратные вольт-амперные характеристики, P-n-переходы, Диффузия, Ионная имплантация, Эпитаксия, Центры рекомбинации, Эффект Пула - Френкеля, Электрон-фононное взаимодействие
Аннотация:	Проведено исследование влияния технологии изготовления кремниевых диодов на возникновение центров генерации и рекомбинации. Сравнивались электрические характеристики p-n-переходов, сформированных разными способами на кремниевых подложках n-типа: а) слой p-типа был создан диффузионным методом; b) слой p-типа формировался путем ионной имплантации в предварительно наращенный на подложке эпитаксиальный n-слой; c) на подложке последовательно осаждались два эпитаксиальных слоя n- и p-типа. Установлено, что у диодов на основе двойного эпитаксиального слоя прямые и обратные вольт-амперные характеристики обусловлены диффузионным механизмом, а сами структуры имеют низкую концентрацию рекомбинационных центров. В то же время у диодов на основе диффузионного метода и ионной имплантации вольт-амперные характеристики обусловлены генерационно-рекомбинационным механизмом. При обратном смещении существенную роль в формировании вольт-амперных характеристик играют электрон-фононные процессы, а при прямом - рекомбинация носителей в области пространственного заряда p-n-перехода. Определены концентрации и энергии центров рекомбинации
Поиск:	Источник
Электронный документ	Для просмотра необходимо войти в личный кабинет