Сортировать по:
1. Статья из журнала
Формирование периодических двухфазных структур на поверхности аморфных пленок Ge2Sb2Te5 при воздействии ультракоротких лазерных импульсов различной длительности и частоты следования / М. П. Сумаев, П. И. Лазаренко, М. Е. Федянина [и др.]. - Текст : электронный
// ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2023. - № 2. - С. 196. - URL: http://journals.ioffe.ru/articles/55005 (дата обращения: 05.05.2023). - Режим доступа: свободный.
Авторы:Сумаев, М. П., Лазаренко, П. И., Федянина, М. Е., Будаговский, И. А., Рааб, А., Сагунова, И. В., Козюхин, С. А.
Ключевые слова:Халькогенидные пленки, Фазопеременные материалы, Лазерноиндуцированные периодические поверхностные структуры, Двухфазные структуры, Ge2Sb2Te5, GST225
Аннотация:Материалы фазовой памяти благодаря высокой восприимчивости к низкоинтенсивным световым полям чрезвычайно привлекательны для устройств активной микрофотоники и интегральной оптики. В результате быстрого фазового переключения данные материалы изменяют показатель преломления в широком спектральном диапазоне, что нашло применение в системах хранения информации. В настоящей работе проведены исследования формирования двухфазных периодических структур, состоящих из чередующихся полос аморфной и кристаллической фаз на поверхности тонкопленочных материалов Ge2Sb2Te5, при воздействии лазерными импульсами ультракороткой длительности. Периодические структуры сформированы на длине волны 1030 nm при различных длительностях и частотах следования световых импульсов. Установлено, что упорядоченность двухфазных структур, получаемых при постоянной плотности энергии, практически не меняется при увеличении частоты следования от 10 kHz до 1 MHz, однако изменение длительности импульса от 180 fs до 10 ps приводит к нарушению периодической структуры вследствие формирования протяженных непрерывно закристаллизованных областей
Поиск:Источник
Электронный документДля просмотра необходимо войти в личный кабинет
2. Статья из журнала
Кинетика обратимых фазовых переходов в тонких пленках Ge2Sb2Te5 при фемтосекундном лазерном облучении / А. В. Колчин, С. В. Заботнов, Д. В. Шулейко [и др.]. - Текст : электронный
// ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2023. - № 2. - С. 145. - URL: http://journals.ioffe.ru/articles/54996 (дата обращения: 05.05.2023). - Режим доступа: свободный.
Авторы:Колчин, А. В., Заботнов, С. В., Шулейко, Д. В., Лазаренко, П. И., Глухенькая, В. Б., Козюхин, С. А., Кашкаров, П. К.
Ключевые слова:Фемтосекундные лазерные технологии, Спектроскопия комбинационного рассеяния света, Динамика фазовых переходов, Ge2Sb2Te5, GST225
Аннотация:Облучение фемтосекундными лазерными импульсами тонких пленок халькогенидного стеклообразного полупроводника Ge2Sb2Te5 позволяет осуществлять фазовые переходы из аморфного состояния в кристаллическое и обратно. В настоящей работе возможность инициации процессов аморфизации и кристаллизации в тонких пленках Ge2Sb2Te5 набором импульсов лазерного излучения с длительностью 135 fs подтверждается экспериментально и теоретически. Согласно двухтемпературной модели и экспериментальным данным, оценены кинетики температур электронов и решетки во время фемтосекундного лазерного воздействия. Оценка проводилась с учетом динамического изменения диэлектрической проницаемости материала пленки, линейного оптического поглощения и коэффициента отражения, существенно влияющих на воздействие сверхкороткого лазерного импульса в течение его длительности. Определены температуры и скорости охлаждения, необходимые для достижения инициации фазовых переходов ИК лазерными импульсами с субпикосекундной длительностью. Полученные результаты открывают перспективы к дальнейшему повышению скорости работы создаваемых энергонезависимых активных устройств нанофотоники на основе Ge2Sb2Te5 за счет применения импульсов с фемтосекундной длительностью для переключения фазового состояния
Поиск:Источник
Электронный документДля просмотра необходимо войти в личный кабинет