| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 9. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2022. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Анализ нелинейных искажений DpHEMT структур на основе соединения GaAs/InGaAs с двусторонним дельта-легированием / Е. А. Тарасова, С. В. Хазанова, О. Л. Голиков [и др.]. - Текст : электронный // ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2022. - № 9. - С. 844-847. - URL: http://journals.ioffe.ru/articles/53402 (дата обращения: 31.08.2022). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Тарасова, Е. А., Хазанова, С. В., Голиков, О. Л., Пузанов, А. С., Оболенский, С. В., Земляков, В. Е. |
| Ключевые слова: | AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT, Нелинейные искажения, Спейсерные слои |
| Аннотация: | Проведены расчетно-экспериментальные исследования характеристик мощного AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT. При помощи самосогласованного численного решения уравнений Шредингера и Пуассона рассчитана зонная диаграмма исследуемого транзистора, получена концентрация электронов в канале. Экспериментально оценена подвижность электронов в канале транзистора, которая составила 9300 см²/В · с. На основе полученной проходной вольт-амперной характеристики транзистора рассчитаны параметры модельного дифференциального усилителя: малосигнальный коэффициент усиления и коэффициент нелинейных искажений 3-го порядка |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |