| Найдено документов - 3 | Статьи из номера журнала: ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. 3(187). - Москва : НИИМЭ, 2022. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
Опыт проектирования дизайна и изготовления сложных прецизионных фотошаблонов с элементами компенсации оптической близости ОРС (optical proximity correction) / А. Н. Беленков, В. А. Овчинников, С. И. Морозов, Н. С. Хрущев. - Текст : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2022. - № 3(187). - С. 45-51. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=50136137 (дата обращения: 06.02.2023).
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2022. - № 3(187). - С. 45-51. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=50136137 (дата обращения: 06.02.2023).
Авторы: Беленков, А. Н., Овчинников, В. А., Морозов, С. И., Хрущев, Н. С.
Ключевые слова: Дизайн фотошаблонов, Фотолитография, Коррекция эффектов оптической близости, Изготовление фотошаблонов
Аннотация: В работе представлен опыт разработки технологий проектирования дизайна и изготовления фотошаблона с элементами компенсации эффектов оптической близости ОРС (Optical Proximity Correction) для производства ИС с проектными нормами 130 нм с применением техники повышения разрешения RET (Reticle Enhancement Technique)». Корректность разработанных технологий подтверждена результатами контроля сложных фотошаблонов с элементами коррекции эффектов оптической близости ОРС
Ссылка на ресурс: https://elibrary.ru/item.asp?id=50136137
2. Статья из журнала
Яковлев, В. Б.
Об использовании одноточечных корреляционных приближений для анализа диэлектрических характеристик композиционных материалов микроэлектроники / В. Б. Яковлев, А. В. Бардушкин. - Текст : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2022. - № 3(187). - С. 51-55. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=50136138 (дата обращения: 06.02.2023).
Об использовании одноточечных корреляционных приближений для анализа диэлектрических характеристик композиционных материалов микроэлектроники / В. Б. Яковлев, А. В. Бардушкин. - Текст : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2022. - № 3(187). - С. 51-55. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=50136138 (дата обращения: 06.02.2023).
Авторы: Яковлев, В. Б., Бардушкин, А. В.
Ключевые слова: Эффективная диэлектрическая проницаемость, Одноточечное корреляционное приближение, Формула Ландау-Лифшица-Лооенга, Формула Ббиира, Матричный композит
Аннотация: Представлен оригинальный вывод формул Ландау-Лифшица-Лооенга и Биира для вычисления эффективных диэлектрических характеристик композиционных материалов. Проведен анализ областей применимости этих соотношений в зависимости от объемной концентрации и свойств компонентов материала
Ссылка на ресурс: https://elibrary.ru/item.asp?id=50136138
3. Статья из журнала
Королев, М. А. (Автор МИЭТ, ИЭМС).
Влияние конструктивно- технологических параметров беспереходного МОП-транзистора со слаболегированной рабочей областью на обеднение канала прибора / М. А. Королев, А. Ю. Красюков, Ю. А. Чаплыгин. - Текст : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2022. - № 3(187). - С. 51-55. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=50136139 (дата обращения: 06.02.2023).
Влияние конструктивно- технологических параметров беспереходного МОП-транзистора со слаболегированной рабочей областью на обеднение канала прибора / М. А. Королев, А. Ю. Красюков, Ю. А. Чаплыгин. - Текст : электронный
// ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. Серия 3. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА. - Москва : НИИМЭ, 2022. - № 3(187). - С. 51-55. - URL: https://elibrary.ru/item.asp?id=50136139 (дата обращения: 06.02.2023).
Авторы: Королев, М. А., Красюков, А. Ю., Чаплыгин, Ю. А.
Ключевые слова: Беспереходной транзистор, Моделирование, TCAD
Аннотация: Представлен анализ развития МОП-транзисторов со встроенным каналом и показана перспективность приборов со слаболегированной рабочей областью. С использованием средств TCAD показано, что электрическое поле n+-n-перехода стока в зависимости от его расположения относительно края канала беспереходного МОП-транзистора со слаболегированной рабочей областью и глубины залегания существенно влияет на распределение потенциала и электронов в канале прибора
Ссылка на ресурс: https://elibrary.ru/item.asp?id=50136139