| Найдено документов - 1 | Статьи из номера журнала: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 4. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2023. - Текст : электронный. | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Статья из журнала
| Электропроводность и интерфейсные явления в тонкопленочных гетероструктурах на основе ниобата лития и танталата лития / С. И. Гудков, А. В. Солнышкин, Р. Н. Жуков [и др.]. - Текст : электронный // ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. - Санкт-Петербург : ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2023. - № 4. - С. 577. - URL: https://journals.ioffe.ru/articles/55294 (дата обращения: 05.05.2023). - Режим доступа: свободный. | |
| Авторы: | Гудков, С. И., Солнышкин, А. В., Жуков, Р. Н., Киселев, Д. А., Семенова, Е. М., Белов, А. Н. |
| Ключевые слова: | Структуры металл-сегнетоэлектрик-полупроводник, Тонкие пленки, Ниобат лития, Танталат лития, Электрофизические свойства, Электропроводность, Потенциальный барьер |
| Аннотация: | Исследованы электрофизические свойства структур металл-сегнетоэлектрик-полупроводник - Cu/LiNbO3/Si и Ag/LiTaO3/Si - с толщиной сегнетоэлектрического слоя 200 nm. Нанесение сегнетоэлектрического слоя осуществлялось методом высокочастотного магнетронного распыления. Исследование топографии пленок показало зеренную структуру. Изучена электропроводность структур, определены механизмы, которыми можно описать электрическую проводимость исследуемых образцов. Для структур Cu/LiNbO3/Si это ток, ограниченный пространственным зарядом, прыжковая проводимость и эмиссия Шоттки; для структур Ag/LiTaO3/Si - ток, ограниченный пространственным зарядом, и прыжковая проводимость. Асимметричный вид вольт-амперных характеристик может указывать на наличие потенциального барьера на интерфейсах. Для изучаемых структур определена величина потенциального барьера |
| Поиск: | Источник |
| Электронный документ | Для просмотра необходимо войти в личный кабинет |